半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSG2011 编号：C41414482

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

1+
￥3.46
10+
￥3.04
30+
￥2.83
100+
￥2.63
500+
￥2.51
1000+
￥2.44

有货

立即购买

型号：NSG21864 编号：C41414499

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

1+
￥3.87
10+
￥3.43
30+
￥3.22
100+
￥3
500+
￥2.87
1000+
￥2.81

有货

立即购买

型号：COS2183S 编号：C42411192

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥4.44
10+
￥3.57
30+
￥3.14
100+
￥2.71
500+
￥2.46
1000+
￥2.32

有货

立即购买

型号：NSG2113N 编号：C41414504

封装：SOP-16

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

1+
￥5.74
10+
￥4.62
30+
￥4.06
100+
￥3.51
500+
￥3.18
1000+
￥3.01

有货

立即购买

型号：UCC21331CQDRQ1 编号：C33864209

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，该器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

数据手册

1+
￥16.73
10+
￥14.78
30+
￥13.79

有货

立即购买

型号：MP86920GLV-Z 编号：C6675180

封装：LGA-27(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP86920 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内，它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感，集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27（4mmx5mm）封装。

1+
￥20.8909
50+
￥19.4162
100+
￥15.4838

有货

立即购买

型号：MAX15013AASA+ 编号：C1549367

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

数据手册

1+
￥22.5165 ￥26.49
10+
￥22.015 ￥25.9
30+
￥21.675 ￥25.5
100+
￥21.3435 ￥25.11

有货

立即购买

型号：NSG6020 编号：C41414501

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：4/4A

1+
￥2.03
10+
￥1.77
30+
￥1.66
100+
￥1.52
500+
￥1.46
1000+
￥1.43

有货

立即购买

型号：COS2181STRPBF 编号：C7501651

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V 电源电压，600V高压， 2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥3.36
10+
￥2.71
30+
￥2.38
100+
￥2.06
500+
￥1.86
1000+
￥1.76

有货

立即购买

型号：COS21834S 编号：C42411193

封装：SOP-14

品牌：COSINE(科山芯创)

高低边半桥驱动， 10V-20V电源电压，600V高压，2.5A峰值拉/灌电流

1+
￥5.32
10+
￥4.29
30+
￥3.77
100+
￥3.26
500+
￥2.95
1000+
￥2.79

有货

立即购买

型号：UCC21551DDWKR 编号：C35019722

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。它设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过5kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为125V/ns。保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及集成的去毛刺滤波器，可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源都有欠压锁定（UVLO）保护。凭借所有这些先进特性，该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。

数据手册

1+
￥13.67
10+
￥12.04
30+
￥10.89

有货

立即购买

型号：UCC21330ADR 编号：C41498903

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

数据手册

1+
￥18.14
10+
￥16.02
30+
￥14.94

有货

立即购买

型号：UCC21551BQDWKRQ1 编号：C31615156

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。DFJ28封装提供>5.3mm的通道间爬电以支持高电压系统。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

数据手册

1+
￥32.5
10+
￥31.7
30+
￥31.17

有货

立即购买

型号：MP86933GQT-Z 编号：C3655164

封装：TQFN-13(3x3)

品牌：MPS(芯源)

MP86933 是一款单片半桥驱动器，内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86933 在较宽的输入电源范围内可实现 12A 的连续输出电流，工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86933 可与三态输出控制器配合使用，并具备通用电流检测和温度检测功能。MP86933 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。MP86933 采用小型 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封装。

1+
￥32.77
50+
￥30.548
100+
￥27.363

有货

立即购买

型号：NCP51560ABDWR2G 编号：C5206714

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

是隔离双通道栅极驱动器，源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计，具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离，两个输出驱动器之间有内部功能隔离，允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式，同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能，如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。

数据手册

1+
￥38.42
10+
￥33.17
30+
￥30.06
100+
￥26.9

有货

立即购买

型号：NSG3021 编号：C41414486

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.8/1.2A

5+
￥0.7115
50+
￥0.5624
150+
￥0.4879
500+
￥0.432
2500+
￥0.3873

有货

立即购买

型号：NSG2008 编号：C7421056

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.8585
50+
￥0.7497
150+
￥0.7031
500+
￥0.645
2500+
￥0.6191

有货

立即购买

型号：TM2123-SOP8-TA2402C 编号：C51026294

封装：SOP-8

品牌：TM(天微)

TM2123 是一款具有VCC欠压保护和输入高低侧信号互锁功能的高压半桥驱动芯片，内置VCC欠压保护电路可防止功率管工作在过低的电压下，提高效率。同时内置输入高低侧信号互锁电路可防止功率管上下桥臂发生直通，有效保护高压功率器件。设计该芯片主要用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。适用于电动自行车、马达驱动、电动工具等电机驱动类产品。本产品性能优良，质量可靠。

5+
￥0.8895
50+
￥0.7071
200+
￥0.6159
500+
￥0.5475

有货

立即购买

型号：NCV51513ABMNTWG 编号：C5209111

封装：DFNW-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV51513是一款130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟，静态电流低，且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制

数据手册

1+
￥6.47
10+
￥6.31
30+
￥6.21

有货

立即购买

型号：UCC21330BDR 编号：C30658397

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21330 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。UCC21330 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些高级特性，UCC21330 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

数据手册

1+
￥13.8
10+
￥11.71
30+
￥10.41

有货

立即购买

型号：UCC21542DWKR 编号：C5216324

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

数据手册

1+
￥14.6
10+
￥14.26
30+
￥14.02

有货

立即购买

型号：NSG2104 编号：C7421063

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、拉/灌电流：0.26/0.6A

5+
￥1.4832
50+
￥1.2953
150+
￥1.2147
500+
￥1.1142

有货

立即购买

型号：NSG21844 编号：C41414498

封装：SOP-14

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、集成SD功能,拉/灌电流：4/4A

1+
￥3.68
10+
￥3.27
30+
￥3.06
100+
￥2.86
500+
￥2.74

有货

立即购买

型号：EG1163S 编号：C480648

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1163是一款高压大电流降压型DC-DC电源管理芯片，内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能，非常适合高压大电流场合应用，配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输入。

数据手册

1+
￥5.18
10+
￥4.13
30+
￥3.6
100+
￥3.08
500+
￥2.69
1000+
￥2.52

订货

我要订货

型号：UCC21542DWR 编号：C5216325

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

数据手册

1+
￥12.98
10+
￥12.67
30+
￥12.47

有货

立即购买

型号：UCC21540AQDWKRQ1 编号：C5216315

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21540-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21540-Q1 器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 V/ns。保护功能包括：可通过电阻器编程的死区时间；通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200 ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

数据手册