半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-16

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ，借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns，所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能，这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性，适用于多种电源应用。

数据手册

1+
￥12.02
10+
￥10.2
30+
￥9.07

有货

立即购买

型号：BSC0921NDI-VB 编号：C42428232

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：BSC0910NDI-VB 编号：C42428234

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：SM7360EKQG-VB 编号：C20755113

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥5.586 ￥5.88
10+
￥4.4935 ￥4.73
30+
￥3.952 ￥4.16
100+
￥3.4105 ￥3.59
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：RSC6107S 编号：C19674324

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥5.6905 ￥5.99
10+
￥4.541 ￥4.78
30+
￥3.9615 ￥4.17
100+
￥3.3915 ￥3.57
500+
￥3.0495 ￥3.21
1000+
￥2.8785 ￥3.03

有货

立即购买

型号：SM7340EHKP-VB 编号：C7568918

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥5.947 ￥6.26
10+
￥4.864 ￥5.12
30+
￥4.313 ￥4.54
100+
￥3.781 ￥3.98
500+
￥3.0875 ￥3.25
1000+
￥2.926 ￥3.08

有货

立即购买

型号：QM3807M6-VB 编号：C19190183

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥6.26
10+
￥5.12
30+
￥4.54
100+
￥3.98
500+
￥3.25
1000+
￥3.08

有货

立即购买

型号：RSC6112S 编号：C19674325

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥7.239 ￥7.62
10+
￥5.947 ￥6.26
30+
￥5.2345 ￥5.51
100+
￥4.427 ￥4.66
500+
￥4.066 ￥4.28
1000+
￥3.9045 ￥4.11

有货

立即购买

型号：RSC6120S 编号：C19674326

封装：SOP-14

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

是一款带有半桥驱动的LED恒流控制电路，可用于LLC谐振拓扑。电路工作频率可达130KHz，输入电压范围高达600V以上。内部集成了逻辑输入信号处理电路、欠压检测电路、过压保护电路、过温保护电路、CS反馈信号整流电路、误差放大器电路、压控振荡电路、电流过零检测电路、电平位移电路、半桥驱动电路等模块。VCC电源电压工作范围为8V~20V，静态工作电流为720uA。该芯片具有电流过零检测功能（ZCD），可自动设置死区时间，防止高端和低端输出功率管的同时导通。

1+
￥8.5785 ￥9.03
10+
￥7.0395 ￥7.41
30+
￥6.194 ￥6.52
100+
￥5.2345 ￥5.51
500+
￥4.8165 ￥5.07
1000+
￥4.617 ￥4.86

有货

立即购买

型号：EG1612 编号：C2987441

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：EG(屹晶微)

EG1612芯片是一款专用于逆变器前级推挽或全桥升压的控制芯片，集成了三路高压半桥驱动器，提供了蓄电池欠压和过压关断、欠压蜂鸣和过流关断保护，输出两路推挽模式的40K-111KHz PWM信号，电压反馈采用了浅闭环稳压模式，能实现最高电压限制，防止空载时电压过高而导致烧MOS管的现象，同时节省了变压器输出的滤波电感，降低整体成本及PCB空间。

1+
￥14.18
10+
￥12.01
30+
￥10.65

有货

立即购买

型号：MPQ6610GJ-AEC1-Z 编号：C7232116

封装：TSOT-23-8

品牌：MPS(芯源)

MPQ6610 是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。它的供电电压范围为 4V 至 55V，最大输出电流可达 3A（具体取决于封装、PCB 设计和环境温度）。MPQ6610 可用于驱动有刷直流电机、螺线管或其他负载。内部电流检测电路提供与负载电流成比例的电压输出，还具备逐周期电流调节和限流功能，这些功能无需使用低阻值分流电阻。内部诊断和保护功能包括开路负载检测、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）和热关断。MPQ6610 提供 8 引脚 TSOT23 和 SOIC - 8 封装。请注意，由于引脚间距较小，除非采用敷形涂层或灌封，否则 TSOT23 封装仅推荐用于最高 45V 的应用。

