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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动
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700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
  • 1+

    ¥3.5055 ¥3.69
  • 10+

    ¥3.1065 ¥3.27
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    ¥2.907 ¥3.06
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    ¥2.717 ¥2.86
  • 500+

    ¥2.603 ¥2.74
  • 1000+

    ¥2.5365 ¥2.67
  • 有货
  • 是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流,用于驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kV有效值隔离屏障与两个输出驱动器隔离,最小共模瞬态抗扰度(CMTI)为125V/ns。保护功能包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能,以及可抑制短于5ns的输入瞬变的集成去毛刺滤波器。所有电源均具有欠压锁定(UVLO)保护。凭借这些先进特性,该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.75
    • 10+

      ¥4.64
    • 30+

      ¥4.56
  • 有货
  • 是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。它设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流,用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过5kV RMS隔离屏障与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为125V/ns。保护功能包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能,以及集成的去毛刺滤波器,可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源都有欠压锁定(UVLO)保护。凭借所有这些先进特性,该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.67
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      ¥12.04
    • 30+

      ¥10.89
    • 100+

      ¥9.84
  • 有货
  • UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET,具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.06
    • 10+

      ¥15.33
    • 30+

      ¥13.62
  • 有货
  • MOTIX 6EDL7141 是一款用于三相无刷直流(BLDC)或永磁同步电机(PMSM)驱动应用的栅极驱动 IC。它提供三个半桥驱动器,每个驱动器都能够驱动一个高端和一个低端 N 型 MOSFET。该栅极驱动器还具备可编程死区时间延迟功能,用于在正常运行时防止高端(HS)和低端(LS)开关之间出现电流直通现象。用于低端和高端栅极驱动器的独立电荷泵支持 100%占空比和低电压供电运行。栅极驱动器的供电电压可在以下电平中进行编程选择:7V、10V、12V 或 15V。此外,驱动信号的压摆率可以进行精细编程,以降低电磁干扰(EMI)辐射。一个集成的同步降压转换器为系统的其余部分提供高效的电流供应。然而,电动工具系统需要高精度的电流测量,这涉及到非常精确的 ADC 参考电压。为此,6EDL7141 使用一个由降压转换器供电的线性稳压器(最大 300mA),为系统中的微控制器(MCU)和其他敏感组件供电。采用这种先进的电源架构,不仅能实现尽可能好的信号质量,还能在任何输入和输出条件下优化电源效率。6EDL7141 包含三个电流检测放大器,用于精确的电流测量,支持具有可编程增益的双向低端电流检测。通过将相节点内部连接到电流检测放大器的输入,支持 RDSON 检测。如果需要,温度补偿应由用户应用程序提供。电流检测放大器的输出支持 3.3V 和 5V,使大多数商用控制器都能兼容。低噪声、低建立时间和高精度是集成运算放大器的主要特点。内部缓冲器可用于对检测放大器的输出进行偏移调整,以优化动态范围。该器件提供了众多保护功能,用于在不利条件下提高应用的鲁棒性,例如监测电源电压以及系统参数。该器件的故障行为、阈值电压和监测滤波时间可通过 SPI 进行调节。监测的方面包括逆变器电流、栅极驱动电压和电流、器件温度以及转子锁定。当发生故障时,器件停止驱动并将 nFAULT 引脚拉低,以防止系统损坏或其他可能的故障。该信号可连接到微控制器,通知处理器发生了故障。微控制器可以通过 SPI 命令请求获取更多关于故障的信息。集成的 SPI 接口可用于为应用配置 6EDL7141。SPI 既提供详细的故障报告,又提供灵活的参数设置,如电流检测放大器的增益、栅极驱动器的压摆率控制、各种保护功能或栅极驱动电压。
    • 1+

      ¥22.75
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      ¥19.75
    • 30+

      ¥17.3
  • 有货
  • 175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器,具有低至35ns传输延时,驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度
    数据手册
    • 1+

