半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSG0462U 编号：C6274824

封装：SOP-16-150mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。

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￥0.857
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￥0.7485
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￥0.7019
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￥0.6438
2500+
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4000+
￥0.6025

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型号：JSM5109G 编号：C19077361

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM5109G是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低至3.3V

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￥1.5901
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￥1.2373
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￥1.0861
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￥0.8975
2500+
￥0.8695
4000+
￥0.819

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型号：ADUM7223ACCZ-RL7 编号：C206815

封装：LGA-13(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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￥12.74
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￥12.48
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￥12.3

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型号：NCV7721D2R2G 编号：C904665

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7721是一款全保护双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立控制功能，可实现高端、低端和H桥控制。

数据手册

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￥12.8439 ￥19.17
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￥10.6875 ￥18.75
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￥8.6809 ￥18.47
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￥8.5446 ￥18.18

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型号：IR21084STRPBF 编号：C537547

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥14.56
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￥12.36
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￥10.99

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型号：NCV7726DQBR2G 编号：C604003

封装：SSOP-24-NB-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV7726B Deca 是一款十二沟道半桥驱动器，其保护功能专门设计用于汽车和工业运动控制应用。此产品具有独立的控制和诊断装置，驱动器可在正向、逆向、制动和高阻抗状态下运行。此器件通过一个 16 位 SPI 接口控制，与串级链兼容。

数据手册

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￥16.51 ￥33.02
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￥11.376 ￥28.44
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￥7.713 ￥25.71
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￥6.888 ￥22.96
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￥6.507 ￥21.69
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￥6.336 ￥21.12

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型号：UCC27301AQDRCRQ1 编号：C42295981

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V，凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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1+
￥17.14
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￥16.71
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￥16.42

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型号：HIP2100IBZT 编号：C2653813

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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￥17.42
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￥14.78
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￥13.13
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￥11.44

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型号：ADUM7223BCCZ 编号：C662208

封装：LGA-13(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

数据手册

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￥26.8686 ￥45.54
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￥21.8148 ￥44.52
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￥17.1015 ￥43.85
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￥16.8363 ￥43.17

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型号：ADUM3223WCRZ 编号：C660819

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
￥32.4822 ￥37.77
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￥31.7512 ￥36.92
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￥31.2696 ￥36.36
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￥30.788 ￥35.8

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型号：L99MD01XPTR 编号：C2970328

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

标准功能，电机驱动器

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￥41.37
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￥37.5069 ￥40.33
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￥32.9012 ￥39.64
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￥32.3202 ￥38.94

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型号：IR2183PBF 编号：C537608

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥43.614 ￥72.69
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￥31.48 ￥62.96
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￥22.812 ￥57.03
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￥20.824 ￥52.06

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型号：ADUM3224WCRZ 编号：C660824

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出，可用于汽车应用

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￥52.064 ￥65.08
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￥50.968 ￥63.71
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￥50.24 ￥62.8
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￥49.504 ￥61.88

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型号：DRV8145HQRXZRQ1 编号：C6183902

封装：VQFN-16-HR(3.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8145-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、46A 半桥驱动器

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￥58.86
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￥52.67
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￥48.71

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型号：DRV8952DDWR 编号：C21860344

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

四通道半桥驱动器– 独立控制每个半桥。可驱动各种类型的负载，如多达四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个或两个热电冷却器 (TEC)、一个三相无刷直流电机、一个三相永磁同步电机 (PMSM)。集成式电流检测和调节，高侧 MOSFET 上的电流检测，每个半桥 (DDW) 的 IPROPI 输出，最大电流下为 5% 检测精度，可选外部检测电阻。与 DRV8955PWP、DRV8962DDW 引脚对引脚兼容。

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￥78.81
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￥71.44
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￥68.77

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型号：XJNG2102 编号：C48542888

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG2102 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至3.3V

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￥0.8008
50+
￥0.6242
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￥0.5359
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￥0.4696
2500+
￥0.4166

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型号：JSM5108G 编号：C19077360

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相, 高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

5+
￥1.0077
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￥0.8061
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￥0.7197
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￥0.6119
2500+
￥0.5639
4000+
￥0.535

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型号：UCC27302AQDRCRQ1 编号：C50092305

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥17.06
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￥16.64
30+
￥16.36

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型号：UCC27211AQDRQ1 编号：C41699701

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

驱动器相比其他产品具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至3.7A拉电流和4.5A灌电流，因此可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC电压，这提高了器件的稳健性，并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外，输入还独立于电源电压，且具有20V的最大额定值

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1+
￥17.42
10+
￥16.99
30+
￥16.7

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型号：HIP2210FRTZ 编号：C20350729

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

1+
￥18.41
10+
￥15.71
30+
￥14.02
75+
￥12.29

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型号：ADUM3223ARZ 编号：C660812

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
￥19.18
10+
￥16.29
30+
￥14.48

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型号：UCC27282QDDARQ1 编号：C3655041

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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1+
￥19.22
10+
￥18.75
30+
￥18.43

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型号：UCC27284QDRQ1 编号：C3654891

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

是一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点(HS)额定电压为100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。由于具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，因此与模拟控制器和数字控制器均可结合使用

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1+
￥22.71
10+
￥22.16
30+
￥21.8

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型号：LTC7063RMSE#PBF 编号：C20047755

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET，电源电压高达140V。高端和低端驱动器都可以用不同的接地参考驱动MOSFET，具有出色的抗噪声和抗瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。其他功能包括欠压锁定、三态PWM输入、可调开启/关闭延迟和直通保护。

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1+
￥28.96
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￥28.23
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￥27.75

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型号：DRV8955PRGER 编号：C3654929

封装：VQFN-24(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动器

数据手册

1+
￥33.06
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￥28.18
30+
￥25.28

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型号：ISL2110ABZ 编号：C1549676

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

1+
￥63.3
10+
￥54.52
30+
￥49.17

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型号：DRV8962DDVR 编号：C34193473

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

DRV8962 是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器，适用于各种工业应用。该器件支持高达 65V 的电源电压；具有 50mΩ 导通电阻的集成式 MOSFET 允许 DDW 封装的每输出产生高达 5A 的电流，允许 DDV 封装的每输出产生高达 10A 的电流。该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个 BLDC 或 PMSM 电机以及最多两个热电冷却器（珀耳帖元件）。器件的输出级包括配置为四个独立半桥的 N 沟道功率 MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路。高侧 MOSFET 上的集成电流检测功能可让器件在负载从输出端接地时调节电流。利用可调外部电压基准 (VREF)，可设置调节电流限值。此外，该器件还提供四个比例电流输出引脚，每个引脚对应一个半桥高侧 FET。可选的外部检测电阻也可从 PGND 引脚连接到系统地。该器件提供一种低功耗睡眠模式，可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括：电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP) 保护和器件过热 (OTSD) 保护。

数据手册

1+
￥89.81
10+
￥81.42
30+
￥78.37

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型号：XJNG0461 编号：C48542890

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压，内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。

5+
￥1.0311
50+
￥0.7993
150+
￥0.6999
500+
￥0.576
2500+
￥0.5208

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型号：3253ESA/T 编号：C336590

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3253ESA/T 3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

数据手册

1+
￥2.62
10+
￥2.35
30+
￥2.21
100+
￥2.08
500+
￥1.79
1000+
￥1.75

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型号：LM2101DSGR 编号：C31003035

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥3.58
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￥3.49
30+
￥3.43
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