半桥驱动_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8

MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内，它能够提供高达3A的输出电流。MP6610专为驱动有刷直流电机、螺线管和其他负载而设计。内部电流检测电路可提供与负载电流成正比的输出电压。MP6610还具备逐周期电流限制和调节功能。这些功能无需使用低阻值分流电阻。内部诊断和保护功能包括开路负载检测（OLD）、过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）和热关断。MP6610提供8引脚TSOT23 - 8和SOIC - 8封装。由于引脚间距较小，除非采用敷形涂层或灌封，否则TSOT23 - 8封装仅推荐用于最高45V的应用。

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型号：3520DESA/T 编号：C336588

封装：SOIC-8

品牌：VP(中芯集成)

相同型号IMP3520DESA/T 3520D集成600V半桥驱动的自适应镇流器控制芯片，是一款应用于紧凑型荧光灯的芯片。此芯片包含自适应零电压开关，峰值因子过流保护功能，同时还集成了自举二极管。该芯片最核心的部分是一个最小频率外部可调的压控振荡器。

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型号：UCC21540ADWR 编号：C2878545

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列产品，其设计的峰值源/灌电流最高可达4A/6A，可驱动功率MOSFET、IGBT和GaN晶体管。采用DWK封装的UCC2154x还提供了最小3.3mm的通道间间距，有助于实现更高的总线电压。UCC2154x系列可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5.7kVRMS的隔离屏障与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）最低为100V/ns。保护特性包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能、集成去毛刺滤波器（可抑制短于5ns的输入瞬变），以及输入和输出引脚可承受长达200ns、最高-2V尖峰的负电压处理能力。所有电源均具备欠压锁定（UVLO）保护。

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型号：VBQA3303G 编号：C7429162

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于功率开关和半桥驱动的应用场景。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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型号：6EDL7141XUMA1 编号：C3655737

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

MOTIX 6EDL7141 是一款用于三相无刷直流（BLDC）或永磁同步电机（PMSM）驱动应用的栅极驱动 IC。它提供三个半桥驱动器，每个驱动器都能够驱动一个高端和一个低端 N 型 MOSFET。该栅极驱动器还具备可编程死区时间延迟功能，用于在正常运行时防止高端（HS）和低端（LS）开关之间出现电流直通现象。用于低端和高端栅极驱动器的独立电荷泵支持 100%占空比和低电压供电运行。栅极驱动器的供电电压可在以下电平中进行编程选择：7V、10V、12V 或 15V。此外，驱动信号的压摆率可以进行精细编程，以降低电磁干扰（EMI）辐射。一个集成的同步降压转换器为系统的其余部分提供高效的电流供应。然而，电动工具系统需要高精度的电流测量，这涉及到非常精确的 ADC 参考电压。为此，6EDL7141 使用一个由降压转换器供电的线性稳压器（最大 300mA），为系统中的微控制器（MCU）和其他敏感组件供电。采用这种先进的电源架构，不仅能实现尽可能好的信号质量，还能在任何输入和输出条件下优化电源效率。6EDL7141 包含三个电流检测放大器，用于精确的电流测量，支持具有可编程增益的双向低端电流检测。通过将相节点内部连接到电流检测放大器的输入，支持 RDSON 检测。如果需要，温度补偿应由用户应用程序提供。电流检测放大器的输出支持 3.3V 和 5V，使大多数商用控制器都能兼容。低噪声、低建立时间和高精度是集成运算放大器的主要特点。内部缓冲器可用于对检测放大器的输出进行偏移调整，以优化动态范围。该器件提供了众多保护功能，用于在不利条件下提高应用的鲁棒性，例如监测电源电压以及系统参数。该器件的故障行为、阈值电压和监测滤波时间可通过 SPI 进行调节。监测的方面包括逆变器电流、栅极驱动电压和电流、器件温度以及转子锁定。当发生故障时，器件停止驱动并将 nFAULT 引脚拉低，以防止系统损坏或其他可能的故障。该信号可连接到微控制器，通知处理器发生了故障。微控制器可以通过 SPI 命令请求获取更多关于故障的信息。集成的 SPI 接口可用于为应用配置 6EDL7141。SPI 既提供详细的故障报告，又提供灵活的参数设置，如电流检测放大器的增益、栅极驱动器的压摆率控制、各种保护功能或栅极驱动电压。

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型号：MAX15013CASA+ 编号：C1549513

封装：ESOP-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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￥74.412 / 个

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型号：INS2001FQ 编号：C22439612

封装：FCQFN-12(3x3)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

是一款100V半桥驱动器，旨在高效驱动高端和低端氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。专为GaN FET设计，解决了传统MOSFET驱动解决方案面临的诸多挑战。内部智能自举（BST）开关可防止在死区时间内高端浮动电源BST电容过度充电，从而保护GaN FET的栅极，同时为GaN FET的两侧保持一致的栅极电压。提供丰富的故障保护，包括独立的VCC和BST欠压锁定、VCC过压锁定和过温保护。有两个逻辑输入，可独立控制高端和低端驱动器，实现最大灵活性，驱动器具有分离输出，可分别调节导通和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配使其适用于高功率和高频应用。

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型号：UCC21330CQDRQ1 编号：C42064801