      ¥25.46
    • 10+

      ¥24.87
    • 30+

      ¥24.48
    • 100+

      ¥21.4312 ¥24.08
  • 有货
  • 是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器,适用于各种汽车应用。该器件支持高达60V的电源电压,以及具有50mΩ导通电阻、每路输出能够支持高达5A电流的集成MOSFET。该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个BLDC或PMSM电机以及最多两个热电冷却器(珀耳帖元件)。输出级包括配置为四个独立半桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路
    数据手册
    • 1+

      ¥87.96
    • 10+

      ¥83.74
    • 30+

      ¥76.44
  • 有货
  • 250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.29/0.6A、集成自举二极管(60ohm)
    • 5+

      ¥0.605815 ¥0.6377
    • 50+

      ¥0.59166 ¥0.6228
    • 150+

      ¥0.582255 ¥0.6129
    • 500+

      ¥0.572755 ¥0.6029
  • 有货
  • 650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.6/1.0A
    • 5+

      ¥1.050035 ¥1.1053
    • 50+

      ¥1.025525 ¥1.0795
    • 150+

      ¥1.009185 ¥1.0623
    • 500+

      ¥0.992845 ¥1.0451
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.26/0.6A
    • 1+

      ¥1.8525 ¥1.95
    • 10+

      ¥1.615 ¥1.7
    • 30+

      ¥1.52 ¥1.6
    • 100+

      ¥1.3965 ¥1.47
    • 500+

      ¥1.3395 ¥1.41
    • 1000+

      ¥1.3015 ¥1.37
  • 有货
  • 高低边半桥驱动, 10V-20V电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥2.95
    • 10+

      ¥2.88
    • 30+

      ¥2.84
    • 100+

      ¥2.79
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流:4/4A、VSS/COM地隔离
    • 1+

      ¥5.586 ¥5.88
    • 10+

      ¥4.4935 ¥4.73
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      ¥3.952 ¥4.16
    • 100+

      ¥3.4105 ¥3.59
    • 500+

      ¥3.0875 ¥3.25
    • 1000+

      ¥2.926 ¥3.08
  • 有货
  • UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品,其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A,可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距,有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为100V/ns。保护特性包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器(可抑制短于5ns的输入瞬变),以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定(UVLO)保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.98
    • 10+

      ¥12.67
    • 30+

      ¥12.47
  • 有货
  • UCC21330 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶体管。UCC21330 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些高级特性,UCC21330 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.22
    • 10+

      ¥11.13
    • 30+

      ¥9.83
  • 有货
  • MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内,它能够提供高达3A的输出电流。MP6610专为驱动有刷直流电机、螺线管和其他负载而设计。内部电流检测电路可提供与负载电流成正比的输出电压。MP6610还具备逐周期电流限制和调节功能。这些功能无需使用低阻值分流电阻。内部诊断和保护功能包括开路负载检测(OLD)、过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)和热关断。MP6610提供8引脚TSOT23 - 8和SOIC - 8封装。由于引脚间距较小,除非采用敷形涂层或灌封,否则TSOT23 - 8封装仅推荐用于最高45V的应用。
    • 1+

      ¥16.4669
    • 50+

      ¥15.2299
    • 100+

      ¥13.1899
  • 有货
  • 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.05
    • 10+

      ¥15.89
    • 30+

      ¥14.79
  • 有货
  • TLE94112ES是一款带保护功能的12通道半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从3路输出到12路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器可用于顺序或并行驱动直流电机负载。正转(顺时针)、反转(逆时针)、制动和高阻抗等运行模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备短路、开路负载、电源故障和过温检测等诊断功能。结合其低静态电流特性,该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的散热性能,可减少PCB板空间和成本。
    • 1+

      ¥21.33
    • 10+

      ¥18.1
    • 30+

      ¥16.18
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高同低反逻辑、拉/灌电流:0.26/0.6A
    • 5+

