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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动
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UCC27301A-Q1 是一款强大的栅极驱动器,专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计,绝对最大自举电压为 120V,凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力,UCC27301A-Q1 可在驱动大功率 MOSFET 的同时,使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点(HS 引脚)可处理负瞬态电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。
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  • 1+

    ¥17.46
  • 10+

    ¥17.03
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  • 有货
  • 5KVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
    数据手册
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      ¥23.99
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      ¥18.35
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  • 具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动
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      ¥20.68
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  • 隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
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      ¥20.7216 ¥43.17
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  • 隔离式精密半桥驱动器,提供0.1A输出
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      ¥33.32
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  • 3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
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      ¥35.45
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      ¥30.897 ¥34.33
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  • IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
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      ¥49.198 ¥72.35
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      ¥36.3196 ¥62.62
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      ¥25.9968 ¥54.16
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      ¥23.6112 ¥49.19
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  • 3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出,可用于汽车应用
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      ¥52.041 ¥62.7
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      ¥50.9039 ¥61.33
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      ¥50.1486 ¥60.42
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      ¥49.385 ¥59.5
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  • DRV8962 是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器,适用于各种工业应用。该器件支持高达 65V 的电源电压;具有 50mΩ 导通电阻的集成式 MOSFET 允许 DDW 封装的每输出产生高达 5A 的电流,允许 DDV 封装的每输出产生高达 10A 的电流。 该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个 BLDC 或 PMSM 电机以及最多两个热电冷却器(珀耳帖元件)。器件的输出级包括配置为四个独立半桥的 N 沟道功率 MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路。 高侧 MOSFET 上的集成电流检测功能可让器件在负载从输出端接地时调节电流。利用可调外部电压基准 (VREF),可设置调节电流限值。此外,该器件还提供四个比例电流输出引脚,每个引脚对应一个半桥高侧 FET。可选的外部检测电阻也可从 PGND 引脚连接到系统地。 该器件提供一种低功耗睡眠模式,可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括:电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV) 保护、输出过流 (OCP) 保护和器件过热 (OTSD) 保护。
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    • 1+

      ¥89.81
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      ¥81.42
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      ¥78.37
  • 有货
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。
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      ¥9.11
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      ¥6.6
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  • EG2126是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了5V的LDO、一个运放、一个比较器、逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,更适合用于全桥拓扑电路。 EG2126高端的工作电压可达600V,低端Vcc的电源电压范围宽2.8V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10+2.0A/-2.0A,采用SOP28L封装。
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    • 1+

      ¥12.72
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      ¥10.82
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      ¥9.26
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  • 带振荡器的高压半桥驱动
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      ¥12.87
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      ¥12.59
    • 30+

      ¥12.4
  • 有货
  • ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器,但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A,这显著降低了开关功率损耗,并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器
    • 1+

      ¥13.56
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      ¥11.51
    • 30+

      ¥10.23
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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  • 3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
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    • 30+

      ¥14
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  • UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。
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    • 1+

      ¥18.98
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    • 30+

      ¥18.2
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  • ISL78420是一款具备三电平PWM输入的100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器。其工作电源范围为8V至14V,并集成了高端自举偏置,支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错式升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用
    数据手册
    • 1+

      ¥24.27
    • 10+

      ¥21.33 ¥23.7
    • 30+

      ¥18.664 ¥23.33
    • 100+

      ¥18.36 ¥22.95
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  • DRV8955 具有电流检测功能的 50V、2.5A 四路半桥驱动
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    • 1+

      ¥31.24
    • 10+

      ¥26.36
    • 30+

      ¥23.46
    • 100+

      ¥20.53
  • 有货
  • 驱动两个半桥配置的N沟道MOSFET,电源电压高达100V。高端和低端驱动器都可以使用不同的接地参考来驱动MOSFET,具有出色的抗噪声和瞬态能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容高压MOSFET。还具有欠压锁定、TTL/CMOS兼容输入、可调开启/关闭延迟和直通保护等功能。
    • 1+

      ¥33.78
    • 10+

      ¥33
    • 30+

      ¥32.48
  • 有货
  • LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET,电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET,具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥35.38
    • 10+

      ¥34.45
    • 30+

      ¥33.83
  • 有货
  • ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器,但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A,这显著降低了开关功率损耗,并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器
    • 1+

      ¥63.3
    • 10+

      ¥54.52
    • 30+

      ¥49.17
  • 有货
  • NSG0360是一款三相高速功率MOSFET驱动器,具有6个通道,最高工作电压可达30V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑输入。
    • 5+

      ¥0.56544 ¥0.5952
    • 50+

      ¥0.552235 ¥0.5813
    • 150+

      ¥0.5434 ¥0.572
    • 500+

      ¥0.534565 ¥0.5627
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7862
    • 50+

      ¥0.7689
    • 150+

      ¥0.7574
  • 有货
  • 是一款三相栅极驱动IC,可用于驱动高端、低端或半桥配置的功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。
    • 1+

      ¥2.65
    • 10+

      ¥2.07
    • 30+

      ¥1.82
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.38
  • 有货
  • GR8853A是一款高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器,具备高端和低端参考输出通道。其采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术,实现了坚固耐用的单片式结构。前端配备一个可编程振荡器,类似于555定时器
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    • 1+

      ¥4.03
    • 10+

      ¥3.25
    • 50+

      ¥2.85
    • 100+

      ¥2.46
    • 500+

      ¥2.23
    • 1000+

      ¥2.11
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  • NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器,主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术,该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器,可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间,有助于降低击穿电流。
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    • 1+

      ¥14.19
    • 10+

      ¥12.02
    • 30+

      ¥10.66
  • 有货
  • 隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
    数据手册
    • 1+

      ¥14.49
    • 10+

      ¥14.15
    • 30+

      ¥13.92
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    • 1+

      ¥19.64
    • 10+

      ¥19.16
    • 30+

      ¥18.84
  • 有货
  • 带振荡器的高压半桥驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥20.11
    • 10+

      ¥17.32
    • 30+

      ¥15.66
  • 有货
  • BD16938AEFV - C 是一款适用于汽车应用的 8 通道半桥驱动器。它可直接驱动小型直流有刷电机,每个输出端有三种控制模式(高电平、低电平和高阻抗)。微控制器(MCU)可通过 16 位串行外设接口(SPI)对该驱动器进行控制
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    • 1+

      ¥37.13
    • 10+

      ¥35.34
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      ¥34.24
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