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带自举二极管的高压高低侧驱动器

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型号：IR21084STRPBF 编号：C537547

封装：SOIC-14

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：L6395D 编号：C1549486

封装：SO-8

L6395是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片高低侧栅极驱动器。高侧（浮动）部分设计为可承受高达600 V的电压轨

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型号：2EDL23I06PJXUMA1 编号：C2676931

封装：DSO-14

2EDL系列器件可在半桥配置中控制最大阻断电压为+600 V的MOS晶体管或IGBT等功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受能力，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象

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型号：2EDS7165HXUMA1 编号：C5496118

封装：SOIC-16-300mil

EiceDRIVERTM 2EDi是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，2EDi特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOSTM、OptiMOSTM、CoolSICT、CoolGaNTM）。该产品系列的栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更好的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4 A/8 A用于低欧姆功率MOSFET，1 A/2 A用于更高Rₒₙ MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1 A/2 A加强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4 A/8A）结合用作PWM数据耦合器，放置在超结功率开关附近

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型号：UCC27301AQDRCRQ1 编号：C42295981

封装：VSON-10(3x3)

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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型号：LM5105SDX/NOPB 编号：C2677073

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：UCC21530DWKR 编号：C2677139

封装：SOIC-14P-300mil

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

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型号：L6388ED 编号：C1549313

封装：SO-8

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：LM5101ASD/NOPB 编号：C181591

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：1ED3120MC12HXUMA1 编号：C5311646

封装：DSO-8

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：6EDL7141XUMA1 编号：C3655737

封装：VQFN-48

MOTIX 6EDL7141 是一款用于三相无刷直流（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）驱动应用的栅极驱动 IC。它提供三个半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动一个高端和一个低端 N 型 MOSFET。该栅极驱动器还具备可编程死区时间延迟功能，用于在正常运行时防止高端（HS）和低端（LS）开关之间出现电流直通现象。用于低端和高端栅极驱动器的独立电荷泵支持 100%占空比和低电压供电运行。栅极驱动器的供电电压可在以下电平中进行编程选择：7V、10V、12V 或 15V。此外，驱动信号的压摆率可以进行精细编程，以降低电磁干扰（EMI）辐射。一个集成的同步降压转换器为系统的其余部分提供高效的电流供应。然而，电动工具系统需要高精度的电流测量，这涉及到非常精确的 ADC 参考电压。为此，6EDL7141 使用一个由降压转换器供电的线性稳压器（最大 300mA），为系统中的微控制器（MCU）和其他敏感组件供电。采用这种先进的电源架构，不仅能实现尽可能好的信号质量，还能在任何输入和输出条件下优化电源效率。6EDL7141 包含三个电流检测放大器，用于精确的电流测量，支持具有可编程增益的双向低端电流检测。通过将相节点内部连接到电流检测放大器的输入，支持 RDSON 检测。如果需要，温度补偿应由用户应用程序提供。电流检测放大器的输出支持 3.3V 和 5V，使大多数商用控制器都能兼容。低噪声、低建立时间和高精度是集成运算放大器的主要特点。内部缓冲器可用于对检测放大器的输出进行偏移调整，以优化动态范围。该器件提供了众多保护功能，用于在不利条件下提高应用的鲁棒性，例如监测电源电压以及系统参数。该器件的故障行为、阈值电压和监测滤波时间可通过 SPI 进行调节。监测的方面包括逆变器电流、栅极驱动电压和电流、器件温度以及转子锁定。当发生故障时，器件停止驱动并将 nFAULT 引脚拉低，以防止系统损坏或其他可能的故障。该信号可连接到微控制器，通知处理器发生了故障。微控制器可以通过 SPI 命令请求获取更多关于故障的信息。集成的 SPI 接口可用于为应用配置 6EDL7141。SPI 既提供详细的故障报告，又提供灵活的参数设置，如电流检测放大器的增益、栅极驱动器的压摆率控制、各种保护功能或栅极驱动电压。

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型号：NCD57252DWR2G 编号：C2902111

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

是高电流双通道隔离 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：ADUM4223BRWZ-RL 编号：C579407

封装：SOIC-16-300mil

5KVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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型号：MASTERGAN4TR 编号：C5252510

封装：QFN-31(9x9)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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型号：MAX15013AASA+ 编号：C1549367

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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型号：LM5102MMX/NOPB 编号：C2677197

封装：VSSOP-10-0.5mm

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：DRV8329AQRGFRQ1 编号：C22435456

封装：VQFN-40-EP(5x7)

65V 三相半桥栅极驱动器，可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET(NMOS)，4.5V 至 60V 工作电压范围，具有涓流电荷泵，支持 100%占空比。

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型号：ADUM7223BCCZ 编号：C662208

封装：LGA-13(5x5)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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型号：LM5101ASDX-1/NOPB 编号：C2677210

封装：WSON-8-EP(4x4)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：ADUM1233BRWZ-RL 编号：C206595

封装：SOIC-16

隔离式精密半桥驱动器，提供0.1A输出

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￥32.51
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￥31.97
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￥29.5442 ￥31.43

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型号：LM5102SDX/NOPB 编号：C2862578

封装：WSON-10-EP(4x4)

LM5102 具有 8V UVLO 和可编程延迟的 2A、100V 半桥栅极驱动器

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￥29.48
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型号：ADUM3223WCRZ 编号：C660819

封装：SOIC-16

3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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￥35.45
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￥34.89
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￥30.897 ￥34.33

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型号：ADUM4221ARIZ 编号：C1019389

封装：SOIC-16-300mil

隔离式半桥栅极驱动器，具有可调停滞时间，4A输出

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￥35.47
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￥34.86
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￥33.5552 ￥34.24

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型号：LTC4446EMS8E#PBF 编号：C688589

封装：MSOP-8-EP

LTC4446是一款高频高压栅极驱动器，可驱动直流/直流转换器中的两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达100V。强大的驱动能力可降低高栅极电容MOSFET的开关损耗。LTC4446顶部栅极驱动器的上拉峰值输出电流为2.5A，下拉输出阻抗为1.2Ω

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￥42.3134 ￥50.98
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￥41.3921 ￥49.87
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￥40.1554 ￥48.38

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型号：IR2181PBF 编号：C537603

封装：PDIP-8

IR2181(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥48.926 ￥71.95
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￥36.1456 ￥62.32
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￥27.1008 ￥56.46
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￥24.7392 ￥51.54

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型号：IR2183PBF 编号：C537608

封装：PDIP-8

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥49.198 ￥72.35
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￥25.9968 ￥54.16
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￥23.6112 ￥49.19

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型号：ADUM3224WCRZ 编号：C660824

封装：SOIC-16

3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出，可用于汽车应用

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￥52.041 ￥62.7
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￥50.9039 ￥61.33
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￥50.1486 ￥60.42
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￥49.385 ￥59.5

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型号：LT1158ISW 编号：C18167366

封装：SOIC-16