半桥驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BTN8962TAAUMA1 编号：C112630

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

高电流 PN 半桥驱动IC

数据手册

1+
￥16.26
10+
￥13.67
30+
￥12.05
100+
￥10.38
500+
￥9.63
1000+
￥9.31

有货

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型号：IR2104STRPBF 编号：C2960

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.99
10+
￥2.36
30+
￥2.05
100+
￥1.7444 ￥1.78
500+
￥1.4112 ￥1.44
1000+
￥1.372 ￥1.4

有货

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型号：IR2103STRPBF 编号：C2957

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥2.52
10+
￥1.93
30+
￥1.64
100+
￥1.39
500+
￥1.32
1000+
￥1.27

有货

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型号：IR2110STRPBF 编号：C2968

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，单通道驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥5.45
10+
￥4.54
30+
￥3.89
100+
￥3.36
500+
￥3.19
1000+
￥3.09

有货

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型号：IR2153STRPBF 编号：C79666

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。比以前的IC提供更多功能且更易于使用。CT引脚设计了关断功能，可使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度相同，使启动时频率与时间的曲线更稳定。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt和将欠压锁定滞后增加到1V，显著提高了抗噪性。特别注重最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.31
30+
￥4.76
100+
￥3.3345 ￥3.51
500+
￥3.0305 ￥3.19
1000+
￥2.869 ￥3.02

有货

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型号：IR2101STRPBF 编号：C2956

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥3.2
10+
￥2.5
30+
￥2.16
100+
￥1.7945 ￥1.85
500+
￥1.5423 ￥1.59
1000+
￥1.4938 ￥1.54

有货

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型号：TF2183M-TAH 编号：C5382738

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：半桥电源电压：10V~20V 峰值灌电流：2.3A 峰值拉电流：1.9A 高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥8.028 ￥8.92
10+
￥6.669 ￥7.41
30+
￥5.823 ￥6.47
100+
￥5.445 ￥6.05
500+
￥5.058 ￥5.62
1000+
￥4.887 ￥5.43

有货

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型号：U2104M 编号：C2932196

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2104(S/M) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

数据手册

5+
￥1.3157
50+
￥1.051
150+
￥0.9375
500+
￥0.7498
2500+
￥0.6868
4000+
￥0.649

有货

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型号：L6388ED013TR 编号：C23921

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.32
30+
￥2.04
100+
￥1.69
500+
￥1.54
1000+
￥1.44

有货

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型号：IR2110STR(UMW) 编号：C20623179

封装：SOP-16-300mil

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IR2110STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，低至3路。

1+
￥3.91
10+
￥3.13
30+
￥2.74
100+
￥2.36
500+
￥2.13
1000+
￥2.01

有货

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型号：LM5106MMX/NOPB 编号：C91879

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5106 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.2A、1.8A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.75
10+
￥5.1
30+
￥4.2
100+
￥3.18
500+
￥2.56
1000+
￥2.35

有货

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型号：U3216C 编号：C20626023

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3215C/U3216C 是一款可在高达 +600V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥1.8253
50+
￥1.4221
150+
￥1.2493
500+
￥1.0657
2500+
￥0.9697
4000+
￥0.912

有货

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型号：IRS2101STR(UMW) 编号：C20623200

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

UMW IRS2101STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET，最高可承受700V电压。

5+
￥2.0275
50+
￥1.5892
150+
￥1.4014
500+
￥1.167
2500+
￥1.0627
5000+
￥1

有货

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型号：TF2103M-TAH 编号：C2683770

封装：SOIC-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.24
30+
￥1.98
100+
￥1.66
500+
￥1.5
1000+
￥1.41

有货

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型号：IRS2304STR(UMW) 编号：C20623181

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2304STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至3.3V

5+
￥2.2302
50+
￥1.7481
150+
￥1.5415
500+
￥1.2837
2500+
￥1.1689
5000+
￥1.1001

有货

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型号：LM5109BMAX/NOPB 编号：C116862

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

5+
￥2.3156
50+
￥1.8151
150+
￥1.6006
500+
￥1.2434
2500+
￥1.1242
5000+
￥1.0527

有货

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型号：IRS2181STR(UMW) 编号：C20623180

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS2181STR是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

1+
￥3.07
10+
￥2.4
30+
￥2.12
100+
￥1.76
500+
￥1.6
1000+
￥1.51

有货

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型号：EG3013S 编号：C5138297

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3013S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。EG3013S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个15K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

5+
￥1.3263
50+
￥1.0324
150+
￥0.9064
500+
￥0.7492
2500+
￥0.6468
4000+
￥0.6048

有货

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型号：IR2103STRPBF-JSM 编号：C17701703

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR2103S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

1+
￥2.5935 ￥2.73
10+
￥2.0235 ￥2.13
30+
￥1.7765 ￥1.87
100+
￥1.463 ￥1.54
500+
￥1.425 ￥1.5
1000+
￥1.3395 ￥1.41

有货

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型号：IRS21867STR(UMW) 编号：C20623204

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

IRS21867S是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

1+
￥2.78
10+
￥2.19
30+
￥1.94
100+
￥1.63
500+
￥1.49
1000+
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