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IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：ADUM7223ACCZ 编号：C662207

封装：LGA-13(5x5)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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型号：IR21531SPBF 编号：C537595

封装：SOIC-8

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

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型号：IR2111SPBF 编号：C2970

封装：SOIC-8

IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容

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型号：DRV8904QPWPRQ1 编号：C3655613

封装：HTSSOP-24

DRV8904-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、4 通道半桥电机驱动器

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型号：ADUM4224WCRWZ 编号：C660989

封装：SOIC-16-300mil

5kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出，适合汽车应用

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型号：ISL78444AVEZ-T7A 编号：C2677024

封装：HTSSOP-14-EP

ISL78424、ISL78434和ISL78444是汽车级（AEC - Q100 1级）高压、高频半桥NMOS FET驱动器，用于驱动最高70V的半桥拓扑的栅极。该系列半桥驱动器具有3A源极、4A灌极的峰值栅极驱动电流。ISL78424和ISL78444具有单个三电平PWM输入，用于控制两个栅极驱动器

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型号：ADUM4223BRWZ-RL 编号：C579407

封装：SOIC-16-300mil

5KVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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￥21.68
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型号：BD16938AEFV-CE2 编号：C5311024

封装：VSSOP-28

品牌：ROHM(罗姆)

BD16938AEFV - C 是一款适用于汽车应用的 8 通道半桥驱动器。它可直接驱动小型直流有刷电机，每个输出端有三种控制模式（高电平、低电平和高阻抗）。微控制器（MCU）可通过 16 位串行外设接口（SPI）对该驱动器进行控制

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型号：DRV8143PQDGQRQ1 编号：C20345360

封装：HTSSOP-28

DRV8143-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、20A 半桥驱动器

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型号：LTC7060JMSE#PBF 编号：C690116

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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型号：LTC7061EMSE#PBF 编号：C3717111

封装：MSOP-12-EP

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。

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￥35.14
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型号：DRV8145PQPWPRQ1 编号：C20345363

封装：HTSSOP-28

DRV8145-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、46A 半桥驱动器

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型号：ADUM6132ARWZ-RL 编号：C661389

封装：SOIC-16-300mil

是一种隔离半桥栅极驱动器，采用iCoupler技术，为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供，不仅为高端输出供电，还为常用的外部缓冲电路供电，消除了与外部电源配置（如自举电路）相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V，具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板（PCB）布局期间，必须特别注意以满足排放标准。

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￥82.05
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型号：XJNG2302 编号：C48542889

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

是一款三相栅极驱动IC，可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，工作电压高达200V。

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型号：IRS2108STRPBF 编号：C538261

封装：SOIC-8

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HViC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IRS2111SPBF 编号：C538274

封装：SOIC-8

IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容

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型号：TLE94004EPXUMA1 编号：C2653448

封装：TSDSO-14

是一款受保护的四半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是更大系列产品的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具有直接接口或SPI接口。半桥驱动器设计用于以顺序或并行操作方式驱动直流电机负载。正向（cw）、反向（cow）、制动和高阻抗等操作模式可通过直接接口控制。它提供诊断功能，如短路、电源故障和过温检测。结合其低静态电流，该器件在汽车应用中具有吸引力。小间距外露焊盘封装PG-TSDSO-14提供了良好的热性能，并减少了印刷电路板空间和成本。

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型号：IR2109SPBF 编号：C537553

封装：SOIC-8

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：ISL2111BR4Z 编号：C1549615

封装：DFN-8-EP(4x4)

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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￥31.38
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型号：TLE7181EMXUMA1 编号：C2676921

封装：SSOP-24-4-EP-150mil

典型应用包括风扇、泵和电动助力转向系统。TLE7181EM专为12V电源网络设计。

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￥48.06
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型号：NSG0360 编号：C41416011

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0360是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达30V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。

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型号：HIP2211FR8Z 编号：C20350731

封装：DFN-8(4x4)

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：IR2304PBF 编号：C520669

封装：PDIP-8

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：HIP2211FBZ-T 编号：C22637560

封装：SOIC-8

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

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型号：ISL78420AVEZ 编号：C1549366

封装：HTSSOP-14-EP

ISL78420是一款具备三电平PWM输入的100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器。其工作电源范围为8V至14V，并集成了高端自举偏置，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错式升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用

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￥25.69
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型号：ISL2111ARTZ-T 编号：C2677034

封装：WSON-10-EP(4x4)

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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￥49.56
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￥42.93
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￥38.89

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型号：IR21844PBF 编号：C2992

封装：DIP-14

IR2184(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：EG2134 编号：C480661

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1.2A/-1.4A，采用TSSOP20和QFN24封装。

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型号：DRV8962DDWR 编号：C21218303

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