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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动
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EG1163是一款高压大电流降压型DC-DC电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能,非常适合高压大电流场合应用,配合外部高压MOS管最高能支持600V电源电压输入。
数据手册
  • 1+

    ¥5.38
  • 10+

    ¥4.33
  • 30+

    ¥3.8
  • 100+

    ¥3.28
  • 500+

    ¥2.93
  • 1000+

    ¥2.77
  • 有货
  • TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载
    • 1+

      ¥10.06
    • 10+

      ¥9.16
    • 30+

      ¥8.59
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      ¥8.01
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      ¥7.75
    • 1000+

      ¥7.64
  • 有货
  • 一款高压半桥 PWM 控制芯片,内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能,非常适合高压大功率场合应用,配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.97
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      ¥3.15
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      ¥2.74
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      ¥2.34
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      ¥2.22
    • 1000+

      ¥2.09
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.26/0.6A
    • 5+

      ¥2.1089
    • 50+

      ¥1.6568
    • 150+

      ¥1.463
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      ¥1.2213
    • 2500+

      ¥1.1136
    • 4000+

      ¥1.049
  • 有货
  • UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品,其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A,可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距,有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为100V/ns。保护特性包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器(可抑制短于5ns的输入瞬变),以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定(UVLO)保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.64
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      ¥8.56
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      ¥7.79
    • 100+

      ¥7.1
    • 500+

      ¥6.77
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  • EG1151是一款四开关降压-升压型DC-DC 电源管理芯片。内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动等功能。能根据输入和输出电压的具体关系和不同负载条件采取相应的控制策略。在输入电压的整个波动范围内提供稳定的电压输出。非常适合宽电压范围大电流需要升降压的,特别是电池供电的电压并不恒定的场合,同时支持对蓄电池充电。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.28
    • 10+

      ¥9.53
    • 30+

      ¥8.44
    • 100+

      ¥7.23
  • 有货
  • 250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A
    • 1+

      ¥0.7378
    • 10+

      ¥0.5832
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      ¥0.5059
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      ¥0.4016
    • 1000+

      ¥0.3784
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥2.87
    • 10+

      ¥2.25
    • 30+

      ¥1.99
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      ¥1.51
    • 1000+

      ¥1.42
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥3.13
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.6
    • 100+

      ¥2.43
    • 500+

      ¥2.32
    • 1000+

      ¥2.27
  • 有货
  • EG1166是一款集成600V半桥驱动的双管正激电源管理芯片,内部集成基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、短路保护、半桥驱动、主动同步整流等功能,非常适合高压大电流场合应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥3.2
    • 30+

      ¥3
    • 100+

      ¥2.8
    • 500+

      ¥2.68
  • 有货
  • 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.75
    • 10+

      ¥10.49
    • 30+

      ¥9.61
    • 100+

      ¥8.8
  • 有货
  • TLE94106ES是一款具备保护功能的六路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风与空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载
    数据手册
    • 1+

      ¥9.04
    • 10+

      ¥8.22
    • 30+

      ¥7.71
    • 100+

      ¥7.19
  • 有货
  • TLE94112ES是一款带保护功能的12通道半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从3路输出到12路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器可用于顺序或并行驱动直流电机负载。正转(顺时针)、反转(逆时针)、制动和高阻抗等运行模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备短路、开路负载、电源故障和过温检测等诊断功能。结合其低静态电流特性,该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的散热性能,可减少PCB板空间和成本。
    • 1+

      ¥21.04
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      ¥18.01
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      ¥16.21
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      ¥14.38
  • 有货
  • 250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A
    • 1+

      ¥0.7828
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      ¥0.4233
  • 有货
  • 待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V,低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻,SD内建了一个500K上拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO + /-0.3/0.6A,采用SOP8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1233
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      ¥0.9721
    • 150+

      ¥0.9073
    • 500+

      ¥0.8264
  • 有货
  • 250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A
    • 5+

      ¥1.1605
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      ¥0.9113
    • 150+

      ¥0.8045
    • 500+

      ¥0.6712
    • 2500+

      ¥0.6118
    • 5000+

      ¥0.5762
  • 有货
  • 高低边半桥驱动,10V-20V 电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.56
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    • 500+

      ¥2.97
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款半桥N+N型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6);2个N—Channel沟道,30V;60A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    • 1+

      ¥5.202 ¥6.12
    • 10+

      ¥4.2245 ¥4.97
    • 30+

      ¥3.74 ¥4.4
    • 100+

      ¥3.2555 ¥3.83
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    • 1000+

      ¥2.822 ¥3.32
  • 有货
  • UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出,能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍,而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间,从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括:当 DIS 设置为高电平时,通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.9
    • 10+

