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具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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30+
￥15.95
60+
￥15.805
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￥15.66

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型号：LCS703HG 编号：C568302

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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￥37.05
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￥36.11
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型号：ISL2111ARTZ-T 编号：C2677034

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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￥49.56
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￥42.93
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￥38.89

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型号：IR21844PBF 编号：C2992

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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1+
￥55.73
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￥48.28
25+
￥43.73

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型号：U3115D 编号：C41374690

封装：SOP-8

U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
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￥0.4591
2500+
￥0.4116
4000+
￥0.3878

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型号：U2103C 编号：C41374693

封装：SOP-8

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥0.8019
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￥0.6339
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￥0.5499
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￥0.4365
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型号：ISL6208IRZ 编号：C1549579

封装：QFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

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1+
￥10.11
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￥9.87
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￥9.72

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型号：ISL6612ACBZ-T 编号：C2677039

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。ISL6612A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动

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1+
￥13.45
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￥13.12
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￥12.9

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型号：UCC27284DRCT 编号：C5218838

封装：VSON-10(3x3)

一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。输入与电源电压无关，与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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1+
￥13.52
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￥11.48
30+
￥10.2
250+
￥8.89
500+
￥8.3
1000+
￥8.04

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型号：TLF11251EPXUMA1 编号：C1518701

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款带有集成驱动器和电平转换器的2.5A半桥。它在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成，以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑，并确保其在指定范围内的电源电压下工作。

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￥15
20+
￥14.4
100+
￥13.8
200+
￥13.44
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￥13.2

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型号：LM5109BQNGTTQ1 编号：C2677100

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5109B-Q1 具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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50+
￥6.6066
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￥5.8443
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￥5.5902
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￥5.43774

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型号：U2115D 编号：C41374692

封装：SOP-8

U2115D/U2116D可在高达+200V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034
2500+
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￥0.3408

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型号：U2181C 编号：C41374696

封装：SOP-8

U2181C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的直通导通

5+
￥2.1119
50+
￥1.6583
150+
￥1.4639
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￥1.2214
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￥1.1134
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￥1.0485

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型号：FD6636S 编号：C840086

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6636S是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达 +600V 电压下工作。

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1+
￥7.35
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￥6.13
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￥5.47
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￥4.71
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￥4.38
1000+
￥4.22

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型号：IRS21834STRPBF 编号：C67285

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥10.387
50+
￥9.588
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￥9.1885
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￥8.9488
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￥8.789

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型号：DRV8329AREER 编号：C7501205

封装：WQFN-36-EP(4x5)

65V三相半桥栅极驱动器驱动3个高端和3个低端N沟道MOSFET（NMOS）4.5至60V工作电压范围支持带涓流充电泵的100%PWM占空比基于自举的栅极驱动器架构 – 最大峰值源电流1000mA，最大峰值灌电流2000mA集成低输入失调电流检测放大器（针对1个分流电阻优化） – 增益可调（5、10、20、40V/V）硬件接口提供简单配置超低功耗睡眠模式，25℃时电流<1μA各相之间传播延迟匹配为4ns（典型值）独立驱动器关断路径（DRVOFF）65V耐压唤醒引脚（nSLEEP）支持SHx上高达 -10V的负瞬变6倍和3倍PWM模式支持3.3V和5V逻辑输入精确LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA紧凑的QFN封装和引脚布局可通过VDSLVL引脚调节VDS过流阈值可通过DT引脚调节死区时间采用功率模块的高效系统设计集成保护功能 – PVDD欠压锁定（PVDDUV）、GVDD欠压（GVDDUV） – 自举欠压（BST_UV） – 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP） – 热关断（OTSD）故障状态指示器（nFAULT）

单价：
￥7.760367 / 个

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型号：MIC4104YM 编号：C637521

封装：SOIC-8

MIC4103和MIC4104是高频、100V半桥MOSFET驱动器，与MIC4100和MIC4101驱动器相比，具有更快的关断特性。它们的特点是传播延迟时间仅24ns，驱动器下降时间仅6ns。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配度在3ns以内（典型值）

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1+
￥19.56
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￥19.01
30+
￥18.64
100+
￥18.28

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型号：LT8418ACBZ-R7 编号：C22450844

封装：WLCSP-12

品牌：ADI(亚德诺)

LT8418是一款100V半桥氮化镓（GaN）驱动器，集成了上下桥驱动级、驱动逻辑控制和保护功能。它可配置为同步半桥、全桥拓扑，或降压、升压和升降压拓扑。LT8418具备强大的源/灌电流能力，上拉电阻为0.6Ω，下拉电阻为0.2Ω

单价：
￥18.414 / 个

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型号：MIC4605-1YM 编号：C637549

封装：SOIC-8

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

单价：
￥7.6248 / 个

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型号：DRV8705HQRHBRQ1 编号：C2871884

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8705-Q1 具有离线诊断功能的汽车级、40V、H 桥智能栅极驱动器

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单价：
￥9.627524 / 个

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型号：DRV8312DDW 编号：C1523842

封装：HTSSOP-44-EP-6.1mm

DRV8312 具有集成 FET、70V 最大电压、6.5A 峰值电流的三相电机驱动器

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1+
￥26.37
10+
￥25.77
30+
￥25.36
100+
￥24.96

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型号：LMG3410R150RWHR 编号：C1858363

封装：VQFN-32-EP(8x8)

LMG3410R150 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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1+
￥82.39
10+
￥78.23
30+
￥71.04
100+
￥64.76

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型号：NCP1392DDR2G 编号：C904448

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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5000+
￥3.12021
10000+
￥3.0921
15000+
￥3.03588

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型号：NCP5109ADR2G 编号：C190726

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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5000+
￥3.096567
10000+
￥3.06867
15000+
￥3.012876

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型号：MCP14628-E/SN 编号：C220795

封装：SOIC-8

MCP14628是一款双MOSFET栅极驱动器，专为在非隔离同步降压转换器拓扑中优化驱动两个N沟道MOSFET而设计。MCP14628通常能够从高端和低端驱动器提供2A的峰值电流，是缺乏集成栅极驱动器的降压控制器的理想搭档。此外，该器件允许将栅极驱动器靠近功率MOSFET放置，从而提供了更高的设计灵活性

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1+
￥14.03
10+
￥13.43
30+
￥13.04
100+
￥12.65

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型号：LM27222SD/NOPB 编号：C2677107

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM27222 用于同步/异步驱动的 4.5A、30V 半桥栅极驱动器

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1+
￥21.44
10+
￥20.94
30+
￥20.61
100+
￥20.28

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型号：MCP14700-E/MF 编号：C220821

封装：TDFN-8-EP(3x3)

是一款高速同步MOSFET驱动器，旨在优化驱动高端和低端N沟道MOSFET。特别适合驱动低FOM MOSFET，包括Microchip的MCP87000系列高速MOSFET。有两个PWM输入，允许独立控制外部N沟道MOSFET。

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1+
￥23.87
10+
￥20.55
30+
￥18.59
120+
￥15.13
480+
￥14.21
960+
￥13.8

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型号：LM5113TME/NOPB 编号：C181340

封装：DSBGA-12

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥20.755441 / 个

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型号：UCC21530BQDWKRQ1 编号：C5216346

封装：SOIC-14-300mil