半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：VSON-8(4x4)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：UCC27201AQDMKRQ1 编号：C2861728

封装：VSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 10-VSON -40 to 125

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型号：ICL7667CPA+ 编号：C1549284

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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型号：UCC21540AQDWKRQ1 编号：C5216315

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21540-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21540-Q1 器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 V/ns。保护功能包括：可通过电阻器编程的死区时间；通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200 ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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型号：LM5102SDX/NOPB 编号：C2862578

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：HIP4082IBZ 编号：C1549293

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4082是一款中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动IC，提供16引脚塑料SOIC (N)和DIP封装。HIP4082 H桥驱动器专门针对PWM电机控制和UPS应用，使基于桥接的设计变得简单灵活。该器件工作电压高达80V，最适合中等功率水平的应用

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型号：MAX5064BATC+T 编号：C2677260

封装：TQFN-12-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

特性：高达125V输入操作。 8V至12.6V VDD输入电压范围。 2A峰值源电流和灌电流驱动能力。应用：电信半桥电源

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型号：DRV8244SQDGQRQ1 编号：C6225657

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

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型号：LM25101ASD-1/NOPB 编号：C2677006

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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型号：DRV8245PQPWPRQ1 编号：C5355901

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8245-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、32A H 桥驱动器

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型号：ISL2111ABZ 编号：C1524111

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：DRV3233QPHPRQ1 编号：C48385505

封装：HTQFP-48

品牌：TI(德州仪器)

是一款集成式智能栅极驱动器，适用于12V和24V汽车类三相BLDC应用。此器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。使用集成式自举二极管和GVDD电荷泵生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持0.8mA至1A（拉电流）和2A（灌电流）的可配置峰值栅极驱动电流

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型号：LMG3411R150RWHR 编号：C1858368

封装：VQFN-32-EP(8x8)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3411R150 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥3.015773 / 个

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型号：FAN3268TMX 编号：C464150

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3268 双 2A 门极驱动器适用于在以最高 18 V 的电压轨运行的电机控制应用中驱动高压侧 P 沟道 MOSFET 和低压侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具有 TTL 输入阈值，提供从逻辑输入的缓冲和电平转换功能。内部电路提供欠电压锁闭功能，可在 VDD 电源电压低于运行水平时阻止输出开关设备运行。内部 100kΩ 电阻会将非反向输出低电平和反向输出偏置到 VDD，以便在启动间隔期间，逻辑控制信号不存在时保持外部 MOSFET 的关断状态。FAN3268 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3268 具有两个独立的启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。如果用于非反向沟道 A 的启用引脚拉低，OUTA 则强制为低电平；如果用于反向沟道 B 的启用引脚拉低，OUTB 则强制为高电平。如果一个输入保持未联接，内部电阻则会偏置多个输入，以便外部 MOSFET 为关断状态。

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型号：TLE94103EPXUMA1 编号：C2653457

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94103EP是一款受保护的三路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用（如后视镜x-y调节）而设计。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出、具有直接接口或SPI接口的半桥驱动器。这些半桥驱动器用于在顺序或并行操作中驱动直流电机负载

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型号：IR25606STRPBF 编号：C537639

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：UCC27201D 编号：C544969

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器，具有独立输入，可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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型号：IRS2304PBF 编号：C538317

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：NCD5703ADR2G 编号：C904336

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx5703y 是用于高功率应用的大电流、高性能独立 IGBT 驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源漏极开路故障输出

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型号：L6390D 编号：C2965457

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6390是一款采用BCD“离线”技术制造的全功能高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分能够在高达600 V的电压轨下工作

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型号：TF21844-3BS 编号：C6387920

封装：PDIP-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IR2181STRPBF 编号：C37524

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：AUIRS21814STR 编号：C533512

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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1+
￥12.69
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￥12.37
30+
￥12.16

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型号：UCC27201DRMT 编号：C2677129

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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1+
￥14.62
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￥12.46
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￥11.11

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型号：ADUM7223ACCZ 编号：C662207

封装：LGA-13(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
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￥14.52

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型号：HIP2103FRTAAZ 编号：C1549569

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高频率MOSFET驱动器，优化用于在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET，有HI/LI输入或单PWM输入。由单个低压电源（5V）偏置，可减少在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗，能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器采用内部低正向压降二极管实现自举，降低实施成本和复杂性，允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护，防止两个MOSFET同时导通

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1+
￥15.84
10+
￥15.47
30+
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型号：IR2153SPBF 编号：C537596

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出

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1+
￥16.23
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￥13.65
30+
￥12.04

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型号：IR2111SPBF 编号：C2970

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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