半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：LCS702HG 编号：C568300

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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型号：DGD0506AFN-7 编号：C460680

封装：DFN3030-10-EP

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥3.263656 / 个

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型号：DRV8328BRUYR 编号：C5218864

封装：WQFN-28(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8328 60V 1000/2000mA 三相栅极驱动器

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￥8.92944 / 个

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型号：DRV8962DDWR 编号：C21218303

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

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￥32.493321 / 个

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型号：SLM2014CA-DG 编号：C5127147

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

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型号：LM5107SD/NOPB 编号：C2653795

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：6ED2742S01QXTMA1 编号：C6462126

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED2742S01Q是一款基于SOI技术的160 V栅极驱动器，专为三相无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成的自举二极管用于为三个外部高端自举电容充电，并通过涓流充电泵支持100%占空比运行。保护功能包括欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。在VSS和COM之间集成了一个增益可选的电流检测运算放大器（CSA）。

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￥22.454 / 个

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型号：MASTERGAN4TR 编号：C5252510

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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￥28.133326 / 个

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型号：ADUM7234BRZ 编号：C661449

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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型号：UCC5870QDWJRQ1 编号：C2873577

封装：SSOP-36

品牌：TI(德州仪器)

UCC5870-Q1器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，旨在驱动电动汽车（EV）/混合动力汽车（HEV）应用中的高功率碳化硅（SiC）MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。功率晶体管保护功能，如基于分流电阻的过流保护、基于负温度系数（NTC）热敏电阻的过温保护和退饱和（DESAT）检测，在出现这些故障时可选择软关断或两级关断。为进一步减小应用尺寸，UCC5870-Q1在开关过程中集成了一个4A有源密勒钳位电路，并在驱动器无电源时提供有源栅极下拉功能。集成的10位模数转换器（ADC）可监控多达六个模拟输入和栅极驱动器温度，以增强系统管理能力。集成了诊断和检测功能，以简化符合汽车安全完整性等级D（ASIL-D）的系统设计。这些功能的参数和阈值可通过串行外设接口（SPI）进行配置，使该器件几乎可与任何SiC MOSFET或IGBT配合使用。

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￥58.837555 / 个

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型号：LMG3100R017VBER 编号：C44990765

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.2)

品牌：TI(德州仪器)

该产品是一款连续电压100V、脉冲电压120V的氮化镓（GaN）场效应管（FET），集成了驱动器。有两种导通电阻（Rds(on)）和最大电流的变体。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，并且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小。驱动器和GaN FET安装在一个完全无键合线的封装平台上，可最大限度地减少封装寄生元件

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￥46.465859 / 个

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型号：UCC21540ADWR 编号：C2878545

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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￥6.006962 / 个

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型号：NCP1392DDR2G 编号：C904448

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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￥3.3732 / 个

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型号：LM5113TME/NOPB 编号：C181340

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥20.405642 / 个

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型号：DGD0506AM10-13 编号：C460681

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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￥1.675114 / 个

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型号：FD2109S 编号：C42411224

封装：SOIC-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电源电压下工作而对功率管产生损坏。内置直通防止保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。

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￥4.36
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型号：CA-IS3221CK-Q1 编号：C20598916

封装：SOIC-14-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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￥7.34
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型号：MD1211LG-G 编号：C623931

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Supertex MD1211 是一款高速双 MOSFET 驱动器。它专为驱动高压 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 晶体管而设计，适用于医疗超声和其他需要高输出电流来驱动容性负载的应用。MD1211 的高速输入级可在 1.8 至5.0V 的逻辑接口电压下工作，最佳工作输入信号范围为1.8 至 3.3V。电平转换器采用专有电路，可提供直流耦合和高速运行。

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型号：L6387ED 编号：C155554

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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￥10.355314 / 个

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型号：6EDL7141XUMA1 编号：C3655737