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

是一款具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。设计有4A峰值源电流和6A峰值灌电流，用于驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kV有效值隔离屏障与两个输出驱动器隔离，最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为125V/ns。保护功能包括：电阻可编程死区时间、可同时关闭两个输出的禁用功能，以及可抑制短于5ns的输入瞬变的集成去毛刺滤波器。所有电源均具有欠压锁定（UVLO）保护。凭借这些先进特性，该器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和高可靠性。

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￥6.383934 / 个

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型号：MP6610GJ-Z 编号：C3655224

封装：TSOT-23-8

品牌：MPS(芯源)

MP6610是一款具备电流测量和调节功能的半桥驱动器。在4V至55V的宽输入电压范围内，它能够提供高达3A的输出电流。MP6610旨在驱动有刷直流电机、螺线管及其他负载

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型号：UCC21530BQDWKRQ1 编号：C5216346

封装：SOIC-14-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC21530-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器被设计用于驱动高达 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET，具有出色的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过 5.7kV_RMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI)至少为 100V/ns 。两个次级侧驱动器之间的内部功能隔离支持高达 1850V的工作电压。该驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN 引脚拉至低电平时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。3V 到 18V 的宽输入电压 VCCI 范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。

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￥25.101398 / 个

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型号：MP86962GMJT-Z 编号：C20751589

封装：TLGA-41(5x6)

品牌：MPS(芯源)

MP86962是一款单片半桥驱动器，内置功率MOSFET和栅极驱动器。在较宽的输入电源电压（VIN）范围内，MP86962的连续输出电流（IOUT）最高可达80A。MP86962采用单片集成电路，每相可驱动高达80A的电流

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￥47.461
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型号：UCC27712D 编号：C2871999

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

支持互锁功能的 1.8A/2.8A、620V 半桥驱动器 8-SOIC -40 to 125

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单价：
￥6.385105 / 个

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型号：UCC21551ADWKR 编号：C41835252

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UCC21551x 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。UCC21551x 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。凭借所有这些高级特性，UCC21551x 器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

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单价：
￥4.826876 / 个

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型号：UCC21521ADWR 编号：C47018396

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21521是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET，具有一流的传播延迟和脉宽失真度。输入侧通过一个5.7 kV RMS增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达1500 V DC的工作电压。每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。EN引脚拉低时会同时关闭两个输出，悬空或拉高时可使器件恢复正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。此器件接受高达25V的VDD电源电压。3V到18V的宽输入电压VCCI范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定(UVLO) 保护功能。凭借所有这些高级特性，UCC21521能够满足各类电源应用中对于高效率、高电源密度和稳健性的需求。

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单价：
￥17.76276 / 个

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型号：XDPS2201XUMA1 编号：C3191570

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

XDPS2201是一款数字混合反激控制器,具有集成的半桥驱动器,适用于高效AC/DC和DC/DC电源转换。该控制器支持宽范围的可配置参数,包括软启动、过流保护、频率抖动等。它还支持低待机功耗和快速充电功能。

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型号：MASTERGAN2TR 编号：C5267689

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

单价：
￥27.908259 / 个

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型号：MASTERGAN2 编号：C5267690

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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￥82.24
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型号：MASTERGAN5 编号：C3655030

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN 功率 HEMT 的高功率密度 600 V 半桥驱动器

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型号：IRS2008STRPBF 编号：C194307

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动

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型号：NCV7708FDQR2G 编号：C603998

封装：SSOP-24-NB-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV7708F 是一款全保护型六路半桥驱动器，特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置，也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。

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型号：MAX15013AASA+T 编号：C2677247

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

175V/2A、高速、半桥MOSFET驱动器、175V/2A半桥驱动器，具有低至35ns传输延时，驱动器之间具有8ns的传输延时匹配度

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型号：IR21844SPBF 编号：C212202

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

半桥驱动

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￥29.94
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型号：ISL78227ARZ 编号：C1530528

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78227是一款汽车级2相同步升压控制器,支持高功率升压应用。它集成了强大的半桥驱动器、模拟/数字跟踪输入和全面的保护功能。同步2相架构使其能够支持更高的电流,同时减少输入和输出电容器的尺寸。

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￥37.72
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型号：SI8273ABD-IS1 编号：C122902

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

超高CMTI 200kV/ms 超高速驱动器 4A驱动能力 GaN SiC 半桥驱动器相近型号：ADuM4223 ADuM3223 UCC21520 UCC20520

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型号：AiP2164SA8.TB 编号：C52260124

封装：SOP-8

品牌：I-CORE(中微爱芯)

250V高压半桥驱动电路

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￥1.4678
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￥0.7471

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型号：GD30DR8306KU 编号：C2889280

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

可编程功能多样，可用于广泛的应用领域，如三相无刷直流电机、电动自行车、电动工具等。是一款集成可选DC/DC降压控制器的三相栅极驱动器IC。该IC包括三个半桥驱动器，每个驱动器能够驱动两个NMOSFET，支持高达1.2A的源电流和1A的灌电流能力。驱动电流将根据应用中使用的不同功率MOSFET自动调整到最佳电流

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型号：UCC21222QDQ1 编号：C1549343

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。输入侧通过一个 3.0kV RMS 隔离栅与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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