半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

NCP5111 是一款高电压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。

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2000+
￥3.14592
4000+
￥3.09168
6000+
￥2.9832

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型号：2ED2103S06FXUMA1 编号：C5311647

封装：DSO-8

2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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1+
￥13.22
10+
￥11.47
30+
￥10.38
100+
￥8.92
500+
￥8.41
1000+
￥8.19

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型号：NCV5104DR2G 编号：C603953

封装：SOIC-8

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2500+
￥6.80867
5000+
￥6.746773
7500+
￥6.684876

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型号：L6393DTR 编号：C2677096

封装：SO-14

半桥栅极驱动器是单芯片半桥栅极驱动器，适用于N沟道功率MOSFET或IGBT。高端（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，低至3.3 V，便于与微控制器/DSP接口。

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10+
￥6.075
100+
￥5.85
200+
￥5.4
1000+
￥5.175
2000+
￥4.95

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型号：LTC7060JMSE#TRPBF 编号：C690117

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

带浮地和可编程死区的100V半桥驱动器

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单价：
￥15.012 / 个

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型号：NCP81253MNTBG 编号：C424480

封装：DFN-8-EP(2x2)

NCP81253 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采用小型 2 mm x 2 mm 封装，经优化适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。可通过三态 PWM 和 EN 输入将驱动器输出置于高阻抗状态。NCP81253 带有集成的升压二极管，以最大程度减少外部部件的数量。电源电压较低时，VCC UVLO 功能可保证低输出。

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10+
￥2.2035
100+
￥1.99332
500+
￥1.823223
1000+
￥1.786758
2000+
￥1.719755

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型号：FAN7080MX-GF085 编号：C457807

封装：SOIC-8

FAN7080_GF085 是一款半桥门极驱动集成电路，带重置输入和可调停滞时间控制。它适用于 MOSFET 或 IGBT 的高电压和高速驱动，最高运行电压为 600V。安森美半导体的高压工艺和共模干扰抑制技术为高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰环境下提供稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -5 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。结合停滞时间调整和重置关断的引脚功能，使该集成电路采用节省空间的 SOIC-8 封装中。输出驱动器的最小源和汲电流功能分别为 250mA 和 500mA，适用于电机驱动系统中的接线盒应用和半桥、全桥应用。

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2500+
￥7.58582
5000+
￥7.516858
7500+
￥7.447896

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型号：NCV7720DQAR2G 编号：C904664

封装：SSOP-24-EP-150mil

NCV7720 Deca是一款十通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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单价：
￥14.47686 / 个

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型号：L6398D 编号：C1549303

封装：SOIC-8

L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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单价：
￥20.723649 / 个

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型号：STGAP2SICSANCTR 编号：C27164388

封装：SO-8

单价：
￥6.79251 / 个

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型号：STGAP2HDMTR 编号：C5267706

封装：BSOP-32-300mil

电气隔离4 A双重栅极驱动器

单价：
￥30.834125 / 个

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型号：LT1162CSW#PBF 编号：C662908

封装：SO-24-300mil

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单价：
￥69.3684 / 个

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型号：LT1162CSW#TRPBF 编号：C662909

封装：SO-24-300mil

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单价：
￥69.3684 / 个

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型号：LT1162ISW#PBF 编号：C662910

封装：SO-24-300mil

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单价：
￥80.2116 / 个

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型号：LTC4444EMS8E#PBF 编号：C107974

封装：MSOP-8-EP

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单价：
￥22.68 / 个

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型号：IR2133JTRPBF 编号：C537582

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至2.5V。独立的运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还可以提供电流跳闸功能，用于终止所有六个输出。关断功能可用于终止所有六个输出。提供开漏故障信号，用于指示发生过流或欠压关断。故障状态可通过 FLT-CLR 引脚清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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1+
￥98.17
10+
￥95.2

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型号：IR2111PBF 编号：C371087

封装：PDIP-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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10+
￥37.146083
100+
￥32.047601
1000+
￥29.49836

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型号：DGD0590AFU-7 编号：C1848807

封装：QFN-8-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DGD0590A是一款高频高端和低端栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达40V，可为MOSFET提供5V的栅极驱动。DGD0590A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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10+
￥1.483515
100+
￥1.42857
200+
￥1.31868
1000+
￥1.263735
2000+
￥1.20879

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型号：DGD2184MS8-13 编号：C2677193

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2184M是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2184M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2184M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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2500+
￥6.89876
5000+
￥6.836044
7500+
￥6.773328

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型号：UP1966E 编号：C3654946

封装：WLCSP-12-B(1.6x1.6)

品牌：EPC

设计用于在半桥拓扑中驱动高端和低端GaN FET。它集成了内部自举电源和欠压锁定功能。具有分离的栅极输出，可在高端和低端驱动通道上以数MHz的频率运行，能够独立调整导通和关断过渡时间。高端驱动采用钳位电路，防止不需要的瞬变损坏GaN器件的栅极。有两个PWM输入，可独立控制高端和低端驱动信号。采用12引脚WLCSP封装，可最小化封装电感，以改善高速运行性能。

1+
￥53.25
10+
￥45.86
30+
￥41.36
100+
￥37.59

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型号：IR2010PBF 编号：C537536

封装：DIP-14

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。

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1+
￥55.05
10+
￥53.77
30+
￥52.91
100+
￥52.05

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型号：HIP2100IBZ 编号：C1549327

封装：SOIC-8-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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单价：
￥23.713382 / 个

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型号：LF2103NTR 编号：C3655350

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

LF2103N是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压技术使LF2103N的高端在自举操作中能够切换至600V。LF2103N的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

1+
￥14.56
10+
￥12.36
30+
￥10.98
100+
￥9.57
500+
￥8.94
1000+
￥8.66

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型号：A4928KLPTR-T 编号：C5571739

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4928 是一款 N 沟道功率 MOSFET 驱动器，能够控制以半桥形式连接的 MOSFET，专为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计，如有刷直流电机、螺线管和执行器。A4928 适用于必须满足 ASIL 要求的汽车系统。与其他 Allegro A²SIL(TM) 产品一样，该器件集成了有助于完善系统设计的特性，使用户能够达到所需的 ASIL 等级

1+
￥40.75
200+
￥16.26
500+
￥15.72
1000+
￥15.45

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型号：EPC23102ENGRT 编号：C5729483

封装：WQFN-13-HR(3.5x5)

品牌：EPC

ePower™ 级 IC 产品系列将输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路与 eGaN 输出 FET 集成在一起。集成采用 EPC 专有的 GaN IC 技术实现。最终结果是一款功率级 IC，可将逻辑电平输入转换为高压大电流功率输出，尺寸更小、更易于制造、设计更简单且运行效率更高。

1+
￥87.75
200+
￥35.02
500+
￥33.85
1000+
￥33.27

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型号：UCC27211D 编号：C1549388

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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1+
￥13.03
10+
￥11.06
30+
￥9.83
100+
￥8.57
500+
￥8
1000+
￥7.75

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型号：UCC21520DW 编号：C200361

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21520 4A/6A、5.7 kVrms 双通道隔离式栅极驱动器

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1+
￥4.75
10+
￥4.63
30+
￥4.56
100+
￥4.48

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型号：IR2104SPBF 编号：C5204801

封装：SOIC-8

IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥2.92
10+
￥2.85
30+
￥2.8
100+
￥2.75

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型号：IR2108SPBF 编号：C2963

封装：SOIC-8

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥24.2
10+
￥23.66
30+
￥23.31
95+
￥22.95

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型号：2EDF7275K 编号：C533062

封装：LGA-13