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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动
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可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。
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  • 1+

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  • 10+

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    ¥3.69
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  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
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      ¥2.79
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    • 1000+

      ¥1.8
  • 有货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
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      ¥1.55
  • 有货
  • U2104(S/M) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    数据手册
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      ¥0.8056
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      ¥0.7612
  • 有货
  • 集成了50%占空比振荡器的600V半桥栅极驱动器,能够驱动N型MOSFET或IGBT器件。
    • 1+

      ¥4.86
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      ¥3.91
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      ¥2.86
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      ¥2.71
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  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.62
    • 10+

      ¥6.96
    • 30+

      ¥6.13
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      ¥5.02
    • 500+

      ¥4.52
    • 1000+

      ¥4.27
  • 有货
  • XJNG2103是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8253
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      ¥0.6381
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      ¥0.4181
    • 4000+

      ¥0.39
  • 有货
  • 集成自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
    • 1+

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      ¥2.18
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  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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    • 1+

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      ¥4.98
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    • 500+

      ¥3.53
    • 1000+

      ¥3.39
  • 有货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能,可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度相同,使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V,显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.77
    • 10+

      ¥6.67
    • 30+

      ¥6.13
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    • 1000+

      ¥4.38
  • 有货
  • IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置,其中fOSC = 1/(2*RT*CT)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.17
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  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
    • 1+

      ¥4.73
    • 10+

      ¥4.25
    • 30+

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    • 100+

      ¥3.7
    • 500+

      ¥3.56
    • 1000+

      ¥3.5
  • 有货
  • DRV8908-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、8 通道半桥电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.23
    • 10+

      ¥8.48
    • 30+

      ¥8
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      ¥7.52
    • 500+

      ¥7.3
    • 1000+

      ¥7.21
  • 有货
  • 高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.431 ¥1.59
    • 50+

      ¥1.242 ¥1.38
    • 150+

      ¥1.161 ¥1.29
    • 500+

      ¥1.08 ¥1.2
    • 2500+

      ¥1.035 ¥1.15
    • 4000+

      ¥1.008 ¥1.12
  • 有货
  • 200V半桥,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,DT:110ns,高边9V,低边5V欠压保护
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5402
    • 50+

      ¥1.2126
    • 150+

      ¥1.0722
    • 500+

      ¥0.897
    • 2500+

      ¥0.8905
    • 4000+

      ¥0.8437
  • 有货
  • 120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.29
    • 30+

      ¥4.65
    • 100+

      ¥3.92
    • 500+

      ¥3.6
    • 1000+

      ¥3.45
  • 有货
  • 3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
    数据手册
    • 1+

      ¥19.0485 ¥22.41
    • 10+

      ¥16.2095 ¥19.07
    • 30+

      ¥14.433 ¥16.98
    • 100+

      ¥11.6535 ¥13.71
    • 500+

      ¥10.829 ¥12.74
    • 1000+

      ¥10.472 ¥12.32
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,IN正SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns, MT:60ns
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6836
    • 50+

      ¥1.3459
    • 150+

      ¥1.2012
  • 有货
  • U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉导通降至最低
    • 1+

      ¥3.2
    • 10+

      ¥2.49
    • 30+

      ¥2.19
    • 100+

      ¥1.81
    • 500+

      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.54
  • 有货
  • 半桥驱动集成电路,可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.72
    • 10+

      ¥5.68
    • 50+

      ¥5.16
    • 100+

      ¥4.64
    • 500+

      ¥4.33
    • 1000+

      ¥4.18
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