半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

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￥1.95
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型号：NSG2183 编号：C41414496

封装：SOP-8

700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：NSG2181 编号：C7421058

封装：SOIC-8

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：NSG21834 编号：C41414497

封装：SOP-14

700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：4/4A

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￥3.69
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￥2.74

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型号：NSG21814 编号：C41414495

封装：SOP-14

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

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型号：UCC21551BDWKR 编号：C35841108

封装：SOIC-14

是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有可编程死区时间和宽温度范围。设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧与两个输出驱动器通过5kV_RMS隔离屏障隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）至少为125V/ns。保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及集成的去毛刺滤波器，可抑制短于5ns的输入瞬变。所有电源均具有欠压锁定（UVLO）保护。凭借这些先进特性，该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。

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型号：UCC21542ADWKR 编号：C5216323

封装：SOIC-14-300mil

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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￥14.57
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型号：UCC21550AQDWRQ1 编号：C36522665

封装：SOIC-16

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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￥26.89
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￥26.2
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￥25.75

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型号：UCC21550CQDWKRQ1 编号：C38056306

封装：SOIC-14

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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￥27.84
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￥27.13
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￥26.65

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型号：UCC21550BQDWRQ1 编号：C35135429

封装：SOIC-16

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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￥29.66
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￥28.94
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￥28.46

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型号：UCC21551AQDWRQ1 编号：C37662329

封装：SOIC-16

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns

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￥29.68
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￥28.96
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型号：UCC21530BQDWKQ1 编号：C2869965

封装：SOIC-16-300mil

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。

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￥78.27
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￥75.54

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型号：MASTERGAN1 编号：C3189134

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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￥101.57
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￥98.35

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型号：NSG6001 编号：C41414490

封装：SOP-8

650V N+N半桥驱动、高同低反逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

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￥1.0671
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￥0.9319
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￥0.8739
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￥0.8016

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型号：NSG6388 编号：C41414492

封装：SOP-8

650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

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￥1.4866
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￥1.2983
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￥1.2175
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￥1.1168

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型号：NSG2027 编号：C41414484

封装：SOP-8

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：4/4A、集成自举二极管（180ohm）

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￥1.79
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￥1.47
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￥1.35
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￥1.29
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￥1.26

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型号：NSG2106 编号：C7421064

封装：SOIC-8

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.26/0.6A

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￥2.0936
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￥1.6439
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￥1.2107

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型号：3553DEPA 编号：C336591

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3553DEPA 3553 是一种高压、高速的整流器控制芯片，内部集成了一个前置振荡器、高压半桥驱动电路和功率MOSFET，形成一款多功能，更加安全的整流器控制芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电压超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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￥4.0545 ￥4.77
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￥2.895 ￥3.86
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￥2.2165 ￥3.41
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￥1.924 ￥2.96
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￥1.7485 ￥2.69
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￥1.6575 ￥2.55

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型号：NSG73933 编号：C41414503

封装：SOP-14

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A、死区时间可调

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￥4.42
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￥3.92
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￥3.68
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￥3.43
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￥3.28

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型号：TLE94110ES 编号：C2984889

封装：TSDSO-24

TLE94110ES是一款带保护功能的十通道半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风与空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个产品系列的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

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￥16.95
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￥16.53
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￥16.25

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型号：TLE4207GXUMA2 编号：C2653558

封装：DSO-14

TLE4207G是一款受保护的双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件采用英飞凌双极高压功率技术DOPL制造。

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￥32.6
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￥28.08
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￥25.39

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型号：IM231M6T2BAKMA1 编号：C5361076

封装：DIP-23

IM231-M6系列三相智能功率模块（IPM）专为高效家电电机驱动而设计，如空调风扇和冰箱压缩机。这些先进的IPM提供表面贴装和通孔两种封装形式，结合了低VCE(sat) TRENCHSTOP™ IGBT6技术和业界领先的耐用半桥驱动器。这些IPM具备多种保护功能，包括精确的过流保护和温度反馈

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￥103.78
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￥98.62
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￥89.69

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型号：NSG2005B 编号：C41414481

封装：SOP-8

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

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￥1.2144
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￥0.9535
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￥0.8418
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￥0.7023

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型号：NSG27710 编号：C41414488

封装：SOP-8

650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

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￥1.4572
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￥1.1442
150+
￥1.0101

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型号：MCP8021-5015H/9PXVAO 编号：C25108932

封装：VQFN-28-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

3相无刷直流（BLDC）功率模块包含三个集成半桥驱动器，能够驱动三个外部NMOS/NMOS晶体管对。三个半桥驱动器能够在12V下提供0.5A的峰值输出电流，用于驱动高端和低端NMOS MOSFET晶体管。驱动器具有直通、过流和短路保护功能。增加了睡眠模式，以实现典型的“钥匙关闭”静态电流为5μA

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￥9.68
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￥9.36
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￥9.15

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型号：TLE94108ESXUMA1 编号：C3655640

封装：TSDSO-24