      ¥11.79
    • 30+

      ¥10.22
  • 有货
  • 是一款100V半桥驱动器,用于在半桥或同步应用中驱动增强模式氮化镓(GaN)FET或具有低栅极阈值电压的N沟道MOSFET。具有独立的高端(HS)和低端(LS)脉冲宽度调制(PWM)输入,为高端驱动器电压提供自举技术,可在高达100V的电压下工作。新的充电技术可防止高端驱动器电压超过VCC电压,从而防止栅极电压超过GaN FET的最大栅源电压额定值。有两个独立的栅极输出,允许通过在栅极回路中添加阻抗来独立调整导通和关断能力,可在高达数MHz的频率下工作。采用带有可焊侧翼的QFN-14(3mmx3mm)封装。
    • 1+

      ¥20.2355
    • 50+

      ¥18.2074
    • 100+

      ¥16.9585
  • 有货
  • 高低边半桥驱动,10V-20V 电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.49
    • 500+

      ¥2.38
    • 1000+

      ¥2.32
  • 有货
  • 是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路,可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz,输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V,静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能(ZCD),可自动设置死区时间,防止高端和低端输出功率管的同时导通。
    • 1+

      ¥4.218 ¥4.44
    • 10+

      ¥3.3915 ¥3.57
    • 30+

      ¥2.983 ¥3.14
    • 100+

      ¥2.5745 ¥2.71
    • 500+

      ¥2.337 ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.204 ¥2.32
  • 有货
  • EG1397是一款应用在半桥拓扑中的高性能控器,如串联谐振、并联谐振和LLC谐振控制器。它集成650V半桥驱动器,较少的外围器件,可以简化布图。EG1397采用独特的架构,包括最高500kHz压控振荡器,具有灵活性的控制模式,可实现可靠稳定的谐振模式电源。EG1397具有完善的保护功能,可配置设置以适用更宽的应用范围。其中包括:过流保护自恢复、欠压保护、软启动、光耦开路和短路保护功能。可配置死区时间可以防止上下桥MOS管同时导通,适用不同功率场合。
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥3.8
    • 30+

      ¥3.32
    • 100+

      ¥2.83
    • 500+

      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款半桥N+N型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6);2个N—Channel沟道,30V;60A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    • 1+

      ¥5.0405 ¥5.93
    • 10+

      ¥4.0715 ¥4.79
    • 30+

      ¥3.5785 ¥4.21
    • 100+

      ¥3.1025 ¥3.65
    • 500+

      ¥2.7625 ¥3.25
    • 1000+

      ¥2.618 ¥3.08
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款半桥N+N型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6);2个N—Channel沟道,30V;60A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    • 1+

      ¥5.202 ¥6.12
    • 10+

      ¥4.2245 ¥4.97
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      ¥3.74 ¥4.4
    • 100+

      ¥3.2555 ¥3.83
    • 500+

      ¥2.9665 ¥3.49
    • 1000+

      ¥2.822 ¥3.32
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款半桥N+N型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6);2个N—Channel沟道,30V;60A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    • 1+

      ¥5.202 ¥6.12
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      ¥4.2245 ¥4.97
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      ¥3.74 ¥4.4
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      ¥3.2555 ¥3.83
    • 500+

      ¥2.9665 ¥3.49
    • 1000+

      ¥2.822 ¥3.32
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款半桥N+N型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6);2个N—Channel沟道,30V;60A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    • 1+

      ¥5.202 ¥6.12
    • 10+

      ¥4.2245 ¥4.97
    • 30+

      ¥3.74 ¥4.4
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      ¥3.2555 ¥3.83
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      ¥2.9665 ¥3.49
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      ¥2.822 ¥3.32
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款半桥N+N型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6);2个N—Channel沟道,30V;60A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
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      ¥5.202 ¥6.12
    • 10+

      ¥4.2245 ¥4.97
    • 30+

      ¥3.74 ¥4.4
    • 100+

      ¥3.2555 ¥3.83
    • 500+

      ¥2.9665 ¥3.49
    • 1000+

      ¥2.822 ¥3.32
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;是一款半桥N+N型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6);2个N—Channel沟道,30V;60A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
    • 1+

      ¥5.2955 ¥6.23
    • 10+

      ¥4.318 ¥5.08
    • 30+

      ¥3.8335 ¥4.51
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      ¥3.349 ¥3.94
    • 500+

      ¥2.8985 ¥3.41
    • 1000+

      ¥2.754 ¥3.24
  • 有货
  • 台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);2个N—Channel沟道,30V;60A;RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;是一款半桥N+N型场效应管,采用Trench工艺制造,适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。
    • 1+

      ¥5.586 ¥5.88
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      ¥4.4935 ¥4.73
    • 30+

      ¥3.952 ¥4.16
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      ¥3.4105 ¥3.59
    • 500+

      ¥3.0875 ¥3.25
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      ¥2.926 ¥3.08
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