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IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥3.99
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型号：IR25606STRPBF-JSM 编号：C41421795

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥4.28
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型号：TF21084-TUH 编号：C2683762

封装：SOIC-14

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.33
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型号：NCV7723DQBR2G 编号：C904666

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7723B是一款具备保护功能的六通道半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该产品拥有独立的控制和诊断功能，驱动器可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行。该器件通过16位SPI接口进行控制，并且支持菊花链连接

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￥22.66
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型号：U2115C 编号：C41374691

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥1.1608
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型号：EG2104D 编号：C20416233

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2104D是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2104D高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V-25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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￥2.0174
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型号：SL2004 编号：C20539710

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥2.104 ￥2.63
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￥1.656 ￥2.07
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￥1.464 ￥1.83
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型号：EG2153 编号：C2987446

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2153是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个振荡器，形成一款多功能，更加安全的功率驱动芯片。CT管脚具有保护关断功能，可以用一个电压信号使驱动器停止输出。VDD上电低于开启电压时，输出低电平，超过开启阈值，驱动器就能稳定的频率振荡。

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￥2.2138
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型号：IRS2807DSTRPBF-JSM 编号：C41421796

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于交换式电源、开关变换器、通用栅驱动器。

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￥3.52
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型号：HIP2211FR8Z-T 编号：C22412213

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

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￥7.93
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￥7.24
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￥6.8
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型号：UCC27212DPRR 编号：C2677326

封装：WSON-10-EP(4x4)

具有 5V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 10-WSON -40 to 140

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￥25.11
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型号：U2103C 编号：C41374693

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

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￥1.2975
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￥1.0187
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￥0.8992
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型号：SLM2103SCA-13GTR 编号：C461469

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:680/150ns，DT:520ns, MT:60ns

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￥1.8543
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￥1.4259
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型号：LM2105DR 编号：C21316176

封装：SOIC-8

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￥4.33
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￥3.47
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￥3.04
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型号：IRS2103STRPBF 编号：C2958

封装：SOIC-8

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥4.55
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型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥12.19
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型号：NCP51820AMNTWG 编号：C894995

封装：QFN-15(4.4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51820 高速门极驱动器用于满足离线、半工电源拓扑结构中驱动增强模式 (e?mode) 和门极抑制晶体管 (GIT) GaN HEMT 电源开关的严格要求。NCP51820 为高压侧驱动提供短路和匹配传播延迟，以及 ?3.5 V 至 +650 V（典型值）共模电压范围。为了完全保护 GaN 功率晶体管的门极不会受到过大电压压力，两个驱动级均蚕蛹专门的电压稳压器来准确保持门极源驱动信号幅度。NCP51820 提供独立欠压锁定 (UVLO) 和集成电路高温关断等重要保护功能。

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￥15.97
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￥13.4
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型号：UCC27282QDRCRQ1 编号：C3654985

封装：VSON-10(3x3)

UCC27282-Q1 是一款功能强大的 N 沟道 MOSFET 驱动器，最大开关节点 (HS) 额定电压为 100V。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，UCC27282-Q1 能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET 。

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￥16.13
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￥14.07
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型号：IR2103STRPBF-HX 编号：C51934036

封装：SOIC-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2103STRPBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具备高低端输出、抗锁存CMOS技术、3.3V逻辑兼容，内置强驱动缓冲，支持高边N沟道器件驱动，电压可达600V

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￥1.51587 ￥1.6843
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￥1.19835 ￥1.3315
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￥1.06227 ￥1.1803
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￥0.81693 ￥0.9077
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￥0.77157 ￥0.8573

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型号：SLM2101SCA-13GTR 编号：C461468

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑，ton/off:160/220 ns, DT:NA, MT:60ns

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￥1.91
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￥1.465
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￥1.2742

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型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8

IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

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￥3.48
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￥2.81
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￥2.47
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型号：TF2108A-TAU 编号：C6387926

封装：SOIC-8

高压600V,单相,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥5.184 ￥6.48
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￥4.216 ￥5.27
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￥3.736 ￥4.67
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￥3.256 ￥4.07
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型号：TF2108A-3AS 编号：C6387923

封装：PDIP-8

高压600V,单相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.096 ￥7.62
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￥5.088 ￥6.36
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￥4.536 ￥5.67
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￥3.912 ￥4.89
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￥3.504 ￥4.38

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型号：TF21084A-3BS 编号：C6387918

封装：PDIP-14

高压600V, 单相, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥8.216 ￥10.27
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￥7.016 ￥8.77
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￥4.984 ￥6.23

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型号：TF21084A-TUU 编号：C6387928

封装：SOIC-14

高压600V,单相,死区可调,半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

1+
￥9.2204 ￥10.36
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￥7.6807 ￥8.63
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￥6.8352 ￥7.68
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￥5.8829 ￥6.61
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￥5.4557 ￥6.13
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￥5.2599 ￥5.91

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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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￥9.43
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￥7.8
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￥6.91
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￥5.58
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￥5.13

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型号：UCC27311ADRCR 编号：C42349194

封装：VSON-10-EP(3x3)

UCC27311A 是一款强大的栅极驱动器，专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计，绝对最大自举电压为 120V。凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力，UCC27311A 可在驱动大功率 MOSFET 的同时，使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点（HS 引脚）可处理负瞬态电压，从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。

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￥9.7
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￥9.47
30+
￥9.32

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型号：IR2183STRPBF 编号：C2653806

封装：SOIC-8

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥9.73
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￥8.07
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￥7.15
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￥6.12

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型号：UCC27289DRCR 编号：C6581860

封装：VSON-10(3x3)

是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器，最大开关节点（HS）额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻，使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关，可与模拟和数字控制器配合使用

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￥10.28
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￥8.51
30+
￥7.53
100+
￥6.43

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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14