半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性和双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出，以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。

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型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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型号：L6395DTR 编号：C2676993

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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型号：IRS2184SPBF 编号：C1549306

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：UCC27211DPRT 编号：C2866951

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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型号：IR2109PBF 编号：C537552

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR2010SPBF 编号：C537537

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。

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型号：L6388ED 编号：C1549313

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：LM5101BMAX/NOPB 编号：C2677266

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101B 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：L6398DTR 编号：C2676941

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨

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型号：UCC21541DWR 编号：C2863515

封装：SOIC-16-7.4mm

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO、双输入、禁用引脚、采用 DW 封装的 5.7kVrms、1.5A/2.5A 双通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125

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型号：MP1923GRE-Z 编号：C5775673

封装：QFN-10(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

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型号：STDRIVE601TR 编号：C5223633

封装：SO-28

品牌：ST(意法半导体)

三半桥高压栅极驱动器

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型号：MP18851-A4BGLU-Z 编号：C20099536

封装：LGA-13(5x5)

品牌：MPS(芯源)

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型号：IR2184SPBF 编号：C537610

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：NCP303150MNTWG 编号：C892344

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

集成式驱动器和 MOSFET，带集成式电流监控器

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型号：MP18851-A4BGY-Z 编号：C20099539

封装：SOIC-16

品牌：MPS(芯源)

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型号：LTC7060HMSE#PBF 编号：C690112

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：LCS700LG 编号：C568297

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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型号：2ED1324S12PXUMA1 编号：C20189643

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED132x系列器件可控制IGBT或SiC MOSFET功率器件，在半桥配置中，其最大阻断电压为+1200 V。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁效应具有很强的抵抗力

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型号：MIC4102YM-TR 编号：C628004

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款高频100V半桥MOSFET驱动IC，具有内部抗直通保护功能。低侧和高侧栅极驱动器由一个输入信号控制。采用自适应抗直通电路，优化开关转换以实现最高效率。单输入控制降低了系统复杂性，简化了整体设计。还具有低侧驱动禁用引脚，可在非同步降压模式下工作，能在存在偏置电压的应用中启动而不会拉低输出电压。低侧和高侧电源的欠压保护会使输出为低电平。片上自举二极管消除了其他驱动IC所需的分立二极管。采用SOIC-8L封装，结工作范围为-40℃至 + 125℃。

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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型号：LCS700HG 编号：C568296

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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￥41.0552 ￥54.02
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型号：XJNG2302 编号：C48542889

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相栅极驱动IC，可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。

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型号：IRS21867STR(UMW) 编号：C20623204

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS21867S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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型号：GR8853AJG 编号：C436826

封装：DIP-8

品牌：Grenergy(南京绿芯)

GR8853A是一款高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器，具备高端和低端参考输出通道。其采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。前端配备一个可编程振荡器，类似于555定时器

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型号：TF2103-3AS 编号：C6387921

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS2302SPBF 编号：C538315

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IRS2001STRPBF 编号：C495819

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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