半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。

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型号：MASTERGAN4LTR 编号：C22071978

封装：QFN-31(9x9)

一款先进的功率系统级封装产品，集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能，防止功率开关在低效率或危险条件下运行，联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。

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型号：MP86905GR-Z 编号：C3655435

封装：QFN-23(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP86905 是一款单片半桥芯片，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86905 在较宽的输入电源范围内可实现 50A 的连续输出电流。MP86905 采用单片 IC 方案，每相可驱动高达 50A 的电流。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感，实现了高效率。MP86905 的工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。MP86905 具备诸多特性，可简化系统设计。MP86905 可与具有三态 PWM 信号的控制器配合使用，并配备精确的电流检测功能以监测电感电流，以及温度检测功能以报告结温。MP86905 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器应用。MP86905 采用小型 FC - QFN（4mmx4mm）封装。

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型号：IGI60F2727A1LAUMA1 编号：C21798351

封装：-

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型号：ISL2110ABZ 编号：C1549676

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：IGI60F2020A1LAUMA1 编号：C21615397

封装：-

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型号：PWD13F60 编号：C2969893

封装：VQFN-28-Power

高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器

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型号：LM5109BMAX/NOPB 编号：C116862

封装：SOIC-8

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：LM2101DSGR 编号：C31003035

封装：WSON-8(2x2)

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型号：NCP5901BDR2G 编号：C603757

封装：SOIC-8

NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能操作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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型号：DGD05463M10-13 编号：C6021630

封装：MSOP-10

品牌：DIODES(美台)

DGD05463是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压最高可达50V。DGD05463逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与微控制器接口

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型号：NCV57201DR2G 编号：C2902041

封装：SOIC-8

是一款高压栅极驱动器，具有一个非隔离低端栅极驱动器和一个电流隔离高端或低端栅极驱动器。它可以在半桥配置中直接驱动两个IGBT。隔离高端驱动器可以由隔离电源供电，也可以通过自举技术从低端电源供电。高端栅极驱动器的电流隔离保证了在高达800V、高dv/dt下工作的IGBT在高功率应用中的可靠开关。优化的输出级有助于降低IGBT损耗。其特性包括两个独立输入、精确的不对称欠压锁定和短且匹配的传播延迟。工作时VDD/VBS最高可达20V。

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型号：NCV51513ABMNTWG 编号：C5209111

封装：DFNW-10(3x3)

NCV51513是一款130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟，静态电流低，且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制

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型号：NCD57200DR2G 编号：C904341

封装：SOIC-8

NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电，也可借助自举技术由低端电源供电

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型号：L6391DTR 编号：C5267661

封装：SO-14

L6391是一款采用BCD “离线式”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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型号：DGD2103MS8-13 编号：C460691

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2103M是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2103M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2103M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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型号：2ED2304S06F 编号：C533055

封装：DSO-8

2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。

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型号：2ED21844S06JXUMA1 编号：C1850283

封装：SOIC-14

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11V DC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

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型号：IR2302STRPBF 编号：C148147

封装：SOIC-8

IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：UCC27201AD 编号：C1549352

封装：SOIC-8

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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型号：UCC27712QDQ1 编号：C1549541

封装：SOIC-8

具有互锁功能的汽车类 1.8A/2.8A、620V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140

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型号：FAN7382M1X 编号：C457737

封装：SOP-14

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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型号：MIC4605-1YMT-TR 编号：C621919

封装：TDFN-10-EP(2.5x2.5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4605是一款85V半桥MOSFET驱动器，具备自适应死区时间和直通保护功能。自适应死区时间电路会主动监测半桥输出，以尽量缩短高端和低端MOSFET转换之间的时间，从而最大限度提高功率效率。直通保护电路可防止错误输入和噪声导致两个MOSFET同时导通

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型号：UCC27200DDAR 编号：C2677208

封装：SOIC-8-EP

具有 8V UVLO 和 CMOS 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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型号：L6571BD 编号：C1549378

封装：SOIC-8

带振荡器的高压半桥驱动器

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型号：ISL2111ABZ-T 编号：C695277

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：UCC21330BDR 编号：C30658397

封装：SOIC-16

UCC21330 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。UCC21330 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些高级特性，UCC21330 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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型号：UCC27302ADDAR 编号：C49345244

封装：SO-PowerPAD-8

是一款坚固的栅极驱动器，设计用于在半桥或同步降压配置中驱动两个N沟道MOSFET，绝对最大自举电压为120V。其3.7A峰值源电流和4.5A峰值灌电流能力，使该驱动器能够驱动大功率MOSFET，并在通过米勒平台的过渡期间将开关损耗降至最低。开关节点（HS引脚）可以处理负瞬态电压，从而保护高端通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。输入与电源电压无关，能够承受-10V至+20V的绝对最大额定值

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型号：UCC21542DWKR 编号：C5216324

封装：SOIC-14-300mil