1+
￥19.2524
50+
￥18.4331
100+
￥16.6308

有货

立即购买

型号：TB9102FNG,EL 编号：C2150484

封装：SSOP-24-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB9102FNG是一款集成了输出驱动器的电机控制IC，专为直接驱动汽车用有刷小型直流电机而设计。它可用作3通道H桥驱动器或6通道半桥驱动器。电机控制信号通过SPI接口从外部MCU输入

数据手册

1+
￥8.66
10+
￥7.73
30+
￥7.15
100+
￥6.56
500+
￥6.29

有货

立即购买

型号：NSG2005 编号：C7421054

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.8574
50+
￥0.7488
150+
￥0.7022
500+
￥0.6441
2500+
￥0.6183

有货

立即购买

型号：NSG2003 编号：C41414480

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥1.2144
50+
￥0.9535
150+
￥0.8418
500+
￥0.7023
2500+
￥0.6402

有货

立即购买

型号：NSG6000 编号：C41414489

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A

5+
￥1.5064
50+
￥1.1876
150+
￥1.051
500+
￥0.8805
2500+
￥0.8046

有货

立即购买

型号：NSG2184 编号：C7421059

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、单输入（IN&/SD）、集成SD功能,拉/灌电流：4/4A

1+
￥3.32
10+
￥2.94
30+
￥2.76
100+
￥2.57
500+
￥2.46
1000+
￥2.4

有货

立即购买

型号：EG1165S 编号：C2987435

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

高压半桥 PWM 控制芯片，内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能，非常适合高压大功率场合应用，配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入。

数据手册

1+
￥4.99
10+
￥4.02
50+
￥3.53
100+
￥3.05

有货

立即购买

型号：XD754410 编号：C556262

封装：DIP-16

品牌：XINLUDA(信路达)

半桥驱动器电源电压：4.5V~36V 输出类型：三态低电平输出电流(IOL)：1A 高电平输出电流(IOH)：1A

数据手册

1+
￥5.23
10+
￥4.24
25+
￥3.61
100+
￥3.12

有货

立即购买

型号：NSG2113 编号：C7421057

封装：SOIC-16-300mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、集成SD功能、拉/灌电流：4/4A、VSS/COM地隔离

1+
￥5.87
10+
￥4.72
30+
￥4.15
100+
￥3.59
500+
￥3.25

有货

立即购买

型号：EG2136 编号：C480663

封装：SOP-28-300mil

品牌：EG(屹晶微)

用作N型功率MOSFET和IGBT等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。

数据手册

1+
￥6.25
10+
￥5.09
26+
￥4.55
104+
￥3.97

有货

立即购买

型号：UCC21330BQDRQ1 编号：C34414221

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

通用型：双低侧、双高侧或半桥驱动器，符合 AEC - Q100 标准，测试结果如下： - 器件温度等级 1 - 结温范围：-40 至 +150°C - 最高 4A 峰值源电流和 6A 峰值灌电流输出 - 共模瞬态抗扰度（CMTI）大于 125V/ns - 最高 25V 的 VDD 输出驱动电源 - 提供 5V、8V、12V 的 VDD 欠压锁定（UVLO）选项 - 开关参数： - 典型传播延迟 33ns - 最大脉冲宽度失真 5ns - 最大 VDD 上电延迟 10µs - 所有电源均具备 UVLO 保护 - 支持快速关断，用于电源排序。

数据手册

1+
￥15.91
10+
￥13.37
30+
￥11.79

有货

立即购买

型号：UCC21220DR 编号：C2878023

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ，借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns，所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能，这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性，适用于多种电源应用。

数据手册

1+
￥17.75
10+
￥14.89
30+
￥13.1

有货

立即购买

型号：UCC21530DWKR 编号：C2677139

封装：SOIC-14P-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21530 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 至少为 100V/ns。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V 的工作电压。该器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

数据手册