半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8702DQRHBRQ1 编号：C1848377

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702D-Q1 汽车类 47V 半桥智能栅极驱动器

数据手册

1+
￥9.68
10+
￥7.94
30+
￥6.99
100+
￥5.91
500+
￥5.43
1000+
￥5.22

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型号：NSG2153D 编号：C46473165

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。

1+
￥3.42 ￥3.6
10+
￥2.698 ￥2.84
30+
￥2.394 ￥2.52
100+
￥2.014 ￥2.12
500+
￥1.843 ￥1.94
1000+
￥1.7385 ￥1.83

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型号：TF21364M-TR 编号：C17701729

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥9.3245 ￥10.97
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￥7.8965 ￥9.29
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￥6.9955 ￥8.23
100+
￥6.0775 ￥7.15
500+
￥5.661 ￥6.66
1000+
￥5.4825 ￥6.45

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型号：FAN73912MX 编号：C899115

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912 是一款单片半桥门极驱动器集成电路，适用于最高在 +1200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT 的高压和高速驱动。HIN 的高级输入滤波器针对干扰导致的短脉冲输入信号提供保护。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VCC 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和接收 2 A 和 3 A。

数据手册

1+
￥15.83
10+
￥13.28
30+
￥11.68
100+
￥10.04
500+
￥9.31
1000+
￥8.99

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型号：IRS2104STRPBF-JSM 编号：C5804630

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动带SD功能高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

5+
￥1.296845 ￥1.5257
50+
￥1.138235 ￥1.3391
150+
￥1.070235 ￥1.2591
500+
￥0.985405 ￥1.1593
2500+
￥0.947665 ￥1.1149
4000+
￥0.925055 ￥1.0883

有货

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型号：FAN7384MX 编号：C890851

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN7384是单片半桥栅极驱动IC，设计用于高压、高速驱动MOSFET和IGBT，工作电压高达 +600V。飞兆半导体的高压工艺和共模噪声消除技术可以保证高侧驱动器在高dv/dt噪声环境下稳定工作。先进的电平转换电路使高侧栅极驱动器能承受高达VS = -9.8V（典型值）的偏置电压，在VBS = 15V时。

数据手册

1+
￥7.91
10+
￥7.12
30+
￥6.63
100+
￥6.13
500+
￥5.9
1000+
￥5.8

有货

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

数据手册

1+
￥30.82
10+
￥26.58
30+
￥24.07
100+
￥21.52

有货

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型号：TFB0504-NHP 编号：C7436033

封装：TDFN-10

品牌：TFSS(德律风根)

单相, 内置自举二极管，半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥5.26
10+
￥4.27
30+
￥3.77
100+
￥3.28

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型号：TF2184M-TR 编号：C7466370

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

栅极驱动IC@@驱动配置：半桥负载类型：MOSFET；IGBT 电源电压：10V~25V 峰值灌电流：4.0A 峰值拉电流：4.0A 700V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V 带SD功能

1+
￥6.16
10+
￥5.56
30+
￥5.23
100+
￥4.86
500+
￥4.7
1000+
￥4.62

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

1+
￥29.82
10+
￥25.8
30+
￥23.41
100+
￥19.5

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型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310

封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)

品牌：TI(德州仪器)

集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。

数据手册

1+
￥97.05
10+
￥92.3
30+
￥84.07

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型号：NSG21531D 编号：C46473164

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压（1/6th VCC）时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑，防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外，NSG2153(1)D 集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。