半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSG2005 编号：C7421054

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.81453 ￥0.8574
50+
￥0.71136 ￥0.7488
150+
￥0.66709 ￥0.7022
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￥0.611895 ￥0.6441
2500+
￥0.587385 ￥0.6183
4000+
￥0.572565 ￥0.6027

有货

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型号：NSG2003 编号：C41414480

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥1.15368 ￥1.2144
50+
￥0.905825 ￥0.9535
150+
￥0.79971 ￥0.8418
500+
￥0.667185 ￥0.7023
2500+
￥0.60819 ￥0.6402
4000+
￥0.572755 ￥0.6029

有货

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型号：NSG2104 编号：C7421063

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、拉/灌电流：0.26/0.6A

5+
￥1.324015 ￥1.3937
50+
￥1.14551 ￥1.2058
150+
￥1.06894 ￥1.1252
500+
￥0.973465 ￥1.0247
2500+
￥0.931 ￥0.98
4000+
￥0.905445 ￥0.9531

有货

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型号：NSG6002 编号：C41414491

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、拉/灌电流：0.6/1.1A

5+
￥1.471835 ￥1.5493
50+
￥1.14209 ￥1.2022
150+
￥1.00073 ￥1.0534
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￥0.82441 ￥0.8678
2500+
￥0.745845 ￥0.7851
4000+
￥0.698725 ￥0.7355

有货

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型号：NSG21867 编号：C41414500

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：4/4A

1+
￥2.9545 ￥3.11
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￥2.603 ￥2.74
30+
￥2.4225 ￥2.55
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￥2.2515 ￥2.37
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￥2.147 ￥2.26
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￥2.09 ￥2.2

有货

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型号：EG1397 编号：C20416232

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG1397是一款应用在半桥拓扑中的高性能控器，如串联谐振、并联谐振和LLC谐振控制器。它集成650V半桥驱动器，较少的外围器件，可以简化布图。EG1397采用独特的架构，包括最高500kHz压控振荡器，具有灵活性的控制模式，可实现可靠稳定的谐振模式电源。EG1397具有完善的保护功能，可配置设置以适用更宽的应用范围。其中包括：过流保护自恢复、欠压保护、软启动、光耦开路和短路保护功能。可配置死区时间可以防止上下桥MOS管同时导通，适用不同功率场合。

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￥3.39
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￥2.98
30+
￥2.78
100+
￥2.58

有货

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型号：EG1612 编号：C2987441

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：EG(屹晶微)

EG1612芯片是一款专用于逆变器前级推挽或全桥升压的控制芯片，集成了三路高压半桥驱动器，提供了蓄电池欠压和过压关断、欠压蜂鸣和过流关断保护，输出两路推挽模式的40K-111KHz PWM信号，电压反馈采用了浅闭环稳压模式，能实现最高电压限制，防止空载时电压过高而导致烧MOS管的现象，同时节省了变压器输出的滤波电感，降低整体成本及PCB空间。

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￥14.18
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￥12.01
30+
￥10.65

有货

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型号：NSG2007 编号：C7421055

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.814815 ￥0.8577
50+
￥0.71155 ￥0.749
150+
￥0.66728 ￥0.7024
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￥0.612085 ￥0.6443
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￥0.587575 ￥0.6185
4000+
￥0.572755 ￥0.6029

有货

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型号：NSG6020 编号：C41414501

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：4/4A

1+
￥1.9285 ￥2.03
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￥1.6815 ￥1.77
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￥1.577 ￥1.66
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￥1.444 ￥1.52
500+
￥1.387 ￥1.46
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￥1.3585 ￥1.43

有货

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型号：RSC6105S 编号：C19674323

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

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￥2.337 ￥2.46
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￥2.28 ￥2.4
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￥2.242 ￥2.36
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￥2.204 ￥2.32

有货

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型号：SM7320ESQG-VB 编号：C20417614

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥2.771 ￥3.26
10+
￥2.703 ￥3.18
30+
￥2.6605 ￥3.13
100+
￥2.618 ￥3.08

