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高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：IR21531SPBF 编号：C537595

封装：SOIC-8

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

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型号：LM5105SD/NOPB 编号：C86253

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：L6395DTR 编号：C2676993

封装：SO-8

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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型号：IR2153SPBF 编号：C537596

封装：SOIC-8

IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出

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型号：IR2106PBF 编号：C537545

封装：PDIP-8

IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：UCC27301ADRCR 编号：C41498904

封装：VSON-10-EP(3x3)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

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型号：UCC27200D 编号：C181386

封装：SOIC-8

UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管，以及具有独立输入的高端和低端驱动器，可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制，且导通和关断时间匹配精度达1ns

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型号：LM5101BMAX/NOPB 编号：C2677266

封装：SOIC-8

LM5101B 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：2ED2748S01GXTMA1 编号：C6404744

封装：VSON-10(3x3)

基于SOI技术、耐压160 V的栅极驱动器，专为半桥无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定

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型号：L6398DTR 编号：C2676941

封装：SO-8

L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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型号：UCC27210DRMR 编号：C2677330

封装：VSON-8-EP(4x4)

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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型号：UCC21541DWR 编号：C2863515

封装：SOIC-16-7.4mm

具有 8V UVLO、双输入、禁用引脚、采用 DW 封装的 5.7kVrms、1.5A/2.5A 双通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125

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型号：SM74104SDX/NOPB 编号：C2677238

封装：WSON-10-EP(4x4)

SM74104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 1.8A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：ISL78444AVEZ-T7A 编号：C2677024

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78424、ISL78434和ISL78444是汽车级（AEC - Q100 1级）高压、高频半桥NMOS FET驱动器，用于驱动最高70V的半桥拓扑的栅极。该系列半桥驱动器具有3A源极、4A灌极的峰值栅极驱动电流。ISL78424和ISL78444具有单个三电平PWM输入，用于控制两个栅极驱动器

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型号：TD352IDT 编号：C155594

封装：SOIC-8

先进的IGBT/MOSFET驱动器

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型号：DRV8714HQRHARQ1 编号：C3655398

封装：VQFN-40(6x6)

DRV8714-Q1 具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、4 通道半桥智能栅极驱动器

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型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：DRV8932PRGER 编号：C2876703

封装：VQFN-24-EP(4x4)

DRV8932 具有电流检测功能的 35V、1A 四通道独立半桥驱动器

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型号：LM5102MM/NOPB 编号：C2676954

封装：VSSOP-10-0.5mm

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：UCC21550AQDWRQ1 编号：C36522665

封装：SOIC-16

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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型号：UCC27201ADRMR 编号：C2876552

封装：VSON-8(4x4)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：UCC27201AQDMKRQ1 编号：C2861728

封装：VSON-10(4x4)

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器 10-VSON -40 to 125

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型号：ISL2111ABZ 编号：C1524111

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：LTC4444IMS8E#TRPBF 编号：C688583

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：UCC21222QDQ1 编号：C1549343

封装：SOIC-16

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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型号：UCC21540AQDWKRQ1 编号：C5216315

封装：SOIC-14-300mil