半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-14-300mil

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。

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单价：
￥25.101398 / 个

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型号：UCC27201ADRCR 编号：C544737

封装：VSON-9-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27201A 120V 升压 3A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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50+
￥4.408
100+
￥4.332
150+
￥4.256

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型号：IRS2109STRPBF 编号：C538270

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2109/IRS21094 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V

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1+
￥5.31
10+
￥5.17
30+
￥5.09
100+
￥5

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型号：UCC27289DR 编号：C2870124

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET；在 DRC 封装中启用/禁用功能；禁用时消耗的电流很低 (7μA)；16ns 典型传播延迟；1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns；1ns 典型延迟匹配；集成式 100V 自举二极管；8V 典型欠压锁定；输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)；HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V)；±3A 峰值输出电流；绝对最大启动电压为 120V；输入相互独立且 VDD；两个通道的欠压锁定；额定结温范围为 –40°C 至 140°C。

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2500+
￥5.13
5000+
￥5.04
7500+
￥4.95

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型号：NCP5106ADR2G 编号：C78282

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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单价：
￥3.99672 / 个

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型号：MIC4605-2YM 编号：C637550

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

100+
￥7.5488
200+
￥7.414
500+
￥7.2792

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型号：NCP5109ADR2G 编号：C190726

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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单价：
￥3.34764 / 个

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型号：LM5107MAX/NOPB 编号：C2653798

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥7.531238 / 个

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型号：2ED2742S01GXTMA1 编号：C5502859

封装：VSON-10(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款基于SOI的160V栅极驱动器，专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。

10+
￥2.2842
100+
￥2.1996
200+
￥2.0304
1000+
￥1.9458
2000+
￥1.89504

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型号：IRS21834STRPBF 编号：C67285

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥10.387
50+
￥9.588
100+
￥9.4282
500+
￥9.1086
1000+
￥8.9488

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型号：UCC27200ADRMR 编号：C2677000

封装：VSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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单价：
￥7.547629 / 个

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型号：HIP2210FRTZ-T 编号：C3655656

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入，可编程死区时间。宽6V至18V工作电源范围和集成的高端自举二极管，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟为15ns，典型延迟匹配为2ns，适用于高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

1+
￥14.34
10+
￥14
30+
￥13.78
100+
￥13.56

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型号：UCC27200ADR 编号：C2676996

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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单价：
￥7.547629 / 个

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型号：ADUM4223ARWZ 编号：C208622

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

5KVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
￥29.42
10+
￥28.73
30+
￥28.27
100+
￥27.81

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型号：ADUM1233BRWZ-RL 编号：C206595

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供0.1A输出

100+
￥53.79
1000+
￥52.323

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型号：LMG1205YFXT 编号：C2653820

封装：DSBGA-12(1.7x1.9)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥15.63192 / 个

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型号：LMG3411R070RWHT 编号：C2680262

封装：VQFN-32-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

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单价：
￥78.426502 / 个

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型号：2ED2104S06FXUMA1 编号：C3655257

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持逻辑运行。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

1+
￥5.28
10+
￥5.15
30+
￥5.06
100+
￥4.97

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型号：IRS2110SPBF 编号：C150925

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动

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15+
￥24.63731
100+
￥21.255718
1000+
￥19.564923

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型号：HIP2100IBZ 编号：C1549327

封装：SOIC-8-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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单价：
￥23.994534 / 个

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型号：UCC21551ADWKR 编号：C41835252

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UCC21551x 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。UCC21551x 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些高级特性，UCC21551x 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

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单价：
￥4.826876 / 个

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型号：MIC4605-1YM 编号：C637549

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

100+
￥7.5488
200+
￥7.414
500+
￥7.2792

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型号：2ED2103S06FXUMA1 编号：C5311647

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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