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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动
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3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
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  • 1+

    ¥12.11
  • 10+

    ¥11.85
  • 30+

    ¥11.68
  • 有货
  • 一款功能强大的N沟道MOSFET驱动器,最大开关节点(HS)额定电压为100V。可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。具有3A的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,能够在MOSFET米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率MOSFET。输入与电源电压无关,与模拟控制器和数字控制器均可结合使用
    数据手册
    • 1+

      ¥12.36
    • 10+

      ¥10.5
    • 30+

      ¥9.33
  • 有货
  • 具有 5V UVLO 的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥30.05
    • 10+

      ¥25.71
    • 30+

      ¥23.13
  • 有货
  • LTC7060 采用半桥配置驱动两个 N 沟道 MOSFET,电源电压最高可达 100V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的 MOSFET,具备出色的抗噪声和瞬态干扰能力。其强大的 0.8Ω 下拉和 1.5Ω 上拉 MOSFET 驱动器允许使用大栅极电容的高压 MOSFET
    • 1+

      ¥34.68
    • 10+

      ¥29.85
    • 30+

      ¥26.98
  • 有货
  • 是一款三相高速功率MOSFET驱动器,具有6个通道,最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出,低至3.3V逻辑输入。此外,采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。为PMOS和NMOS输出10V门电源电压,为了简化PCB设计,集成了一个5V/40mA的LDO,用于为MCU或其他芯片供电。此外出于安全考虑,还集成了热关闭保护。
    • 5+

      ¥0.9257
    • 50+

      ¥0.8052
    • 150+

      ¥0.7535
    • 500+

      ¥0.689
    • 2500+

      ¥0.6603
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2805
    • 50+

      ¥1.0033
    • 150+

      ¥0.8845
    • 500+

      ¥0.7363
    • 2500+

      ¥0.6703
  • 有货
  • IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.37
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.85
  • 有货
  • LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥3.31
    • 30+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥3.2
  • 有货
  • 3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
    数据手册
    • 1+

      ¥24.6797 ¥27.73
    • 10+

      ¥24.1101 ¥27.09
    • 30+

      ¥23.7363 ¥26.67
    • 100+

      ¥23.3625 ¥26.25
  • 有货
  • NCV7720 Deca是一款十通道半桥驱动器,具备保护功能,专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能,驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制,并且支持菊花链连接
    数据手册
    • 1+

      ¥26.23
    • 10+

      ¥22.22
    • 30+

      ¥19.84
    • 100+

      ¥17.42
  • 有货
  • NCP51810 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51810 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟,以及 ?3.5 V 至 +200 V(典型值)共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力,两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51810 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.27
    • 10+

      ¥22.93
    • 30+

      ¥20.95
  • 有货
  • LTC7066以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET,其电源电压最高可达140V。高端和低端驱动器均可驱动具有不同接地参考的MOSFET,具备出色的抗噪声和抗瞬态干扰能力。其强大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉MOSFET驱动器允许使用大栅极电容的高压MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥32.9846 ¥35.09
    • 10+

      ¥32.1762 ¥34.23
    • 37+

      ¥31.6404 ¥33.66
    • 111+

      ¥31.0952 ¥33.08
  • 有货
  • 5KVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出
    数据手册
    • 1+

      ¥39.65
    • 10+

      ¥34.33
    • 30+

      ¥28.79
  • 有货
  • DRV8143-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、20A 半桥驱动
    • 1+

      ¥41.48
    • 10+

      ¥37.12
    • 30+

      ¥34.32
  • 有货
  • 3kVrms隔离式精密半桥驱动器,提供4A输出,可用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥63.6972 ¥75.83
    • 10+

      ¥55.1796 ¥65.69
    • 48+

      ¥49.98 ¥59.5
    • 96+

      ¥45.6288 ¥54.32
  • 有货
  • 是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器,适用于各种汽车应用。该器件支持高达60V的电源电压,以及具有50mΩ导通电阻、每路输出能够支持高达5A电流的集成MOSFET。该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个BLDC或PMSM电机以及最多两个热电冷却器(珀耳帖元件)。输出级包括配置为四个独立半桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路
    数据手册
    • 1+

      ¥100.83
    • 10+

      ¥96.33
    • 30+

      ¥88.53
  • 有货
  • 200V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI正LI负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/150ns,DT:520ns,MT:60ns
    数据手册
    • 5+

      ¥0.584
    • 50+

      ¥0.4564
    • 150+

      ¥0.3925
    • 500+

      ¥0.3446
  • 有货
  • 带过流保护功能半桥驱动芯片
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1502
    • 50+

      ¥1.6948
    • 150+

      ¥1.4997
    • 500+

      ¥1.1583
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:220/200ns,DT:NA, MT:30ns
    数据手册
    • 1+

      ¥2.7
    • 10+

      ¥2.17
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.67
  • 有货
  • PCB空板
    • 单价:

      ¥3.35 / 个
  • 有货
  • 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,IN正,SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:680/270ns, DT:400ns, MT60nS
    数据手册
    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥3.02
    • 30+

      ¥2.66
    • 100+

      ¥2.29
  • 有货
  • EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2334高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽4.5V-20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HIN和LIN内建了下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力10 + 1.2A/-1.4A,采用SOP20封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.08
    • 10+

      ¥3.3
    • 35+

      ¥2.83
  • 有货
  • 600V,自激振荡的半桥式驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥6.33
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.59
  • 有货
  • NCP5104是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,可直接驱动以半桥配置排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术,以确保对高端功率开关进行适当驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.39
    • 10+

      ¥6.13
    • 30+

      ¥5.44
    • 100+

      ¥4.24
    • 500+

      ¥3.89
    • 1000+

      ¥3.74
  • 有货
  • IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.13
    • 10+

      ¥10.3
    • 30+

      ¥9.15
    • 100+

      ¥7.98
  • 有货
  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件,可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻,能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.35
    • 10+

      ¥10.73
    • 30+

      ¥9.84
  • 有货
  • 标准功能,电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥15.3132 ¥18.23
    • 10+

      ¥13.1942 ¥17.83
    • 30+

      ¥11.2384 ¥17.56
    • 100+

      ¥11.0656 ¥17.29
  • 有货
  • 具有 5V UVLO、互锁功能和使能功能的汽车类 3A、120V 半桥驱动器 10-VSON -40 to 125
    数据手册
    • 1+

      ¥16.63
    • 10+

      ¥16.25
    • 30+

      ¥15.99
  • 有货
  • NCV7718是一款具有保护功能的六路半桥驱动器,专为汽车和工业运动控制应用而设计。NCV7718具备独立控制和诊断功能。该器件可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行
    数据手册
    • 1+

      ¥18.1204 ¥20.36
    • 10+

      ¥13.8487 ¥17.53
    • 30+

      ¥10.9365 ¥15.85
    • 100+

      ¥9.7635 ¥14.15
    • 500+

      ¥9.2253 ¥13.37
    • 1000+

      ¥8.9838 ¥13.02
  • 有货
  • NCV7724B是一款八通道半桥驱动器,具备保护功能,专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能,驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制,并且支持菊花链连接
    数据手册
    • 1+

      ¥33.348 ¥55.58
    • 10+

      ¥24.07 ¥48.14
    • 30+

      ¥17.444 ¥43.61
    • 100+

      ¥15.924 ¥39.81
  • 有货
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