半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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型号：L6491D 编号：C155653

封装：SO-14

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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型号：IRS2308SPBF 编号：C538319

封装：SOIC-8

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：DRV8300UDPWR 编号：C7172549

封装：TSSOP-20

DRV8300U 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V（最大值）简单三相栅极驱动器

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型号：DGD2181MS8-13 编号：C5711497

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2181M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2181M的高端在自举操作中可切换至600V。DGD2181M逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口

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型号：UCD7232RTJR 编号：C2867675

封装：QFN-20-EP(4x4)

具有电流感应和故障保护功能的数字控制兼容同步降压闸极驱动器 20-QFN -40 to 125

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型号：1ED3121MC12HXUMA1 编号：C17497486

封装：SOIC-8

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：L6386AD 编号：C1549500

封装：SO-14

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：UCC27284DRMR 编号：C7089352

封装：VSON-8(4x4)

是一款耐用的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100 V。它允许在半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使得在MOSFET米勒平台过渡期间，能够以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入独立于电源电压，可与模拟和数字控制器配合使用

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型号：L6384ED 编号：C1549316

封装：SOP-8

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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型号：IR21094SPBF 编号：C537551

封装：SOIC-14

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：NCP1392BDR2G 编号：C457690

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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型号：FAN8811TMPX 编号：C890862

封装：WDFN-10-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

是一款用于高压、高速驱动MOSFET的高端和低端栅极驱动IC，可驱动高达80V的MOSFET。该IC集成了驱动IC和自举二极管，驱动IC具有低延迟时间和匹配的PWM输入传播延迟，进一步提高了性能。高速双栅极驱动器设计用于在半桥或同步降压配置中驱动N沟道MOSFET的高端和低端。浮动高端驱动器能够在高达80V的电源电压下工作

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型号：L6494LDTR 编号：C2677273

封装：SO-14

高压高侧和低侧2 A栅极驱动器

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型号：2EDF7235KXUMA1 编号：C2677067

封装：DSO-16

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：IR21531SPBF 编号：C537595

封装：SOIC-8

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

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型号：DGD2136MS28-13 编号：C2677189

封装：SOIC-28-300mil

品牌：DIODES(美台)

是一款三相栅极驱动IC，专为高压/高速应用而设计，以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使高端在自举操作中可切换至600V。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口，且低电平使能，以便在高噪声环境中更好地工作。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通

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型号：2ED2748S01GXTMA1 编号：C6404744

封装：VSON-10(3x3)

基于SOI技术、耐压160 V的栅极驱动器，专为半桥无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定

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型号：UCC27301ADRCR 编号：C41498904

封装：VSON-10-EP(3x3)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

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型号：2EDS7165HXUMA1 编号：C5496118

封装：SOIC-16-300mil