      ¥1.98778 ¥2.0924
    • 50+

      ¥1.56085 ¥1.643
    • 150+

      ¥1.37788 ¥1.4504
    • 500+

      ¥1.149595 ¥1.2101
    • 2500+

      ¥1.047945 ¥1.1031
    • 4000+

      ¥0.986955 ¥1.0389
  • 有货
  • NCV51513是一款130 V半桥驱动器,具有高驱动电流能力,适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟,静态电流低,且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制
    数据手册
    • 1+

      ¥6.47
    • 10+

      ¥6.31
    • 30+

      ¥6.21
  • 有货
  • 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有可编程死区时间和宽温度范围。设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流,用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧与两个输出驱动器通过5kV_RMS隔离屏障隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)至少为125V/ns。保护功能包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能,以及集成的去毛刺滤波器,可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源均具有欠压锁定(UVLO)保护。凭借这些先进特性,该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.13
    • 10+

      ¥10.86
    • 30+

      ¥10.67
  • 有货
  • UCC21551x 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。UCC21551x 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些高级特性,UCC21551x 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.8
    • 10+

      ¥11.53
    • 30+

      ¥11.35
  • 有货
  • UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品,其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A,可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距,有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为100V/ns。保护特性包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器(可抑制短于5ns的输入瞬变),以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定(UVLO)保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.51
    • 10+

      ¥14.16
    • 30+

      ¥13.93
  • 有货
  • UCC21521是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET,具有一流的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过一个5.7 kV RMS增强型隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达1500 V DC的工作电压。每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN引脚拉低时会同时关闭两个输出,悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达25V的VDD电源电压。3V到18V的宽输入电压VCCI范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。凭借所有这些高级特性,UCC21521能够满足各类电源应用中对于高效率、高电源密度和稳健性的需求。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.35
    • 10+

      ¥22.77
    • 30+

      ¥22.39
  • 有货
  • 是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器,适用于各种工业应用。该器件最高支持55V的电源电压;导通电阻接近50mΩ的集成式MOSFET允许DDW封装的每个输出端产生高达5A的电流,允许PWP封装的每个输出端产生高达4A的电流。该器件可用于驱动最多四个螺线管或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个BLDC或PMSM电机以及最多两个热电冷却器(珀耳帖元件)。器件的输出级包括配置为四个独立半桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节电路、电流检测输出以及保护电路
    数据手册
    • 1+

      ¥45.79
    • 10+

      ¥44.66
    • 30+

      ¥43.9
  • 有货
  • TM2123 是一款具有VCC欠压保护和输入高低侧信号互锁功能的高压半桥驱动芯片,内置VCC欠压保 护电路可防止功率管工作在过低的电压下,提高效率。同时内置输入高低侧信号互锁电路可防止功率管 上下桥臂发生直通,有效保护高压功率器件。设计该芯片主要用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。适 用于电动自行车、马达驱动、电动工具等电机驱动类产品。本产品性能优良,质量可靠。
    • 5+

      ¥0.4909
    • 50+

      ¥0.48
    • 200+

      ¥0.4727
    • 500+

      ¥0.4654
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.3/0.6A
    • 1+

      ¥1.463 ¥1.54
    • 10+

      ¥1.425 ¥1.5
    • 30+

      ¥1.406 ¥1.48
    • 100+

      ¥1.3775 ¥1.45
  • 有货
  • 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.31
    • 10+

      ¥26.62
    • 30+

      ¥26.17
  • 有货
  • 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。DFJ28封装提供>5.3mm的通道间爬电以支持高电压系统。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.89
    • 10+

      ¥32.1
    • 30+

      ¥31.56
  • 有货
  • UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出,能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍,而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间,从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括:当 DIS 设置为高电平时,通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.81
    • 10+

      ¥28.62
    • 30+

      ¥25.54
    • 100+

      ¥22.42
    • 500+

      ¥20.98
    • 1000+

      ¥20.33
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  • UCC21540-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21540-Q1 器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 V/ns。保护功能包括:可通过电阻器编程的死区时间;通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200 ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
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