半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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型号：ADUM4221-2CRIZ-RL 编号：C17221439

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

是4A隔离半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，提供独立且隔离的高端和低端输出。在增加爬电距离的宽体16引脚SOIC_IC中提供5700V rms隔离。结合高速CMOS和单片变压器技术，性能优于脉冲变压器和栅极驱动器的组合。逻辑输入电压范围为2.5V至6.5V，与低电压系统兼容

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型号：UCC21530BQDWKQ1 编号：C2869965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。

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型号：U2106C 编号：C19193020

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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型号：2ED2104S06FXUMA1 编号：C3655257

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持逻辑运行。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

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型号：IRS2183STRPBF 编号：C538305

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。

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型号：IRS2111SPBF 编号：C538274

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容

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型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET

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型号：UCC27211DDAR 编号：C141980

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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型号：DGD0503FN-7 编号：C460679

封装：WDFN3030-10

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM DGD0503是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0503的高端在自举操作中能够切换至100V。DGD0503逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：2EDS8165HXUMA2 编号：C1869518

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。它们针对温度和生产差异进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更高的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高Rₒₙ的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）

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型号：DGD0504FN-7 编号：C5329415

封装：WDFN3030-10

品牌：DIODES(美台)

DGD0504是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0504的高端在自举操作中能够切换至100V。DGD0504的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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型号：2ED3141MC12LXUMA1 编号：C28927937

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动 Si、SiC 和 IGBT 功率开关。所有产品均采用 14 引脚 DSO 封装，输入到输出爬电距离为 8 mm，并提供加强绝缘。所有型号均具备死区时间控制（DTC）功能和独立通道操作

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￥12.09
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型号：IRS2001SPBF 编号：C538232

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容

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型号：IR2109SPBF 编号：C537553

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：AUIRS2301STR 编号：C533515

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：FAD8253MX 编号：C3655137

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

FAD8253是一款单片半桥栅极驱动IC，专为驱动最高+1200 V的高压、高速、高功率IGBT而设计。FAD8253采用安森美（ON）的高压工艺和共模噪声消除技术，可在高dv/dt噪声环境下确保高端驱动器稳定运行。该栅极驱动器包含针对高端和低端输出的IGBT阈值定制的欠压锁定（UVLO）电路，以防止当VDD和VBS低于指定阈值电压时出现故障

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￥22.11
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￥19.04
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￥17.22

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型号：AUIRS2113STR 编号：C533504

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS211(0,3)S 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥28.24
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￥27.75

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型号：ISL2111BR4Z 编号：C1549615

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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￥29.89
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￥29.15
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￥28.66

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型号：IR2106SPBF 编号：C537546

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥33.39
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￥28.79
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￥25.03

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型号：AMT49502KLPTR-5 编号：C3655005

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

AMT49502 是一款N通道功率MOSFET驱动器，能够控制以半桥方式连接的MOSFET，特别适用于汽车应用中的高功率电感负载，如刷式直流电机、无刷直流电机（BLDC）、VR/SR电机、电磁阀和执行器。独特的电荷泵稳压器在整个供电电压范围内（5.5 V至80 V）为大多数应用场景提供完整的栅极驱动。采用自举电容为N通道MOSFET提供所需的高于电池电压的电源。每个MOSFET可以通过逻辑电平输入或通过SPI兼容串行接口独立控制。完全独立的控制允许两个外部FET同时导通。集成的诊断功能可指示多种内部故障、系统故障和功率桥故障，并且可以在大多数短路条件下配置以保护功率MOSFET。除了提供对桥控制的完全访问外，串行接口还用于更改可编程设置，例如VDS阈值和故障屏蔽时间。详细的诊断信息可以通过串行接口读取。AMT49502按照ISO 26262开发，作为硬件安全元件，具有ASIL B能力（待评估），在集成并按照适用的安全应用说明和数据手册中规定的方式使用时，可用于汽车安全相关系统。

1+
￥44.75
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￥38.13
30+
￥34.1

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型号：6EDL04I06NT 编号：C3655021

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。

1+
￥50.21
10+
￥43.49
30+
￥39.4

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型号：NCP81155MNTXG 编号：C173765

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81155 是一款高性能双 MOSFET 门极驱动器，采取小巧的 3 mm x 3 mm 封装，经过优化，可驱动降压或降压-升压应用中的高压侧和低压侧电源 MOSFET。电源电压较低时，VCC UVLO 可确保 MOSFET 关闭。检测到 UVLO 故障时，双向启用引脚会向控制器提供故障信号。

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9000+
￥1.181595
18000+
￥1.17095
27000+
￥1.14966

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型号：SLM27211CB-DG 编号：C5374696

封装：SOP-8-EP

品牌：Sillumin(数明半导体)

120V高低边驱动，不带互锁，VDD：8-17V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA,MT:30ns

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￥1.87
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￥1.82
30+
￥1.78
100+
￥1.75

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型号：ISL6208CBZ-T 编号：C2677051

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

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1+
￥3.51
10+
￥3.42
30+
￥3.36

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型号：FD6287T 编号：C2688380

封装：TSSOP-20

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD6287T是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET设计，可在高达 +250V 电压下工作。FD6287T内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD6287T内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET直通，有效保护功率器件。FD6287T内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。

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￥4.47
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￥3.53
30+
￥3.06
100+
￥2.6
500+
￥2.32
1000+
￥2.17

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型号：ISL6208BCRZ-T 编号：C2677084

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

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1+
￥5.24
10+
￥5.13
30+
￥5.05

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型号：IR2108STRPBF 编号：C2964

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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10+
￥4.3335
100+
￥4.173
200+
￥3.852
1000+
￥3.6915
2000+
￥3.531

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型号：IR2304PBF 编号：C520669

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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￥7.97
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￥7.8
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￥7.69

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型号：1ED3124MC12HXUMA1 编号：C17365056

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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