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

MOTIX 6EDL7141 是一款用于三相无刷直流（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）驱动应用的栅极驱动 IC。它提供三个半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动一个高端和一个低端 N 型 MOSFET。该栅极驱动器还具备可编程死区时间延迟功能，用于在正常运行时防止高端（HS）和低端（LS）开关之间出现电流直通现象。用于低端和高端栅极驱动器的独立电荷泵支持 100%占空比和低电压供电运行。栅极驱动器的供电电压可在以下电平中进行编程选择：7V、10V、12V 或 15V。此外，驱动信号的压摆率可以进行精细编程，以降低电磁干扰（EMI）辐射。一个集成的同步降压转换器为系统的其余部分提供高效的电流供应。然而，电动工具系统需要高精度的电流测量，这涉及到非常精确的 ADC 参考电压。为此，6EDL7141 使用一个由降压转换器供电的线性稳压器（最大 300mA），为系统中的微控制器（MCU）和其他敏感组件供电。采用这种先进的电源架构，不仅能实现尽可能好的信号质量，还能在任何输入和输出条件下优化电源效率。6EDL7141 包含三个电流检测放大器，用于精确的电流测量，支持具有可编程增益的双向低端电流检测。通过将相节点内部连接到电流检测放大器的输入，支持 RDSON 检测。如果需要，温度补偿应由用户应用程序提供。电流检测放大器的输出支持 3.3V 和 5V，使大多数商用控制器都能兼容。低噪声、低建立时间和高精度是集成运算放大器的主要特点。内部缓冲器可用于对检测放大器的输出进行偏移调整，以优化动态范围。该器件提供了众多保护功能，用于在不利条件下提高应用的鲁棒性，例如监测电源电压以及系统参数。该器件的故障行为、阈值电压和监测滤波时间可通过 SPI 进行调节。监测的方面包括逆变器电流、栅极驱动电压和电流、器件温度以及转子锁定。当发生故障时，器件停止驱动并将 nFAULT 引脚拉低，以防止系统损坏或其他可能的故障。该信号可连接到微控制器，通知处理器发生了故障。微控制器可以通过 SPI 命令请求获取更多关于故障的信息。集成的 SPI 接口可用于为应用配置 6EDL7141。SPI 既提供详细的故障报告，又提供灵活的参数设置，如电流检测放大器的增益、栅极驱动器的压摆率控制、各种保护功能或栅极驱动电压。

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￥23.26
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型号：UCC27210D 编号：C2878269

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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￥11.895213 / 个

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型号：DRV8312DDW 编号：C1523842

封装：HTSSOP-44-EP-6.1mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8312 具有集成 FET、70V 最大电压、6.5A 峰值电流的三相电机驱动器

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单价：
￥34.526861 / 个

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型号：LM5113SD/NOPB 编号：C181365

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥22.880543 / 个

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型号：L6392DTR 编号：C2677087

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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500+
￥6.05
2500+
￥5.778
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￥5.671

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型号：CA-IS3221CW-Q1 编号：C20598912

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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￥4.36
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￥3.99
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￥3.81

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型号：CA-IS3222CW-Q1 编号：C20598914

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

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型号：CA-IS3221BW-Q1 编号：C20598913

封装：SOIC-16-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS322x 系列产品为双通道、隔离型栅极驱动器，可提供 6A 峰值灌电流、5A 峰值拉电流驱动。这些器件支持高速切换，结合器件的超低传输延时(56ns，典型值)、超低脉宽失真等优势，使其成为 MOSFET、IGBT、SiC 等大功率晶体管驱动的理想选择，工作频率可达 5MHz，适用于各种逆变器、隔离电源、电机驱动等应用。所有器件采用川土特有的电容隔离技术，在内部集成数字隔离器。

1+
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10+
￥6.05
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￥5.28
100+
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500+
￥4.04
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￥3.86

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型号：MIC4605-2YM-TR 编号：C628052

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控半桥输出，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高电源效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声同时开启两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大限度提高系统效率

100+
￥7.5488
200+
￥7.414
500+
￥7.2792

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型号：MP6610GJ-Z 编号：C3655224

封装：TSOT-23-8

品牌：MPS(芯源)

MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内，它能够提供高达3A的输出电流。MP6610旨在驱动有刷直流电机、螺线管及其他负载

1+
￥16.4669
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￥14.255
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￥13.1899
500+
￥11.1418
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￥8.5202
3000+
￥7.8648

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型号：UCC27301AQDDARQ1 编号：C41488145

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns，并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制

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单价：
￥8.87652 / 个

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