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首页 > 热门关键词 > 半桥驱动
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是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路,可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz,输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V,静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能(ZCD),可自动设置死区时间,防止高端和低端输出功率管的同时导通。
  • 1+

    ¥8.5785 ¥9.03
  • 10+

    ¥7.0395 ¥7.41
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    ¥6.194 ¥6.52
  • 100+

    ¥5.2345 ¥5.51
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    ¥4.8165 ¥5.07
  • 1000+

    ¥4.617 ¥4.86
  • 有货
  • TB9102FNG是一款集成了输出驱动器的电机控制IC,专为直接驱动汽车用有刷小型直流电机而设计。它可用作3通道H桥驱动器或6通道半桥驱动器。电机控制信号通过SPI接口从外部MCU输入
    数据手册
    • 1+

      ¥8.66
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      ¥7.73
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      ¥7.15
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      ¥6.56
    • 500+

      ¥6.29
  • 有货
  • UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ,借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI),可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联,以形成单个驱动器,由于具有一流的延迟匹配性能,因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括:DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出;INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态;输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns,所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能,有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能,这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性,适用于多种电源应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.02
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      ¥10.2
    • 30+

      ¥9.07
    • 100+

      ¥7.9
  • 有货
  • 通用型:双低侧、双高侧或半桥驱动器,符合 AEC - Q100 标准,测试结果如下: - 器件温度等级 1 - 结温范围:-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定(UVLO)选项 - 开关参数: - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断,用于电源排序。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.79
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      ¥13.26
    • 30+

      ¥11.67
    • 100+

      ¥10.05
  • 有货
  • MPQ6610 是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。它的供电电压范围为 4V 至 55V,最大输出电流可达 3A(具体取决于封装、PCB 设计和环境温度)。MPQ6610 可用于驱动有刷直流电机、螺线管或其他负载。内部电流检测电路提供与负载电流成比例的电压输出,还具备逐周期电流调节和限流功能,这些功能无需使用低阻值分流电阻。内部诊断和保护功能包括开路负载检测、过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)和热关断。MPQ6610 提供 8 引脚 TSOT23 和 SOIC - 8 封装。请注意,由于引脚间距较小,除非采用敷形涂层或灌封,否则 TSOT23 封装仅推荐用于最高 45V 的应用。
    • 1+

      ¥19.2524
    • 50+

      ¥18.4331
    • 100+

      ¥16.6308
  • 有货
  • MP86920 是一款单片半桥驱动器,内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。在较宽的输入电源范围内,它可实现 20A 的连续输出电流。由于优化的死区时间和降低的寄生电感,集成的驱动器和 MOSFET 实现了高效率。该器件可与三态输出控制器配合使用,工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。它还具备通用电流检测和温度检测功能。MP86920 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。它采用 LGA - 27(4mmx5mm)封装。
    • 1+

      ¥20.8909
    • 50+

      ¥19.4162
    • 100+

      ¥15.4838
  • 有货
  • 250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A
    • 1+

      ¥1.553725 ¥1.6355
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      ¥1.221415 ¥1.2857
    • 30+

      ¥1.07901 ¥1.1358
    • 100+

      ¥0.90136 ¥0.9488
    • 500+

      ¥0.822225 ¥0.8655
    • 1000+

      ¥0.774725 ¥0.8155
  • 有货
  • 高低边半桥驱动, 10V-20V 电源电压,600V高压, 2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.75
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      ¥2.42
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      ¥2.1
    • 500+

      ¥1.9
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      ¥1.8
  • 有货
  • 高低边半桥驱动,10V-20V 电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥4.01
    • 10+

      ¥3.56
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      ¥3.33
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      ¥3.11
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      ¥2.97
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • 高低边半桥驱动, 10V-20V电源电压,600V高压,2.5A峰值拉/灌电流
    • 1+

      ¥4.52
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      ¥3.65
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      ¥3.22
    • 100+

      ¥2.79
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      ¥2.54
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • 半桥驱动器 电源电压:4.5V~36V 输出类型:三态 低电平输出电流(IOL):1A 高电平输出电流(IOH):1A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.23
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      ¥4.24
    • 25+

      ¥3.61
  • 有货
  • 用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路,主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间,可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波,防止噪声干扰。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.92
    • 10+

      ¥4.75
    • 26+

      ¥4.21
  • 有货
  • 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离层与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.42
    • 10+

      ¥6.26
    • 30+

      ¥6.16
  • 有货
  • UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出,能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍,而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间,从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括:当 DIS 设置为高电平时,通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.9
    • 10+

      ¥11.79
    • 30+

      ¥10.22
  • 有货
  • 是隔离双通道栅极驱动器,源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。专为快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关而设计,具有短且匹配的传播延迟。输入到每个输出之间有两个独立的5 kVrms内部电流隔离,两个输出驱动器之间有内部功能隔离,允许最高1500 VDC的工作电压。该驱动器可用于两个低端、两个高端开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器的任何可能配置。ENA/DIS引脚在设置为低电平或高电平时分别用于启用或禁用模式,同时关闭两个输出。还提供其他重要保护功能,如两个栅极驱动器的独立欠压锁定和死区时间调整功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.37
    • 10+

      ¥29.13
    • 30+

      ¥26.01
    • 100+

      ¥22.86
  • 有货
  • 250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A
    • 5+

