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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动
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是一种隔离半桥栅极驱动器,采用iCoupler技术,为隔离式高端驱动器提供集成275 mW高端电源。该电源由内部隔离式直流-直流转换器提供,不仅为高端输出供电,还为常用的外部缓冲电路供电,消除了与外部电源配置(如自举电路)相关的成本、空间和性能问题。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比,提供真正的电流隔离。高端和低端通道之间的差分电压高达800 V,具有良好的绝缘寿命。isoPower使用高频开关元件通过变压器传输功率。在印刷电路板(PCB)布局期间,必须特别注意以满足排放标准。
数据手册
  • 100+

    ¥63.69
  • 1000+

    ¥61.953
隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
数据手册
  • 1+

    ¥22.5
  • 20+

    ¥21.6
  • 100+

    ¥20.88
  • 200+

    ¥20.52
  • 500+

    ¥20.16
IR2104(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
数据手册
  • 1+

    ¥2.92
  • 10+

    ¥2.85
  • 30+

    ¥2.8
  • 100+

    ¥2.75
  • 订货
  • 三相独立半桥驱动芯片 EG2123A是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2123A高端的工作电压可达260V,低端VCC的电源电压范围宽7V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10+0.8A/-1.2A,采用TSSOP20和QFN20封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9746
    • 50+

      ¥1.5663
    • 150+

      ¥1.3914
    • 500+

      ¥1.0994
    • 2500+

      ¥1.0021
    • 4000+

      ¥0.9438
  • 订货
  • EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2134高端的工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10+1.2A/-1.4A,采用TSSOP20和QFN24封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.68
    • 10+

      ¥1.64
    • 30+

      ¥1.61
    • 100+

      ¥1.59
  • 订货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.26
    • 10+

      ¥8.5
    • 50+

      ¥7.53
    • 100+

      ¥6.44
    • 500+

      ¥5.95
    • 1000+

      ¥5.73
  • 订货
  • 同 C190343 为一种料,但是包装形式为盘装。 EG2133是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2133高端的工作电压可达300V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了一个下拉和上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A,采用TSSOP20封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.64
    • 10+

      ¥2.07
    • 30+

      ¥1.83
    • 100+

      ¥1.52
    • 500+

      ¥1.39
    • 1000+

      ¥1.3
  • 订货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.67
    • 10+

      ¥10.95
    • 50+

      ¥10.47
    • 100+

      ¥9.99
  • 订货
  • HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入,且引脚与瑞萨(Renesas)的热门桥接驱动器(如HIP2101和ISL2111)兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入
    • 1+

      ¥6.65
    • 10+

      ¥5.37
    • 30+

      ¥4.74
    • 250+

      ¥4.1
    • 500+

      ¥3.73
    • 1000+

      ¥3.53
  • 订货
  • 是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准HI/LI输入,与瑞萨流行的桥驱动器如HIP2101和ISL2111引脚兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS
    数据手册
    • 1+

      ¥27.91
    • 250+

      ¥10.8
    • 500+

      ¥10.42
    • 1000+

      ¥10.24
  • 订货
    • 1+

      ¥15.12
    • 200+

      ¥5.85
    • 500+

      ¥5.65
    • 1000+

      ¥5.55
  • 订货
    • 1+

      ¥21.04
    • 200+

      ¥8.14
    • 500+

      ¥7.86
    • 1000+

      ¥7.72
  • 订货
    • 1+

      ¥33.74
    • 200+

      ¥13.47
    • 500+

      ¥13.02
    • 1000+

      ¥12.79
  • 订货
    • 1+

      ¥46.09
    • 185+

      ¥18.39
    • 518+

      ¥17.78
    • 999+

      ¥17.48
  • 订货
    • 1+

      ¥49.41
    • 200+

      ¥19.72
    • 500+

      ¥19.06
    • 1000+

      ¥18.73
  • 订货
  • UBA2080(A)是高电压单片集成电路,使用无闩锁的硅绝缘体(SOI)工艺制造。该电路设计用于在半桥配置中驱动MOSFET。
    • 1+

      ¥4.44
    • 200+

      ¥1.72
    • 500+

      ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.63
  • 订货
  • UBA2081是高电压单片集成电路,使用无闩锁的硅绝缘体(SOI)工艺制造。该电路设计用于在半桥配置中驱动MOSFET。
    • 1+

      ¥4.8
    • 200+

      ¥1.86
    • 500+

      ¥1.79
    • 1000+

      ¥1.76
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