半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：EG2183Q 编号：C48580026

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2183Q 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

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￥3.47
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￥2.74
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￥2.43
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￥2.04
500+
￥1.87
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￥1.77

有货

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型号：EG21364 编号：C20416235

封装：SOP-28

品牌：EG(屹晶微)

EG21364是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

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￥4.06
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￥3.57
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￥3.33
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￥3.09
500+
￥2.94
1500+
￥2.87

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型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

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￥5.88
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￥4.7
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￥4.11
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￥3.53
500+
￥3.21

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型号：BDR6307B 编号：C20622848

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

BDR6307B 是一款耐压600V 的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N 型MOS 半桥。BDR6307B 的逻辑输入兼容CMOS 和TTL 电平，支持3.3V 应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8 封装。

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￥0.4598
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￥0.3998
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￥0.3698
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￥0.3473
2500+
￥0.3293
4000+
￥0.3203

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型号：EG3012S 编号：C2987452

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3012S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3012S高端的工作电压可达80V，Vcc的电源电压范围宽11V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了一个10K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8封装。

数据手册

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￥1.364
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￥1.0701
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￥0.9441
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￥0.7869
2500+
￥0.6468

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型号：BP6830 编号：C7498955

封装：SOP-16

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三相高速功率MOSFET驱动器

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￥2.184 ￥2.73
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￥1.936 ￥2.42
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￥1.816 ￥2.27
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￥1.688 ￥2.11
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￥1.616 ￥2.02
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￥1.584 ￥1.98

有货

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型号：JSM2136STR 编号：C19077366

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时可立即关断六通道输出

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￥4.48 ￥5.6
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￥3.608 ￥4.51
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￥3.168 ￥3.96
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￥2.736 ￥3.42
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￥2.6 ￥3.25
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￥2.464 ￥3.08

有货

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型号：NCP1393BDR2G 编号：C380792

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1393B是一款自振荡高压MOSFET驱动器，主要适用于采用半桥拓扑的应用。凭借其专有的高压技术，该驱动器可承受高达600 V的总线电压。通过单个电阻，驱动器的工作频率可在25 kHz至250 kHz范围内进行调节

数据手册

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￥4.82
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￥3.85
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￥3.33
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￥2.85
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￥2.56
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￥2.42

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型号：ATA6836C-TIQW 编号：C93220

封装：SOP-28

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATA6836C是一款采用智能功率SOI技术设计的全保护型六路半桥驱动器，用于在汽车和工业应用中通过微控制器控制多达六种不同负载。六个高端驱动器和六个低端驱动器中的每一个都能够驱动高达650mA的电流。这些驱动器在内部连接形成六个半桥，并且可以通过标准串行数据接口进行独立控制

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￥15.69
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￥13.37
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￥11.92
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￥10.43

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型号：NCV7718BDQR2G 编号：C513035

封装：HTSSOP-24-EP-4mm

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718B/C由十二个DMOS功率驱动器（六个PMOS高端驱动器和六个NMOS低端驱动器）组成，这些驱动器配置为六个半桥，可实现三个独立的全桥操作。每个输出驱动器的最大直流负载为550 mA，典型浪涌能力为2 A（在VSx = 13.2 V时）。必须严格遵守集成电路管芯温度要求

数据手册

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￥17.75
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￥16.7
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￥16.05
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￥15.38
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￥15.08
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￥14.95

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型号：ADUM5230ARWZ-RL 编号：C206739

封装：SOIC-16-300mil

品牌：ADI(亚德诺)

隔离半桥驱动器，集成高端电源

数据手册

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￥57.25
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￥49.95
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￥41.7
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￥37.97

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型号：U3115D 编号：C41374690

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.6162
50+
￥0.6018
150+
￥0.5922
500+
￥0.5826

有货

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型号：SL2103 编号：C20539711

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V

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￥1.488 ￥1.86
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￥1.304 ￥1.63
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￥1.224 ￥1.53
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￥1.12 ￥1.4
500+
￥1.072 ￥1.34
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￥1.048 ￥1.31

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型号：EG12522 编号：C48580024

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG12522是一款高性价比的双管正激专用半桥驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出匹配驱动电路，专用于双管正激电源场合。

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￥1.7325
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￥1.3696
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￥1.2141
500+
￥1.02
2500+
￥0.9336

有货

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型号：SL2003 编号：C20539709

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

1+
￥1.86
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￥1.63
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￥1.53
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￥1.4
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￥1.34
1000+
￥1.31

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型号：EG2203 编号：C48580028

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2203是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。

5+
￥2.1656
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￥1.712
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￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167

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型号：MP6536DU-LF-Z 编号：C3655732

封装：QFN-40(5x5)

品牌：MPS(芯源)

无刷电机驱动，25V~48V供电，4A~6A方案，

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￥22.2836
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￥19.0885
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￥18.1054
500+
￥15.4019
1000+
￥11.7153
3000+
￥11.4695

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型号：U3115C 编号：C19193019

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥1.0061
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￥0.7799
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￥0.683
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￥0.562
2500+
￥0.5081

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型号：U2106C 编号：C19193020

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2103C/U2106C可在高达+600V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥1.1776
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￥0.9268
150+
￥0.8194
500+
￥0.6853

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型号：EG2124 编号：C2856308

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

5+
￥1.4241
50+
￥1.2351
150+
￥1.1541
500+
￥1.08

有货

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型号：EG2186 编号：C20416237

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2186 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2186 高端的工作电压可达600V，低端VCC 的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗小于200μA。输入通道HIN 内建了一个250K 下拉电阻，LIN 内建了一个250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-4/4A，采用SOP8 封装。

1+
￥2.43
10+
￥2.13
30+
￥2
100+
￥1.84
500+
￥1.77
1000+
￥1.73

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型号：TLE94108ELXUMA1 编号：C2680272

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108EL是一款带保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

数据手册

1+
￥9.2
10+
￥8.97
30+
￥8.81
100+
￥8.65

有货

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型号：EG2124A 编号：C2856309

封装：TSSOP-20

品牌：EG(屹晶微)

EG2124A 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。

数据手册

1+
￥2.66
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￥2.03
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￥1.75
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￥1.41
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￥1.34
1000+
￥1.25

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型号：IRS2008STRPBF-JSM 编号：C18194972

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IRS2008S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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￥4 ￥5
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￥3.24 ￥4.05
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￥2.856 ￥3.57
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￥2.48 ￥3.1
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￥2.256 ￥2.82
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￥2.136 ￥2.67

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型号：IRS2308STRPBF-JSM 编号：C18194985

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

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￥4.28
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￥3.41
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￥2.98
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￥2.55

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型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET