半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：SLM2014CA-DG 编号：C5127147

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

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5+
￥0.7645
50+
￥0.7473
150+
￥0.7359
500+
￥0.7244

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型号：MASTERGAN4TR 编号：C5252510

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

单价：
￥28.133326 / 个

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型号：ADUM7234BRZ 编号：C661449

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
￥44.67
10+
￥38.53
30+
￥34.79
100+
￥31.66

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型号：3203ESA 编号：C782183

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

3203 是一款半桥驱动芯片，用来驱动高压、高速功率MOSFET 和IGBT。芯片含有独立的高压侧和低压侧两个输出通道。高压侧输出与逻辑输入HIN 同相，低压侧输出与逻辑输入!LIN 反相，其逻辑输入电平可低至3.3V。

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1+
￥1.4437
10+
￥1.1413
30+
￥1.0117

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型号：3201ESA/T 编号：C2684797

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

3201/3202 是一款高压、高速MOSFET 和IGBT 驱动芯片，具有独立的高压侧和低压侧输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS 输出或者LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V。

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5+
￥1.901
50+
￥1.523
150+
￥1.361

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型号：3253EPA 编号：C336589

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3253EPA/T 3253 是一款高压、高速功率MOSFET 和IGBT 栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，行程一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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1+
￥4.6
10+
￥3.7
30+
￥3.24

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型号：NCP1392DDR2G 编号：C904448

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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单价：
￥3.3732 / 个

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型号：UCC27301AQDDARQ1 编号：C41488145

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关，并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns，并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制

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单价：
￥8.87652 / 个

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型号：DRV8906QPWPRQ1 编号：C1858362

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8906-Q1 具有高级诊断功能的汽车类 40V、6A、6 通道半桥电机驱动器

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单价：
￥15.5844 / 个

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型号：IMP3201ESA/T 编号：C72885

封装：SOP-8

品牌：IMP(日银IMP微电子)

600V，高压、高速 MOSFET和IGBT 驱动器

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1+
￥1.7799
10+
￥1.4017
30+
￥1.2396

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型号：UCC27201ADRCR 编号：C544737

封装：VSON-9-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27201A 120V 升压 3A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

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50+
￥4.408
100+
￥4.332
150+
￥4.256

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型号：IRS2109STRPBF 编号：C538270

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2109/IRS21094 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，最低可至 3.3V

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1+
￥5.31
10+
￥5.17
30+
￥5.09
100+
￥5

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型号：UCC27289DR 编号：C2870124

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET；在 DRC 封装中启用/禁用功能；禁用时消耗的电流很低 (7μA)；16ns 典型传播延迟；1800pF 负载时的上升时间为 12ns，下降时间典型值为 10ns；1ns 典型延迟匹配；集成式 100V 自举二极管；8V 典型欠压锁定；输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)；HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V)；±3A 峰值输出电流；绝对最大启动电压为 120V；输入相互独立且 VDD；两个通道的欠压锁定；额定结温范围为 –40°C 至 140°C。

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单价：
￥5.007168 / 个

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型号：IRS21834STRPBF 编号：C67285

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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1+
￥10.387
50+
￥9.588
100+
￥9.4282
500+
￥9.1086
1000+
￥8.9488

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型号：HIP2210FRTZ-T 编号：C3655656

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入，可编程死区时间。宽6V至18V工作电源范围和集成的高端自举二极管，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟为15ns，典型延迟匹配为2ns，适用于高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。