半桥驱动器_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM5101ASDX/NOPB 编号：C2860818

封装：WSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥10.08
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￥8.55
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型号：DGD21814S14-13 编号：C460703

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

DGD21814是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD21814的高端在自举操作中可切换至600V。DGD21814的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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1+
￥10.4902 ￥17.78
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￥7.4333 ￥15.17
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￥4.2081 ￥10.79

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型号：IR2108PBF 编号：C537548

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥10.8275 ￥15.25
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￥7.3746 ￥14.46

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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1+
￥10.92
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￥9.7188 ￥10.68
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型号：TPS28225TDRQ1 编号：C2677049

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS28225-Q1 具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器

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型号：DGD2304S8-13 编号：C460710

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

DGD2304是一款高压/高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2304的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2304逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备连接

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￥11.13
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￥9.38
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型号：DRV8106SQRHBRQ1 编号：C2868243

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。

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￥11.05
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型号：UCC21331CDR 编号：C33214817

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21331是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。

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型号：2ED3141MC12LXUMA1 编号：C28927937

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动 Si、SiC 和 IGBT 功率开关。所有产品均采用 14 引脚 DSO 封装，输入到输出爬电距离为 8 mm，并提供加强绝缘。所有型号均具备死区时间控制（DTC）功能和独立通道操作

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型号：MCP14A0303T-E/SN 编号：C622963

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP14A0303/4/5 器件是高速双 MOSFET 驱动器，在单 4.5V 至 18V 电源供电下，能够提供高达 3A 的峰值电流。有三种输出配置可供选择：双反相（MCP14A0303）、双同相（MCP14A0304）和互补（MCP14A0305）。这些器件具有低直通电流、匹配的上升和下降时间以及短传播延迟的特点，非常适合高开关频率应用

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￥14.48
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￥10.93
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型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125

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￥16.63
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型号：UCC27302AQDRCRQ1 编号：C50092305

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥17.06
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￥16.64
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型号：UCC27211AQDRQ1 编号：C41699701

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

驱动器相比其他产品具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至3.7A拉电流和4.5A灌电流，因此可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC电压，这提高了器件的稳健性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外，输入还独立于电源电压，且具有20V的最大额定值

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型号：MP1924AHS-LF-Z 编号：C5675613

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP1924A是一款高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，且延时匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源不足时会强制输出为低电平

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￥18.0235
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￥16.2212
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￥14.5007

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型号：UCC21330ADR 编号：C41498903

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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1+
￥18.14
10+
￥16.02
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型号：STDRIVEG610QTR 编号：C43079849

封装：QFN-18(4x5)

品牌：ST(意法半导体)

是用于N沟道增强型氮化镓（GaN）的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO，使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定（UVLO）功能，同时完全支持硬开关并具有互锁功能，以避免交叉导通

1+
￥18.18
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型号：LM5105SDX/NOPB 编号：C2677073

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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￥18.28
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￥15.6
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￥14

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型号：HIP2210FRTZ 编号：C20350729

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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￥18.41
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型号：UCC27201ADPRR 编号：C2864194

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

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1+
￥18.68
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￥18.23
30+
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型号：UCC27282QDDARQ1 编号：C3655041

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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1+
￥19.22
10+
￥18.75
30+
￥18.43

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型号：1ED3120MC12HXUMA1 编号：C5311646

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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1+
￥19.64
10+
￥16.69
30+
￥14.94

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型号：MPQ6626GF-AEC1-Z 编号：C5776047

封装：TSSOP-28-EP

品牌：MPS(芯源)

MPQ6626 是一款 6 通道半桥 DMOS 输出驱动器，集成了功率 MOSFET。输入电压范围为 5.5V 至 40V，输出电流能力高达 0.8A。MPQ6626 的六个半桥可通过标准串行数据接口单独控制，并具备多种诊断功能。该器件在待机模式下的静态电流极低。全面保护功能包括短路保护（SCP）、欠压保护（UVP）和热关断。MPQ6626 仅需少量易于获取的标准外部元件。它采用 TSSOP - 28 EP 封装。

1+
￥21.0547
50+
￥18.9247
100+
￥17.2862

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型号：STDRIVE601 编号：C2961092

封装：SO-28-300mil

品牌：ST(意法半导体)

三半桥高压栅极驱动器

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1+
￥21.33
10+
￥18.44
50+
￥16.73

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型号：UCC27284QDRQ1 编号：C3654891

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。由于具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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1+
￥22.71
10+
￥22.16
30+
￥21.8

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型号：AUIRS2191STR 编号：C533514

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2191S是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道，专为汽车AC/DC和DC/DC转换器应用而设计。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。

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1+
￥24.453 ￥37.62
10+
￥20.691 ￥37.62
30+
￥16.929 ￥37.62

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型号：LM25101AMX/NOPB 编号：C575561

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM25101 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、2A 或 1A 半桥栅极驱动器

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1+
￥25.36
10+
￥24.73
30+
￥24.31

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型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。

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1+
￥28.96
10+
￥28.23
30+
￥27.75

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型号：LM5101AMRX/NOPB 编号：C2677212

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥31.8
10+
￥27.08
30+
￥24.2

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型号：DRV8955PRGER 编号：C3654929

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动器

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1+
￥33.06
10+
￥28.18
30+
￥25.28

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型号：IR2130SPBF 编号：C537572

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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