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LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

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型号：IRS21814STRPBF 编号：C538299

封装：SOIC-14

高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR2183STRPBF 编号：C2653806

封装：SOIC-8

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：L6392DTR 编号：C2677087

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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型号：UCC21220DR 编号：C2878023

封装：SOIC-16

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ，借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns，所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能，这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性，适用于多种电源应用。

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型号：UCC27210D 编号：C2878269

封装：SOIC-8

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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￥14.7852 / 个

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型号：DRV8906QPWPRQ1 编号：C1858362

封装：HTSSOP-24-EP

DRV8906-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、6 通道半桥电机驱动器

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型号：LM5113SD/NOPB 编号：C181365

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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￥23.272767 / 个

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型号：UCC27201ADRCR 编号：C544737

封装：VSON-9-EP(3x3)

UCC27201A 120V 升压 3A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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型号：NCP5106ADR2G 编号：C78282

封装：SOIC-8

NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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￥3.696966
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型号：CA-IS3221CW-Q1 编号：C20598912

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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型号：CA-IS3221CK-Q1 编号：C20598916

封装：SOIC-14-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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型号：IR2302STRPBF 编号：C148147

封装：SOIC-8

IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥12.17525
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型号：NCD57200DR2G 编号：C904341

封装：SOIC-8

NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电，也可借助自举技术由低端电源供电

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型号：MAX15013AASA+T 编号：C2677247

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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型号：IR2113SPBF 编号：C537556

封装：SOIC-16-300mil

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：DRV8955PPWPR 编号：C3655804

封装：HTSSOP-28

DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动器

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型号：ADUM4223ARWZ 编号：C208622

封装：SOIC-16-300mil

5KVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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￥24.0125
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型号：NCP51705MNTXG 编号：C603753

封装：QFN-24-EP(4x4)

NCP51705 驱动器主要用于驱动 SiC MOSFET 晶体管。为了实现最低的导通损耗，该驱动器能够为 SiC MOSFET 器件提供最大门极电压。通过在开启和关断期间提供高峰值电流，开关损耗也得以最大程度减少。为了提高可靠性，dV/dt 抗扰性甚至更快的关断时间，NCP51705 可以使用板上电荷泵来产生用户可选择的负电压轨。对于隔离应用，NCP51705 还提供了外部可访问的 5 V 轨，为数字或高速光隔离器辅助侧供电。

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￥14.590152 / 个

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型号：ADUM6132ARWZ 编号：C661388

封装：SOIC-16-300mil

是一种隔离半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供，不仅为高端输出供电，还为常用的外部缓冲电路供电，消除了与外部电源配置（如自举电路）相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V，具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板（PCB）布局期间，必须特别注意以满足排放标准。

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￥28.1664 / 个

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型号：LM5107MAX/NOPB 编号：C2653798

封装：SOIC-8

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：2ED2742S01GXTMA1 编号：C5502859

封装：-

是一款基于SOI的160V栅极驱动器，专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。

10+
￥5.7483
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￥5.5354
200+
￥5.1096
1000+
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型号：UCC27200ADRMR 编号：C2677000

封装：VSON-8-EP(4x4)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥9.52
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￥9.35
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￥9.265

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型号：UCC27200ADR 编号：C2676996

封装：SOIC-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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￥7.8309
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￥7.75971
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￥7.68852

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型号：LMG1205YFXT 编号：C2653820

封装：DSBGA-12(1.7x1.9)

LMG1205 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半桥栅极驱动器

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￥35.36
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￥30.3
30+
￥27.29
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￥24.24
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￥22.84
1000+
￥22.21

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型号：ADUM6132ARWZ-RL 编号：C661389

封装：SOIC-16-300mil

是一种隔离半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供，不仅为高端输出供电，还为常用的外部缓冲电路供电，消除了与外部电源配置（如自举电路）相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V，具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板（PCB）布局期间，必须特别注意以满足排放标准。

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单价：
￥28.1664 / 个

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型号：LT1336CS#PBF 编号：C663452

封装：SO-16

具升压型稳压器的半桥式 N 沟道功率 MOSFET 驱动器

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单价：
￥43.9452 / 个

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型号：NCP5901MNTBG 编号：C154811

封装：DFN-8(2x2)