半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：DRV8935PPWPR 编号：C2879323

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8935 具有电流调节功能的 33V、2.5A 四路独立半桥驱动器

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￥39.98
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￥39.06
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￥38.44

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型号：UCC21331CQDRQ1 编号：C33864209

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，该器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

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型号：UCC21542ADWKR 编号：C5216323

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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￥14.71
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型号：UCC21550CQDWKRQ1 编号：C38056306

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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型号：UCC21550BQDWRQ1 编号：C35135429

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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型号：UCC21551AQDWRQ1 编号：C37662329

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC和IGBT晶体管。可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kVRMS隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns

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型号：UCC21530BQDWKQ1 编号：C2869965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。

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￥78.27
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￥75.54

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型号：3553DEPA 编号：C336591

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3553DEPA 3553 是一种高压、高速的整流器控制芯片，内部集成了一个前置振荡器、高压半桥驱动电路和功率MOSFET，形成一款多功能，更加安全的整流器控制芯片。管脚CT 具有保护关断功能，可以用一个低电压信号使驱动器停止输出。此外，输出脉冲的宽度保持一致，一旦VCC 上电压超过开启阈值，驱动器就能以更加稳定的频率振荡。

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￥2.5017 ￥2.69
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￥2.1829 ￥2.63
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￥1.8615 ￥2.55

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型号：3520DEPA 编号：C336587

封装：DIP-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3520DEPA 3520D集成600V半桥驱动的自适应镇流器控制芯片，是一款应用于紧凑型荧光灯的芯片。此芯片包含自适应零电压开关，峰值因子过流保护功能，同时还集成了自举二极管。该芯片最核心的部分是一个最小频率外部可调的压控振荡器。

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￥4.184 ￥5.23
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￥2.961 ￥4.23
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￥2.244 ￥3.74
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￥1.944 ￥3.24
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￥1.77 ￥2.95
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￥1.68 ￥2.8

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型号：UCC21550BDWR 编号：C22445586

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性，能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。

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单价：
￥5.8104 / 个

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型号：TLE94108ESXUMA1 编号：C3655640

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108ES是一款带保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载。正转（顺时针）、反转（逆时针）、制动和高阻抗等操作模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备诊断功能，如短路、开路负载、电源故障和过温检测。结合其低静态电流特性，该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的热性能，可减少PCB板空间和成本。

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￥13.51
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￥13.17
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￥12.94

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型号：TLE94110ES 编号：C2984889

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94110ES是一款带保护功能的十通道半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风与空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个产品系列的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

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￥16.95
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￥16.53
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￥16.25

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型号：TLE4207GXUMA2 编号：C2653558

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE4207G是一款受保护的双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件采用英飞凌双极高压功率技术DOPL制造。

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￥32.6
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￥28.08
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￥25.39

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型号：IM231M6T2BAKMA1 编号：C5361076

封装：DIP-23

品牌：Infineon(英飞凌)

IM231-M6系列三相智能功率模块（IPM）专为高效家电电机驱动而设计，如空调风扇和冰箱压缩机。这些先进的IPM提供表面贴装和通孔两种封装形式，结合了低VCE(sat) TRENCHSTOP™ IGBT6技术和业界领先的耐用半桥驱动器。这些IPM具备多种保护功能，包括精确的过流保护和温度反馈

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￥103.78
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￥98.62
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￥89.69

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型号：NSG27710 编号：C41414488

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

5+
￥0.7652
50+
￥0.7474
150+
￥0.7354

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型号：MCP8021-5015H/9PXVAO 编号：C25108932

封装：VQFN-28-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

3相无刷直流（BLDC）功率模块包含三个集成半桥驱动器，能够驱动三个外部NMOS/NMOS晶体管对。三个半桥驱动器能够在12V下提供0.5A的峰值输出电流，用于驱动高端和低端NMOS MOSFET晶体管。驱动器具有直通、过流和短路保护功能。增加了睡眠模式，以实现典型的“钥匙关闭”静态电流为5μA

1+
￥9.68
10+
￥9.36
30+
￥9.15

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型号：AiP2163SA8.TB 编号：C52260123

封装：SOP-8

品牌：I-CORE(中微爱芯)

90V高压半桥驱动电路

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￥0.6072
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￥0.5937
200+
￥0.5846

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型号：AiP2164SA8.TB 编号：C52260124

封装：SOP-8

品牌：I-CORE(中微爱芯)

250V高压半桥驱动电路

5+
￥0.7881
50+
￥0.7705
200+
￥0.7588

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型号：MP86962GMJT-Z 编号：C20751589

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86962是一款单片半桥驱动器，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源电压（VIN）范围内，MP86962的连续输出电流（IOUT）最高可达80A。MP86962采用单片集成电路，每相可驱动高达80A的电流

10+
￥48.367503
50+
￥46.42605
100+
￥39.588759
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￥33.7644
1000+
￥28.446507

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型号：3520DESA/T 编号：C336588

封装：SOIC-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3520DESA/T 3520D集成600V半桥驱动的自适应镇流器控制芯片，是一款应用于紧凑型荧光灯的芯片。此芯片包含自适应零电压开关，峰值因子过流保护功能，同时还集成了自举二极管。该芯片最核心的部分是一个最小频率外部可调的压控振荡器。

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1+
￥4.48
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￥3.63
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￥3.2

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型号：UCC21530BQDWKRQ1 编号：C5216346

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。

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30+
￥24.2
60+
￥23.98
90+
￥23.76

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型号：VBQA3303G 编号：C7429162

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

10+
￥3.5775
100+
￥3.445
200+
￥3.18
1000+
￥3.0475
2000+
￥2.915

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型号：INS2001FQ 编号：C22439612

封装：FCQFN-12(3x3)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高端和低端氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。专为GaN FET设计，解决了传统MOSFET驱动解决方案面临的诸多挑战。内部智能自举（BST）开关可防止在死区时间内高端浮动电源BST电容过度充电，从而保护GaN FET的栅极，同时为GaN FET的两侧保持一致的栅极电压。提供丰富的故障保护，包括独立的VCC和BST欠压锁定、VCC过压锁定和过温保护。有两个逻辑输入，可独立控制高端和低端驱动器，实现最大灵活性，驱动器具有分离输出，可分别调节导通和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配使其适用于高功率和高频应用。

1+
￥6.41
10+
￥5.33
30+
￥4.73
100+
￥4.06
500+
￥3.76
1000+
￥3.63

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型号：UCC21220DR 编号：C2878023

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ，借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns，所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能，这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性，适用于多种电源应用。

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50+
￥7.392
100+
￥7.26
150+
￥7.194

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型号：GD30DR8306KU 编号：C2889280

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

可编程功能多样，可用于广泛的应用领域，如三相无刷直流电机、电动自行车、电动工具等。是一款集成可选DC/DC降压控制器的三相栅极驱动器IC。该IC包括三个半桥驱动器，每个驱动器能够驱动两个NMOSFET，支持高达1.2A的源电流和1A的灌电流能力。驱动电流将根据应用中使用的不同功率MOSFET自动调整到最佳电流