半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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型号：MP1923GRE-Z 编号：C5775673

封装：QFN-10(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP1923是一款高频N沟道MOSFET半桥栅极驱动器。该器件的低端MOSFET（LS - FET）和高端MOSFET（HS - FET）驱动通道可独立控制，且延时匹配在5ns以内。在供电不足的情况下，器件的高端MOSFET和低端MOSFET欠压锁定（UVLO）保护会强制输出为低电平

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型号：MP86950GLVT-Z 编号：C6097231

封装：TLGA-27(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP86950 是一款单片半桥芯片，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86950 在 4.5V 至 16V 的宽输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86950 是一款单片集成电路，每相可驱动高达 50A 的电流。集成的 MOSFET 和驱动器通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86950 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86950 具备诸多特性，可简化系统设计。MP86950 与三态脉冲宽度调制（PWM）信号控制器兼容，拥有 Accu - SenseTM 电流检测功能以监测电感电流，还具备温度检测功能以报告结温。MP86950 非常适合对高效率和小尺寸要求严苛的服务器应用。MP86950 采用小型 TLGA - 27（4mmx5mm）封装。

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￥24.1679
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型号：ISL78420AVEZ 编号：C1549366

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78420是一款具备三电平PWM输入的100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器。其工作电源范围为8V至14V，并集成了高端自举偏置，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错式升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用

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型号：LM25101AMX/NOPB 编号：C575561

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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型号：AUIRS2191STR 编号：C533514

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2191S是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道，专为汽车AC/DC和DC/DC转换器应用而设计。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。

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￥27.8388 ￥37.62
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型号：DRV8955PRGER 编号：C3654929

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动器

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型号：LTC7061EMSE#PBF 编号：C3717111

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。

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型号：LTC7060HMSE#PBF 编号：C690112

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：IR2181SPBF 编号：C537604

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：DRV8244HQDGQRQ1 编号：C6183904

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8244-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、21A H 桥驱动器

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型号：IR2130SPBF 编号：C537572

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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型号：L99MH98-TR 编号：C37964754

封装：VFQFPN-48L-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是一款集成式八通道半桥预驱动器，可控制多达16个N沟道MOSFET。用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制等。使用24位串行外设接口（SPI）配置和控制八个半桥或四个H桥。SPI状态寄存器提供高级诊断信息，如电源电压监控、电荷泵电压监控、温度警告和过温关断

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型号：MAX15019BASA+ 编号：C1549287

封装：SOIC-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

125V/3A、高速、半桥MOSFET驱动器、增强散热型、8引脚SO封装，能够在+70°C环境温度下耗散1.9W功率

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型号：MP86905GR-Z 编号：C3655435

封装：QFN-23(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP86905 是一款单片半桥芯片，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86905 在较宽的输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86905 采用单片 IC 方案，每相可驱动高达 50A 的电流。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86905 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86905 具备诸多特性，可简化系统设计。MP86905 可与具有三态 PWM 信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86905 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。MP86905 采用小型 FC - QFN（4mmx4mm）封装。

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￥50.5477
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型号：ISL2110ABZ 编号：C1549676

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：XJNG2302 编号：C48542889

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相栅极驱动IC，可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。

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￥2.65
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型号：GR8853AJG 编号：C436826

封装：DIP-8

品牌：Grenergy(南京绿芯)

GR8853A是一款高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器，具备高端和低端参考输出通道。其采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。前端配备一个可编程振荡器，类似于555定时器

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型号：NCP5901BDR2G 编号：C603757

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能操作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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型号：COS2113PBF 编号：C7501648

封装：DIP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5峰值拉/灌电流

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型号：TF2103-3AS 编号：C6387921

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：IRS2302SPBF 编号：C538315

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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￥6.21
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型号：NCV51513ABMNTWG 编号：C5209111

封装：DFNW-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV51513是一款130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟，静态电流低，且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制

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￥6.31
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￥6.21

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型号：L6391DTR 编号：C5267661

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

L6391是一款采用BCD “离线式”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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￥7.34
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￥7.15
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￥7.03

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型号：2ED21844S06JXUMA1 编号：C1850283

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11V DC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

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￥8.68
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￥8.47
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型号：MIC4605-2YM-TR 编号：C628052

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款85V半桥MOSFET驱动器，具有自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路可主动监控半桥输出，以最小化高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高电源效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声同时开启两个MOSFET。还提供5.5V至16V的宽工作电源范围，以最大限度提高系统效率

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￥9.59
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型号：MIC4605-1YMT-TR 编号：C621919

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：IR2302STRPBF 编号：C148147

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥7.903332
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￥7.184808

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型号：UCC21551ADWKR 编号：C41835252

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UCC21551x 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。UCC21551x 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些高级特性，UCC21551x 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

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型号：UCC27200DDAR 编号：C2677208

封装：SOIC-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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