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DRV8145-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、46A 半桥驱动器

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型号：DRV8143HQRXYRQ1 编号：C20345358

封装：VQFN-14-HR(3x4.5)

DRV8143-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、20A 半桥驱动器

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型号：DRV8145HQRXZRQ1 编号：C6183902

封装：VQFN-16-HR(3.5x5.5)

DRV8145-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、46A 半桥驱动器

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型号：U3116C 编号：C20626025

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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型号：UCC27289DR 编号：C2870124

封装：SOIC-8

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET；在 DRC 封装中启用/禁用功能；禁用时消耗的电流很低 (7μA)；16ns 典型传播延迟；1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns；1ns 典型延迟匹配；集成式 100V 自举二极管；8V 典型欠压锁定；输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)；HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V)；±3A 峰值输出电流；绝对最大启动电压为 120V；输入相互独立且 VDD；两个通道的欠压锁定；额定结温范围为 –40°C 至 140°C。

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型号：IRS2302SPBF 编号：C538315

封装：SOIC-8

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：UCC27284DRMR 编号：C7089352

封装：VSON-8(4x4)

是一款耐用的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100 V。它允许在半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使得在MOSFET米勒平台过渡期间，能够以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入独立于电源电压，可与模拟和数字控制器配合使用

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型号：IR21094SPBF 编号：C537551

封装：SOIC-14

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：HIP2210FRTZ-T 编号：C3655656

封装：TDFN-10(4x4)

是100V、3A源极、4A漏极高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入，可编程死区时间。宽6V至18V工作电源范围和集成的高端自举二极管，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟为15ns，典型延迟匹配为2ns，适用于高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

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型号：IR21531SPBF 编号：C537595

封装：SOIC-8

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

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￥15.02
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型号：IR2153SPBF 编号：C537596

封装：SOIC-8

IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出

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型号：UCC27301ADRCR 编号：C41498904

封装：VSON-10-EP(3x3)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计，绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力，可在驱动大功率MOSFET的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值

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型号：IR2109PBF 编号：C537552

封装：PDIP-8

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：ISL78444AVEZ-T7A 编号：C2677024

封装：HTSSOP-14-EP

ISL78424、ISL78434和ISL78444是汽车级（AEC - Q100 1级）高压、高频半桥NMOS FET驱动器，用于驱动最高70V的半桥拓扑的栅极。该系列半桥驱动器具有3A源极、4A灌极的峰值栅极驱动电流。ISL78424和ISL78444具有单个三电平PWM输入，用于控制两个栅极驱动器

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型号：DRV8932PRGER 编号：C2876703

封装：VQFN-24-EP(4x4)

DRV8932 具有电流检测功能的 35V、1A 四通道独立半桥驱动器

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型号：DRV8910QPWPRQ1 编号：C1858364

封装：HTSSOP-24-EP

DRV8910-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、10 通道半桥电机驱动器

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型号：ISL2111ABZ 编号：C1524111

封装：SOIC-8

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

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型号：EG2134 编号：C480661

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1.2A/-1.4A，采用TSSOP20和QFN24封装。

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型号：HIP2211FR8Z 编号：C20350731

封装：DFN-8(4x4)

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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型号：TLE94103EPXUMA1 编号：C2653457

封装：TSDSO-14

TLE94103EP是一款受保护的三路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用（如后视镜x-y调节）而设计。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出、具有直接接口或SPI接口的半桥驱动器。这些半桥驱动器用于在顺序或并行操作中驱动直流电机负载

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型号：L99MD02XPTR 编号：C2156090

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

标准功能，电机驱动器

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型号：ADUM4224WCRWZ 编号：C660989

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

5kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出，适合汽车应用

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型号：DRV8904QPWPRQ1 编号：C3655613

封装：HTSSOP-24

DRV8904-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、4 通道半桥电机驱动器

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￥19.75
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￥19.42

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型号：LTC7060JMSE#PBF 编号：C690116

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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￥27.77
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￥27.11
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￥26.67

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型号：DRV8143PQDGQRQ1 编号：C20345360

封装：HTSSOP-28

DRV8143-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、20A 半桥驱动器

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￥28.18
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￥27.5
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￥27.05

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型号：L9997ND013TR 编号：C2969950

封装：SO-20

品牌：ST(意法半导体)

L9997ND是一款采用BCD技术的单片集成驱动器，旨在驱动包括直流电机在内的各种负载。该电路针对汽车电子环境条件进行了优化。

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￥41.77
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￥36.18
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￥32.78

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型号：L99MD01XPTR 编号：C2970328

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

标准功能，电机驱动器

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￥46.59
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￥45.55
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￥44.86

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型号：U2106C 编号：C19193020

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥0.9085
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￥0.7069
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￥0.6205
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￥0.5127
2500+
￥0.4647
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￥0.4359

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型号：IRS2111SPBF 编号：C538274

封装：SOIC-8

IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容

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型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)