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NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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型号：ADUM7223ACCZ 编号：C662207

封装：LGA-13(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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型号：UCC21542DWKR 编号：C5216324

封装：SOIC-14-300mil

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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型号：NCV5703ADR2G 编号：C603971

封装：SOIC-8

是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性和双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出，以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。

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型号：DGD2136MS28-13 编号：C2677189

封装：SOIC-28-300mil

品牌：DIODES(美台)

是一款三相栅极驱动IC，专为高压/高速应用而设计，以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使高端在自举操作中可切换至600V。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口，且低电平使能，以便在高噪声环境中更好地工作。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通

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型号：IR2010SPBF 编号：C537537

封装：SOIC-16-300mil

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。

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型号：LM5104M 编号：C3655540

封装：SOIC-8

LM5104 具有 8V UVLO 和自适应延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：IR2184SPBF 编号：C537610

封装：SOIC-8

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：L6571BD013TR 编号：C2970271

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

带振荡器的高压半桥驱动器

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型号：STDRIVE601TR 编号：C5223633

封装：SO-28

品牌：ST(意法半导体)

三半桥高压栅极驱动器

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型号：MIC4102YM-TR 编号：C628004

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款高频100V半桥MOSFET驱动IC，具有内部抗直通保护功能。低侧和高侧栅极驱动器由一个输入信号控制。采用自适应抗直通电路，优化开关转换以实现最高效率。单输入控制降低了系统复杂性，简化了整体设计。还具有低侧驱动禁用引脚，可在非同步降压模式下工作，能在存在偏置电压的应用中启动而不会拉低输出电压。低侧和高侧电源的欠压保护会使输出为低电平。片上自举二极管消除了其他驱动IC所需的分立二极管。采用SOIC-8L封装，结工作范围为-40℃至 + 125℃。

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型号：2ED1323S12PXUMA1 编号：C20189642

封装：-

控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，有力支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。

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型号：LM5101CSD/NOPB 编号：C1880281

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5101C 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：ICL7667CPA+ 编号：C1549284

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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型号：2ED1324S12PXUMA1 编号：C20189643

封装：DSO-20

2ED132x系列器件可控制IGBT或SiC MOSFET功率器件，在半桥配置中，其最大阻断电压为+1200 V。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁效应具有很强的抵抗力

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型号：LCS700LG 编号：C568297

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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型号：LCS700HG 编号：C568296

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

HiperLCS™ 是一款集成式 LLC 功率级产品，在半桥配置中集成了多功能控制器、高端和低端栅极驱动器以及两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压（ZVS）条件下切换功率 MOSFET 来实现高效率，消除了开关损耗。

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型号：UCC21521CDWR 编号：C189707

封装：SOIC-16-300mil

UCC21521 具有使能端的 4A/6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器

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型号：LCS708HG 编号：C568305

封装：SIP-13

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

是集成 LLC 功率级，采用多功能控制器、高端和低端栅极驱动器，以及半桥配置的两个功率 MOSFET。可变频率控制器通过在零电压 (ZVS) 下切换功率 MOSFET 来提供高效率，消除开关损耗。

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型号：UCC5870QDWJRQ1 编号：C2873577

封装：SSOP-36

UCC5870-Q1器件是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，旨在驱动电动汽车（EV）/混合动力汽车（HEV）应用中的高功率碳化硅（SiC）MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。功率晶体管保护功能，如基于分流电阻的过流保护、基于负温度系数（NTC）热敏电阻的过温保护和退饱和（DESAT）检测，在出现这些故障时可选择软关断或两级关断。为进一步减小应用尺寸，UCC5870-Q1在开关过程中集成了一个4A有源密勒钳位电路，并在驱动器无电源时提供有源栅极下拉功能。集成的10位模数转换器（ADC）可监控多达六个模拟输入和栅极驱动器温度，以增强系统管理能力。集成了诊断和检测功能，以简化符合汽车安全完整性等级D（ASIL-D）的系统设计。这些功能的参数和阈值可通过串行外设接口（SPI）进行配置，使该器件几乎可与任何SiC MOSFET或IGBT配合使用。

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型号：U3116C 编号：C20626025

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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型号：ADP3120AJCPZ-RL 编号：C606336

封装：DFN-8-EP(3x3)

ADP3120A是一款单相12 V MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。高端和低端驱动器能够驱动3000 pF负载，传播延迟为45 ns，转换时间为25 ns。凭借较宽的工作电压范围，可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化，以实现最佳效率

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型号：UCC27289DR 编号：C2870124

封装：SOIC-8

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET；在 DRC 封装中启用/禁用功能；禁用时消耗的电流很低 (7μA)；16ns 典型传播延迟；1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns；1ns 典型延迟匹配；集成式 100V 自举二极管；8V 典型欠压锁定；输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)；HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V)；±3A 峰值输出电流；绝对最大启动电压为 120V；输入相互独立且 VDD；两个通道的欠压锁定；额定结温范围为 –40°C 至 140°C。

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型号：MIC4605-2YM 编号：C637550

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：FAN3268TMX 编号：C464150

封装：SOIC-8

FAN3268 双 2A 门极驱动器适用于在以最高 18 V 的电压轨运行的电机控制应用中驱动高压侧 P 沟道 MOSFET 和低压侧 N 沟道 MOSFET。该驱动器具有 TTL 输入阈值，提供从逻辑输入的缓冲和电平转换功能。内部电路提供欠电压锁闭功能，可在 VDD 电源电压低于运行水平时阻止输出开关设备运行。内部 100kΩ 电阻会将非反向输出低电平和反向输出偏置到 VDD，以便在启动间隔期间，逻辑控制信号不存在时保持外部 MOSFET 的关断状态。FAN3268 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3268 具有两个独立的启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。如果用于非反向沟道 A 的启用引脚拉低，OUTA 则强制为低电平；如果用于反向沟道 B 的启用引脚拉低，OUTB 则强制为高电平。如果一个输入保持未联接，内部电阻则会偏置多个输入，以便外部 MOSFET 为关断状态。

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型号：DRV8106HQRHBRQ1 编号：C3655393

封装：VQFN-32(5x5)

DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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型号：L6491D 编号：C155653

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

高压高侧和低侧4 A栅极驱动器

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型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288

封装：SOIC-14