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DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

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型号：LM25101ASD-1/NOPB 编号：C2677006

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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型号：DRV8245PQPWPRQ1 编号：C5355901

封装：HTSSOP-28

DRV8245-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、32A H 桥驱动器

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型号：MASTERGAN4LTR 编号：C22071978

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

一款先进的功率系统级封装产品，集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能，防止功率开关在低效率或危险条件下运行，联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。

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型号：LMG3411R150RWHR 编号：C1858368

封装：VQFN-32-EP(8x8)

LMG3411R150 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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型号：IR2130JPBF 编号：C537570

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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型号：DGD0506AM10-13 编号：C460681

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD0506A是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。DGD0506A的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器（MCU）连接

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型号：ADP3120AJRZ-RL 编号：C393363

封装：SO-8

ADP3120A是一款单相12 V MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。高端和低端驱动器能够驱动3000 pF负载，传播延迟为45 ns，转换时间为25 ns。凭借较宽的工作电压范围，可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化，以实现最佳效率

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型号：2ED28073J06F 编号：C533056

封装：DSO-8

是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。

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型号：HIP2211FR8Z 编号：C20350731

封装：DFN-8(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：TLE94103EPXUMA1 编号：C2653457

封装：TSDSO-14

TLE94103EP是一款受保护的三路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用（如后视镜x-y调节）而设计。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出、具有直接接口或SPI接口的半桥驱动器。这些半桥驱动器用于在顺序或并行操作中驱动直流电机负载

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型号：UCC27201D 编号：C544969

封装：SOIC-8

高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器，具有独立输入，可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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型号：NCD5703ADR2G 编号：C904336

封装：SOIC-8

NCx5703y 是用于高功率应用的大电流、高性能独立 IGBT 驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源漏极开路故障输出

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型号：UCC21331CQDRQ1 编号：C33864209

封装：SOIC-16

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，该器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

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型号：UCC21331CDR 编号：C33214817

封装：SOIC-16

UCC21331是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。

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型号：NCP5304DR2G 编号：C464048

封装：SOIC-8

NCP5304 是一款高压功率门极驱动器驱动器，提供两种输出，用于半桥配置中的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 个独立输入，带交叉导通保护。

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型号：UCC27201DRMT 编号：C2677129

封装：VSON-8(4x4)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：L6387ED 编号：C155554

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

L6387E是一款简单紧凑的高压栅极驱动器，能够驱动由功率MOSFET或IGBT器件构成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。两个器件输出端分别可独立吸入650 mA电流和提供400 mA电流，由于集成了互锁功能，两个输出端无法同时置为高电平

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型号：L6386ADTR 编号：C2677052

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：ISL6208CRZ-T 编号：C3655341

封装：QFN-8(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案

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型号：HIP4082IBZ 编号：C1549293

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4082是一款中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动IC，提供16引脚塑料SOIC (N)和DIP封装。HIP4082 H桥驱动器专门针对PWM电机控制和UPS应用，使基于桥接的设计变得简单灵活。该器件工作电压高达80V，最适合中等功率水平的应用

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型号：LTC7060JMSE#PBF 编号：C690116

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：IR3598MTRPBF 编号：C537687

封装：QFN-16-EP(3x3)

单16引脚QFN封装的双MOSFET驱动器降压转换器驱动器，输入电压4.0至13.2Vdc 多模式操作，可将驱动器配置为双路或倍压/交错模式驱动器

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型号：LTC4449IDCB#TRPBF 编号：C688595

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：UCC21540QDWKRQ1 编号：C2878537

封装：SOIC-14P-300mil

具有 8V UVLO 和 3.3mm 通道间距的汽车类 5.7kVRMS、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器 14-SOIC -40 to 125

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型号：NCV7547MWTXG 编号：C904661

封装：QFN-48-EP(7x7)

NCV7547 可编程七沟道半桥 MOSFET 预驱动器属于 FLEXMOS 汽车级产品系列，用于驱动逻辑电平 NMOS FET。该产品可通过串行 SPI 和兼容 CMOS 的并行输入组合控制。该预驱动器提供对于 MOSFET 的高级控制和保护。该器件和应用诊断数据通过 SPI 进行通信。

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型号：2ED21084S06JXUMA1 编号：C3655642

封装：SOIC-14