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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动
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600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
数据手册
  • 1+

    ¥2.99
  • 10+

    ¥2.36
  • 30+

    ¥2.05
  • 100+

    ¥1.7444 ¥1.78
  • 500+

    ¥1.4112 ¥1.44
  • 1000+

    ¥1.372 ¥1.4
  • 有货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能,可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度相同,使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V,显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.4
    • 10+

      ¥5.31
    • 30+

      ¥4.76
    • 100+

      ¥3.3345 ¥3.51
    • 500+

      ¥3.0305 ¥3.19
    • 1000+

      ¥2.869 ¥3.02
  • 有货
  • U2104(S/M) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3157
    • 50+

      ¥1.051
    • 150+

      ¥0.9375
    • 500+

      ¥0.7498
    • 2500+

      ¥0.6868
    • 4000+

      ¥0.649
  • 有货
  • U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在将驱动器的交叉导通降至最低
    • 5+

      ¥1.8253
    • 50+

      ¥1.4221
    • 150+

      ¥1.2493
    • 500+

      ¥1.0657
    • 2500+

      ¥0.9697
    • 4000+

      ¥0.912
  • 有货
  • 集成自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
    • 1+

      ¥4.26
    • 10+

      ¥3.39
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.53
    • 500+

      ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.34
  • 有货
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.51
    • 10+

      ¥4.4
    • 30+

      ¥3.85
    • 100+

      ¥3.24
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.74
  • 有货
  • IR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。该产品也适用于对输入电压无限制的推挽式转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置,其中fOSC = 1/(2*RT*CT)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.75
    • 10+

      ¥15
    • 30+

      ¥12.66
    • 100+

      ¥10.26
    • 500+

      ¥9.17
    • 1000+

      ¥8.7
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,IN正SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns, MT:60ns
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4703
    • 50+

      ¥1.1326
    • 150+

      ¥0.9879
    • 500+

      ¥0.8896
    • 2500+

      ¥0.8092
    • 5000+

      ¥0.7609
  • 有货
  • JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,最低至3.3V
    • 5+

      ¥1.510595 ¥1.5901
    • 50+

      ¥1.175435 ¥1.2373
    • 150+

      ¥1.031795 ¥1.0861
    • 500+

      ¥0.852625 ¥0.8975
    • 2500+

      ¥0.826025 ¥0.8695
    • 4000+

      ¥0.77805 ¥0.819
  • 有货
  • EG2133是一款高性价比的三相半桥驱动芯片,配合六颗Nmos可以组成三相直流无刷电机驱动器。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A,采用TSSOP20封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.57
    • 30+

      ¥2.26
    • 100+

      ¥1.86
    • 500+

      ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • DRV8908-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、8 通道半桥电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.63
    • 10+

      ¥7.87
    • 30+

      ¥7.4
    • 100+

      ¥6.92
    • 500+

      ¥6.7
    • 1000+

      ¥6.61
  • 有货
  • IR21531D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动 IC 的改进版本,它集成了一个高压半桥栅极驱动器和一个类似于行业标准 CMOS 555 定时器的前端振荡器。与之前的 IC 相比,IR21531 功能更丰富且使用更便捷。CT 引脚设计有关断功能,因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦 VCC 上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就会相同,从而在启动时实现频率与时间的更稳定曲线。通过降低栅极驱动器的峰值 di/dt 以及将欠压锁定迟滞增加到 1V,抗噪性能得到了显著改善。最后,特别关注了最大化器件的抗闩锁能力,并为所有引脚提供全面的 ESD 保护。
    • 1+

      ¥6.31
    • 10+

      ¥5.17
    • 30+

      ¥4.54
    • 100+

      ¥3.83
    • 500+

      ¥3.52
    • 1000+

      ¥3.37
  • 有货
  • ATA6836C是一款采用智能功率SOI技术设计的全保护型六路半桥驱动器,用于在汽车和工业应用中通过微控制器控制多达六种不同负载。六个高端驱动器和六个低端驱动器中的每一个都能够驱动高达650mA的电流。这些驱动器在内部连接形成六个半桥,并且可以通过标准串行数据接口进行独立控制
    • 1+

      ¥15.08
    • 10+

      ¥12.76
    • 30+

      ¥11.31
    • 100+

      ¥9.82
    • 500+

      ¥9.15
  • 有货
  • 3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
    数据手册
    • 1+

      ¥21.53
    • 10+

      ¥18.19
    • 30+

      ¥16.1
    • 100+

      ¥12.179 ¥12.82
    • 500+

      ¥11.2575 ¥11.85
    • 1000+

      ¥10.868 ¥11.44
  • 有货
  • 高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 5+

      ¥1.431 ¥1.59
    • 50+

      ¥1.242 ¥1.38
    • 150+

      ¥1.161 ¥1.29
    • 500+

      ¥1.08 ¥1.2
    • 2500+

      ¥1.035 ¥1.15
    • 4000+

      ¥1.008 ¥1.12
  • 有货
  • 120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.29
    • 30+

      ¥4.65
    • 100+

      ¥3.92
    • 500+

      ¥3.6
    • 1000+

      ¥3.45
  • 有货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.47
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥3.93
    • 100+

      ¥3.08
    • 500+

      ¥2.77
    • 1000+

      ¥2.62
  • 有货
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.77
    • 10+

      ¥4.6
    • 30+

      ¥4.01
    • 100+

      ¥3.43
    • 500+

      ¥3.11
    • 1000+

      ¥2.93
  • 有货
  • 120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.6
    • 30+

      ¥4.96
    • 100+

      ¥4.23
    • 500+

      ¥3.91
    • 1000+

      ¥3.76
  • 有货
  • IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.23
    • 10+

      ¥5.97
    • 30+

      ¥5.28
    • 100+

      ¥4.24
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.73
  • 有货
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