半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRS2111SPBF 编号：C538274

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容

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型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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型号：DGD0503FN-7 编号：C460679

封装：WDFN3030-10

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM DGD0503是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0503的高端在自举操作中能够切换至100V。DGD0503逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：2EDS8165HXUMA2 编号：C1869518

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。它们针对温度和生产差异进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更高的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高Rₒₙ的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）

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型号：DGD0590AFU-7 编号：C1848807

封装：QFN-8-EP(3x3)

品牌：DIODES(美台)

DGD0590A是一款高频高端和低端栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达40V，可为MOSFET提供5V的栅极驱动。DGD0590A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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型号：DGD0504FN-7 编号：C5329415

封装：WDFN3030-10

品牌：DIODES(美台)

DGD0504是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0504的高端在自举操作中能够切换至100V。DGD0504的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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型号：IRS2001SPBF 编号：C538232

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容

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型号：IR2109SPBF 编号：C537553

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR2106PBF 编号：C537545

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：ISL6625ACRZ-T 编号：C2677223

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频MOSFET驱动器，用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动上下功率N沟道MOSFET。上下栅极均驱动至外部施加的电压，具备优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用的能力。集成了先进的自适应直通保护，以防止上下MOSFET同时导通并最小化死区时间。具有过压保护功能，当VCC低于POR阈值时仍可工作。

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￥22.02
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型号：FAD8253MX 编号：C3655137

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

FAD8253是一款单片半桥栅极驱动IC，专为驱动最高+1200 V的高压、高速、高功率IGBT而设计。FAD8253采用安森美（ON）的高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行。该栅极驱动器包含针对高端和低端输出的IGBT阈值定制的欠压锁定（UVLO）电路，以防止当VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障

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￥22.11
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￥19.04
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型号：AUIRS2113STR 编号：C533504

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS211(0,3)S 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：ISL2111BR4Z 编号：C1549615

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：AMT49502KLPTR-5 编号：C3655005

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

AMT49502 是一款N通道功率MOSFET驱动器，能够控制以半桥方式连接的MOSFET，特别适用于汽车应用中的高功率电感负载，如刷式直流电机、无刷直流电机（BLDC）、VR/SR电机、电磁阀和执行器。独特的电荷泵稳压器在整个供电电压范围内（5.5 V至80 V）为大多数应用场景提供完整的栅极驱动。采用自举电容为N通道MOSFET提供所需的高于电池电压的电源。每个MOSFET可以通过逻辑电平输入或通过SPI兼容串行接口独立控制。完全独立的控制允许两个外部FET同时导通。集成的诊断功能可指示多种内部故障、系统故障和功率桥故障，并且可以在大多数短路条件下配置以保护功率MOSFET。除了提供对桥控制的完全访问外，串行接口还用于更改可编程设置，例如VDS阈值和故障屏蔽时间。详细的诊断信息可以通过串行接口读取。AMT49502按照ISO 26262开发，作为硬件安全元件，具有ASIL B能力（待评估），在集成并按照适用的安全应用说明和数据手册中规定的方式使用时，可用于汽车安全相关系统。

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￥44.75
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型号：6EDL04I06NT 编号：C3655021

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。

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￥50.21
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型号：IR2130JPBF 编号：C537570

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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型号：HIP2211FR8Z 编号：C20350731

封装：DFN-8(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：IR2304PBF 编号：C520669

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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￥7.97
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型号：HIP2211FBZ-T 编号：C22637560

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

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￥16.15
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￥15.8
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￥15.56

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型号：ISL83202IBZ 编号：C3655228

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款中频H桥FET驱动器，能够提供1A（典型值）的峰值驱动电流，用于在中压应用中驱动高端和低端N沟道MOSFET。针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，可实现基于桥接的简单灵活设计。典型输入到输出传播延迟低至25ns，用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs，适用于高达200kHz的开关频率。死区时间可通过单个电阻进行编程，四个独立的驱动器控制输入允许驱动各种开关组合，全局禁用输入可覆盖输入控制并在拉低时刷新自举电容。集成了欠压保护和直通保护，确保系统可靠运行。采用紧凑的16引脚SOIC和16引脚PDIP封装，工作温度范围为-55°C至+125°C。

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￥20.54
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￥19.74

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型号：ISL78420AVEZ 编号：C1549366

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78420是一款具备三电平PWM输入的100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器。其工作电源范围为8V至14V，并集成了高端自举偏置，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错式升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用

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￥25.69
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￥24.74

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型号：LCS703HG 编号：C568302

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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￥37.05
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￥35.49

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型号：A4928KLPTR-T 编号：C5571739

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4928 是一款 N 沟道功率 MOSFET 驱动器，能够控制以半桥形式连接的 MOSFET，专为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计，如有刷直流电机、螺线管和执行器。A4928 适用于必须满足 ASIL 要求的汽车系统。与其他 Allegro A²SIL(TM) 产品一样，该器件集成了有助于完善系统设计的特性，使用户能够达到所需的 ASIL 等级

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￥40.18
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￥39.29
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￥38.7

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型号：ISL2111ARTZ-T 编号：C2677034

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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￥49.56
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￥42.93
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￥38.89

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型号：IR21844PBF 编号：C2992

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥55.73
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￥48.28
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￥43.73

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型号：LCS708HG 编号：C568305

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

是集成 LLC 功率级，采用多功能控制器、高端和低端栅极驱动器，以及半桥配置的两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压 (ZVS) 下切换功率 MOSFET 来提供高效率，消除开关损耗。

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￥104.9
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￥101.74

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型号：LMG3422R050RQZR 编号：C5218881

封装：VQFN-54(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

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单价：
￥63.9468 / 个

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型号：ISL6208CBZ-T 编号：C2677051

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

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型号：ISL6612ACBZ-T 编号：C2677039

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。ISL6612A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动

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型号：ISL6208CRZ-T 编号：C3655341

封装：QFN-8(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案

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