半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：QFN-15(4.4x4)

NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +200 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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1+
￥21.99
10+
￥18.65
30+
￥16.66
100+
￥14.66

有货

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型号：ADUM3224WBRZ 编号：C208584

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出，可用于汽车应用

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1+
￥30.332 ￥75.83
10+
￥26.276 ￥65.69
48+
￥23.8 ￥59.5
96+
￥21.728 ￥54.32

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型号：DRV8962DDWR 编号：C21218303

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

1+
￥50.34
10+
￥49.13
30+
￥48.32

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型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

5+
￥0.71019 ￥0.7891
50+
￥0.69201 ￥0.7689
150+
￥0.67995 ￥0.7555
500+
￥0.6678 ￥0.742

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型号：SLM2014CA-DG 编号：C5127147

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，IN正SD负逻辑,DT:110ns,高边9V，低边5V欠压保护

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5+
￥0.7645
50+
￥0.7473
150+
￥0.7359
500+
￥0.7244

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型号：XJNG0461 编号：C48542890

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

XJNG0461是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，每一相都具有高、低侧两个输入以及两个输出信号。逻辑兼容标准CMOS或LSTTL输出，逻辑输入电平低至3.3V。XJNG0461为PMOS和NMOS输出10V的栅-源电压，内置死区功能来避免同一相的高、低压侧PMOS和NMOS直通。

5+
￥0.979545 ￥1.0311
50+
￥0.759335 ￥0.7993
150+
￥0.664905 ￥0.6999
500+
￥0.5472 ￥0.576
2500+
￥0.49476 ￥0.5208
4000+
￥0.46322 ￥0.4876

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型号：SLM2106SCA-13GTR 编号：C461471

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:220/200ns，DT:NA, MT:30ns

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1+
￥2.6
10+
￥2.07
30+
￥1.84
100+
￥1.56

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型号：NCP5104DR2G 编号：C153763

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5104是一款高压功率栅极驱动器，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保对高端功率开关进行适当驱动。

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1+
￥7.36
10+
￥6.1
30+
￥5.42
100+
￥4.21
500+
￥3.87
1000+
￥3.71

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型号：UCC27282QDRCTQ1 编号：C1518702

封装：VSON-10-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125

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1+
￥16.63
10+
￥16.25
30+
￥15.99

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型号：LTC7060IMSE#PBF 编号：C690114

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 以半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

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1+
￥34.22
10+
￥29.32
30+
￥26.41
100+
￥21.5832 ￥23.46
500+
￥20.332 ￥22.1
1000+
￥19.7708 ￥21.49

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型号：HIP2101IBZ 编号：C1549446

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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1+
￥39.78
10+
￥34.43
30+
￥31.17

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型号：ADUM7234BRZ 编号：C661449

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
￥43.34
10+
￥37.2
30+
￥33.46

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型号：SLM2003ECA-DG 编号：C2943125

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

200V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns,MT:60ns

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5+
￥0.584
50+
￥0.4564
150+
￥0.3925
500+
￥0.3446

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型号：LCYZB-4-V1 编号：C5157161

封装：-

品牌：LC(立创)

PCB空板

单价：
￥3.35 / 个

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型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

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1+
￥3.48
10+
￥2.81
30+
￥2.47
100+
￥1.95

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型号：EG2334 编号：C2987448

封装：SOP-20-300mil

品牌：EG(屹晶微)

EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2334高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A，采用SOP20封装。

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1+
￥4.08
10+
￥3.3
35+
￥2.83

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型号：ADUM7223ACCZ-RL7 编号：C206815

封装：LGA-13(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
￥12.28
10+
￥12.02
30+
￥11.85

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型号：HIP2210FRTZ 编号：C20350729

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

1+
￥18.41
10+
￥15.71
30+
￥14.02
75+
￥12.29

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型号：ADUM3223CRZ 编号：C660814

封装：SOIC-16

品牌：ADI(亚德诺)

3kVrms隔离式精密半桥驱动器，提供4A输出

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1+
￥26.04
10+
￥25.43
30+
￥25.01
100+
￥22.632 ￥24.6

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型号：LTC7060EMSE#TRPBF 编号：C3717110

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET，电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET，具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET

1+
￥30.4
10+
￥25.96
30+
￥23.32

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型号：LTC7066RMSE#PBF 编号：C20047759

封装：MSOP-12-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET，其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET，具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET

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1+
￥32.5858 ￥39.26
10+
￥31.872 ￥38.4
37+
￥31.3989 ￥37.83
111+
￥30.9175 ￥37.25

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型号：NCV7724DQBR2G 编号：C2902155

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7724B是一款八通道半桥驱动器，具备保护功能，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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1+
￥37.7944 ￥55.58
10+
￥27.9212 ￥48.14
30+
￥20.9328 ￥43.61
100+
￥19.1088 ￥39.81

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型号：DRV8952DDWR 编号：C21860344

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

四通道半桥驱动器– 独立控制每个半桥。可驱动各种类型的负载，如多达四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个或两个热电冷却器 (TEC)、一个三相无刷直流电机、一个三相永磁同步电机 (PMSM)。集成式电流检测和调节，高侧 MOSFET 上的电流检测，每个半桥 (DDW) 的 IPROPI 输出，最大电流下为 5% 检测精度，可选外部检测电阻。与 DRV8955PWP、DRV8962DDW 引脚对引脚兼容。

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1+
￥76.06
10+
￥73.44

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型号：3253ESA/T 编号：C336590

封装：SOP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3253ESA/T 3253是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个前置振荡器，形成一款多功能、更加安全的功率驱动芯片。管脚CT具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC上电流超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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1+
￥2.62
10+
￥2.35
30+
￥2.21
100+
￥2.08
500+
￥1.79
1000+
￥1.75

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型号：IR25606STRPBF 编号：C537639

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥7.1064 ￥8.46
10+
￥6.1198 ￥8.27
30+
￥5.216 ￥8.15
100+
￥5.1392 ￥8.03

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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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1+
￥12.71
10+
￥10.66
30+
￥9.38

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型号：NCV7721D2R2G 编号：C904665

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7721是一款全保护双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立控制功能，可实现高端、低端和H桥控制。

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1+
￥12.782 ￥16.6
10+
￥10.8406 ￥16.18
30+
￥9.063 ￥15.9
100+
￥8.8977 ￥15.61

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型号：HIP2100IBZT 编号：C2653813

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为13ns

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1+
￥13.12
10+
￥11.14
30+
￥9.89

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型号：L6384ED 编号：C1549316

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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1+
￥13.56
10+
￥11.51
30+
￥10.24

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型号：IR21084STRPBF 编号：C537547

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥13.86
10+
￥11.66
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￥10.28
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