半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-16-300mil

是一种隔离半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供，不仅为高端输出供电，还为常用的外部缓冲电路供电，消除了与外部电源配置（如自举电路）相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V，具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板（PCB）布局期间，必须特别注意以满足排放标准。

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型号：IR2133JTRPBF 编号：C537582

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至2.5V。独立的运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还可以提供电流跳闸功能，用于终止所有六个输出。关断功能可用于终止所有六个输出。提供开漏故障信号，用于指示发生过流或欠压关断。故障状态可通过 FLT-CLR 引脚清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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型号：LF2103NTR 编号：C3655350

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

LF2103N是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压技术使LF2103N的高端在自举操作中能够切换至600V。LF2103N的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：UP1966E 编号：C3654946

封装：WLCSP-12-B(1.6x1.6)

品牌：EPC

设计用于在半桥拓扑中驱动高端和低端GaN FET。它集成了内部自举电源和欠压锁定功能。具有分离的栅极输出，可在高端和低端驱动通道上以数MHz的频率运行，能够独立调整导通和关断过渡时间。高端驱动采用钳位电路，防止不需要的瞬变损坏GaN器件的栅极。有两个PWM输入，可独立控制高端和低端驱动信号。采用12引脚WLCSP封装，可最小化封装电感，以改善高速运行性能。

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型号：UCC21222QDQ1 编号：C1549343

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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型号：IR2104SPBF 编号：C5204801

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：UCC21520DW 编号：C200361

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21520 4A/6A、5.7 kVrms 双通道隔离式栅极驱动器

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型号：UCC27211D 编号：C1549388

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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型号：LM5104M 编号：C3655540

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：IR3598MTRPBF 编号：C537687

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

单16引脚QFN封装的双MOSFET驱动器降压转换器驱动器，输入电压4.0至13.2Vdc 多模式操作，可将驱动器配置为双路或倍压/交错模式驱动器

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型号：2EDF7275K 编号：C533062

封装：LGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：2EDF7275K 编号：C2975252

封装：TFLGA-13

品牌：Infineon(英飞凌)

是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动器IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。针对温度和生产分散性进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更好的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4 A/8 A适用于低阻功率MOSFET，1 A/2 A适用于较高Ron的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）

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型号：IR2104PBF 编号：C2959

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：UCC27201ADRMT 编号：C2676934

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：IR2108SPBF 编号：C2963

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：NCP5901BMNTBG 编号：C393370

封装：TDFN-8L(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能工作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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型号：1EDN8550BXTSA1 编号：C19634083

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动 IC 的 TDI 系列的一部分。TDI 系列具有全差分输入电路。真正的差分输入 (TDI) 提供出色的共模抗扰度 (CMR)，并消除误触发风险。小封装尺寸可在低端和高端驱动中实现灵活布局。EiceDRIVER 1EDNx550 是一系列高端和低端非隔离式栅极驱动器，其应用范围涵盖通常为隔离式和电平转换驱动器预留的领域，从而带来显著的成本优势。这得益于独特的真正差分输入 (TDI) 级概念。即使输入差分对上存在共模电压，TDI 输入级也能控制驱动器。接地参考 (GND) 和驱动器输入 (IN+、IN-) 之间的共模电压最高可达 ±200 V DC 和 ±400 V AC 峰值。EiceDRIVER 1EDNx550 适用于驱动器和系统接地之间存在不必要电压偏移的任何应用，以及在允许的静态共模范围（最大 ±200 V）内的高端驱动。利用 TDI 的共模电压处理能力，也可以轻松操作需要双极性驱动电压的开关。

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型号：IR2184PBF 编号：C2994

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：HIP2210FRTZ-T7A 编号：C3655232

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：HIP2211FBZ-T7A 编号：C1015920

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准HI/LI输入，与瑞萨流行的桥驱动器如HIP2101和ISL2111引脚兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS

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