有货

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型号：FDMS3604S-VB 编号：C7494528

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥3.0515 ￥3.59
10+
￥2.992 ￥3.52
30+
￥2.9495 ￥3.47
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￥2.907 ￥3.42

有货

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型号：SM7340EHKP-VB 编号：C7568918

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥3.094 ￥3.64
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￥3.026 ￥3.56
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￥2.9835 ￥3.51
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￥2.941 ￥3.46

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型号：UCC21540ADWKR 编号：C5216343

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

数据手册

1+
￥9.91
10+
￥8.15
30+
￥7.19

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型号：NSG3021 编号：C41414486

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

300V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.8/1.2A

5+
￥0.675925 ￥0.7115
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￥0.53428 ￥0.5624
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￥0.463505 ￥0.4879
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￥0.4104 ￥0.432
2500+
￥0.367935 ￥0.3873
4000+
￥0.346655 ￥0.3649

有货

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型号：G2020 编号：C7421049

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

1+
￥0.70091 ￥0.7378
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￥0.55404 ￥0.5832
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￥0.480605 ￥0.5059
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￥0.4256 ￥0.448
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￥0.38152 ￥0.4016
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￥0.35948 ￥0.3784

有货

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型号：NSG2008 编号：C7421056

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.815575 ￥0.8585
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￥0.712215 ￥0.7497
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￥0.667945 ￥0.7031
500+
￥0.61275 ￥0.645
2500+
￥0.588145 ￥0.6191
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￥0.573325 ￥0.6035

有货

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型号：FDMS9600S-VB 编号：C20626258

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥2.771 ￥3.26
10+
￥2.703 ￥3.18
30+
￥2.6605 ￥3.13
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￥2.618 ￥3.08

有货

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型号：NTMFD4902NF1G-VB 编号：C20755562

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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￥2.771 ￥3.26
10+
￥2.703 ￥3.18
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￥2.6605 ￥3.13
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￥2.618 ￥3.08

有货

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型号：AON6924-VB 编号：C7494557

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥3.0515 ￥3.59
10+
￥2.992 ￥3.52
30+
￥2.9495 ￥3.47
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￥2.907 ￥3.42

有货

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型号：RSC6107S 编号：C19674324

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥3.059 ￥3.22
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￥2.983 ￥3.14
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￥2.926 ￥3.08
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￥2.8785 ￥3.03

有货

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型号：FDMS7602S-VB 编号：C7428964

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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￥3.06 ￥3.6
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￥3.0005 ￥3.53
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￥2.958 ￥3.48
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￥2.9155 ￥3.43

有货

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型号：BSC0923NDI-VB 编号：C42428233

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。

1+
￥3.097 ￥3.26
10+
￥3.021 ￥3.18
30+
￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：BSC0921NDI-VB 编号：C42428232

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。

1+
￥3.097 ￥3.26
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￥3.021 ￥3.18
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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：BSC0910NDI-VB 编号：C42428234

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。

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￥3.097 ￥3.26
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￥3.021 ￥3.18
30+
￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：SM7360EKQG-VB 编号：C20755113

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥3.097 ￥3.26
10+
￥3.021 ￥3.18
30+
￥2.9735 ￥3.13
100+
￥2.926 ￥3.08

有货

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型号：NSG2011 编号：C41414482

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

1+
￥3.5055 ￥3.69
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￥3.1065 ￥3.27
30+
￥2.907 ￥3.06
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￥2.717 ￥2.86
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￥2.603 ￥2.74
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￥2.5365 ￥2.67

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型号：RSC6112S 编号：C19674325

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥4.142 ￥4.36
10+
￥4.0375 ￥4.25
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￥3.971 ￥4.18
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￥3.9045 ￥4.11

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型号：EG1165S 编号：C2987435

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压半桥 PWM 控制芯片，内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能，非常适合高压大功率场合应用，配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入。

数据手册

1+
￥4.99
10+
￥4.02
50+
￥3.53
100+
￥3.05

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型号：FDMS7608S-VB 编号：C20755136

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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￥5.0405 ￥5.93
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￥4.0715 ￥4.79
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