      ¥0.38 ¥0.4
    • 50+

      ¥0.37126 ¥0.3908
    • 150+

      ¥0.36537 ¥0.3846
    • 500+

      ¥0.35948 ¥0.3784
  • 有货
  • 650V N+N半桥驱动、高同低反逻辑、拉/灌电流:0.6/1.0A
    • 5+

      ¥0.75373 ¥0.7934
    • 50+

      ¥0.736155 ¥0.7749
    • 150+

      ¥0.724375 ¥0.7625
    • 500+

      ¥0.712595 ¥0.7501
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥2.679 ¥2.82
    • 10+

      ¥2.0995 ¥2.21
    • 30+

      ¥1.862 ¥1.96
    • 100+

      ¥1.5485 ¥1.63
    • 500+

      ¥1.4155 ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.33 ¥1.4
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥3.154 ¥3.32
    • 10+

      ¥2.793 ¥2.94
    • 30+

      ¥2.622 ¥2.76
    • 100+

      ¥2.4415 ¥2.57
    • 500+

      ¥2.337 ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.2895 ¥2.41
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、单输入(IN&/SD)、集成SD功能,拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥3.496 ¥3.68
    • 10+

      ¥3.1065 ¥3.27
    • 30+

      ¥2.907 ¥3.06
    • 100+

      ¥2.717 ¥2.86
    • 500+

      ¥2.603 ¥2.74
    • 1000+

      ¥2.5365 ¥2.67
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A、死区时间可调
    • 1+

      ¥4.199 ¥4.42
    • 10+

      ¥3.724 ¥3.92
    • 30+

      ¥3.496 ¥3.68
    • 100+

      ¥3.2585 ¥3.43
    • 500+

      ¥3.116 ¥3.28
    • 1000+

      ¥3.0495 ¥3.21
  • 有货
  • UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品,其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A,可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距,有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最低为100V/ns。保护特性包括:电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器(可抑制短于5ns的输入瞬变),以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定(UVLO)保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.04
    • 10+

      ¥7.11
    • 30+

      ¥6.23
  • 有货
  • MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内,它能够提供高达3A的输出电流。MP6610旨在驱动有刷直流电机、螺线管及其他负载
    • 1+

      ¥16.4669
    • 50+

      ¥14.255
    • 100+

      ¥13.1899
  • 有货
  • TLE 6208 - 3 G是一款全保护型三半桥驱动器,专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件基于西门子的SPT功率技术,允许双极和CMOS控制电路与DMOS功率器件集成在同一单芯片电路中。在运动控制中,最多可将2个执行器(直流电机)连接到3个半桥输出端(级联配置)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.0916 ¥29.18
    • 10+

      ¥17.3228 ¥27.94
    • 30+

      ¥16.8516 ¥27.18
    • 100+

      ¥16.461 ¥26.55
  • 有货
  • MP86933 是一款单片半桥驱动器,内置功率 MOSFET 和栅极驱动器。MP86933 在较宽的输入电源范围内可实现 12A 的连续输出电流,工作频率范围为 100kHz 至 2MHz。驱动器和 MOSFET 的集成通过优化死区时间和降低寄生电感实现了高效率。MP86933 可与三态输出控制器配合使用,并具备通用电流检测和温度检测功能。MP86933 非常适合对效率和尺寸要求较高的服务器和电信应用。MP86933 采用小型 FC-TQFN-13(3mmx3mm)封装。
    • 1+

      ¥32.77
    • 50+

      ¥30.548
    • 100+

      ¥27.363
  • 有货
  • 300V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:0.8/1.2A
    • 5+

      ¥0.67583 ¥0.7114
    • 50+

      ¥0.53428 ¥0.5624
    • 150+

      ¥0.46341 ¥0.4878
    • 500+

      ¥0.4104 ¥0.432
    • 2500+

      ¥0.36784 ¥0.3872
    • 4000+

      ¥0.346655 ¥0.3649
  • 有货
  • 250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流:4/4A、集成自举二极管(180ohm)
    • 1+

      ¥1.2635 ¥1.33
    • 10+

      ¥1.235 ¥1.3
    • 30+

      ¥1.216 ¥1.28
    • 100+

      ¥1.197 ¥1.26
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.26/0.6A
    • 5+

      ¥1.98892 ¥2.0936
    • 50+

      ¥1.561705 ¥1.6439
    • 150+

      ¥1.37864 ¥1.4512
    • 500+

      ¥1.150165 ¥1.2107
    • 2500+

      ¥1.048515 ¥1.1037
    • 4000+

      ¥0.98743 ¥1.0394
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥3.154 ¥3.32
    • 10+

      ¥2.793 ¥2.94
    • 30+

      ¥2.622 ¥2.76
    • 100+

      ¥2.4415 ¥2.57
    • 500+

      ¥2.337 ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.2895 ¥2.41
  • 有货
  • 700V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:4/4A
    • 1+

      ¥3.5055 ¥3.69
    • 10+

      ¥3.1065 ¥3.27
    • 30+

      ¥2.907 ¥3.06
    • 100+

      ¥2.717 ¥2.86
    • 500+

      ¥2.603 ¥2.74
    • 1000+

      ¥2.5365 ¥2.67
  • 有货
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