DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：LAA710 编号：C461268

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

LAA710是一款双路常开（1-Form-A）固态继电器，包含两个独立控制的光耦合MOSFET开关。超高效MOSFET开关与光伏芯片相结合，可实现3750Vrms的输入输出隔离。采用专利OptoMOS架构的光耦合输出由高效红外LED控制

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1+
￥96.31
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￥89.59

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型号：HCPL-2232 编号：C7201485

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：PVT212PBF 编号：C538617

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计，采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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型号：HCPL-2430 编号：C7201487

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：CT817B-H 编号：C127187

封装：DIP-4

品牌：CT MICRO

CT817系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管通过光耦合组成，采用4引脚DIP封装，具有不同的引脚成型选项。

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100+
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型号：FOC-817C-F 编号：C6117609

封装：DIP-4

品牌：国星光电

直插式铁支架，电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V

10+
￥0.1811
100+
￥0.1424
300+
￥0.1128
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￥0.0999
5000+
￥0.0887
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￥0.0826

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型号：FOC-817A-F 编号：C7464737

封装：DIP-4

品牌：国星光电

电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V

10+
￥0.2235
100+
￥0.1792
300+
￥0.1313
1000+
￥0.1165
5000+
￥0.1037
10000+
￥0.0968

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型号：FOC-817B-F 编号：C7464738

封装：DIP-4

品牌：国星光电

直插式铁支架，电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V

10+
￥0.2242
100+
￥0.1799
300+
￥0.1313
1000+
￥0.1165
5000+
￥0.1037
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￥0.0968

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型号：FOC-817A 编号：C7464734

封装：DIP-4

品牌：国星光电

直插式铜支架，电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V

10+
￥0.2983
100+
￥0.2368
300+
￥0.2011
1000+
￥0.1781
5000+
￥0.1597
10000+
￥0.1505

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型号：FOC-817B 编号：C7464735

封装：DIP-4

品牌：国星光电

直插式铜支架，电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V

10+
￥0.3008
100+
￥0.2394
300+
￥0.2011
1000+
￥0.1781
5000+
￥0.1597
10000+
￥0.1505

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型号：BL817C 编号：C41416203

封装：DIP-4L

品牌：GME(银河微电)

10+
￥0.3252
100+
￥0.2532
300+
￥0.2172
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￥0.1902

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型号：FOC-817C 编号：C5151539

封装：DIP-4

品牌：国星光电

直插式铜支架，电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V

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10+
￥0.3253
100+
￥0.26
300+
￥0.2031
1000+
￥0.1786
5000+
￥0.159
10000+
￥0.1492

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型号：BL817MX 编号：C42378427

封装：DIP-4L

品牌：GME(银河微电)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA，VCE = 5V时为50%-600%。输入输出间高隔离电压（Viso）：5000V rms。集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。工作温度：-55°C-110°C。通过VDE认证。通过UL认证。应用：可编程控制器。系统电器、测量仪器

10+
￥0.3746
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￥0.2978
300+
￥0.2594
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￥0.2306

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型号：AT814B-CuH-D 编号：C20612639

封装：DIP-4

品牌：AOTE(奥特)

AT814是一款由两个发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装，三种形式 ( DIP、 DIP-M、SMD) 。广泛应用于：开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、复印机、家用电器（空调、风扇、热水器等）。

5+
￥0.5666
50+
￥0.4466
200+
￥0.3916
500+
￥0.3466
2500+
￥0.3106
5000+
￥0.2925

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型号：BL814B 编号：C41425713

封装：DIP-4L

品牌：GME(银河微电)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA，VCE = 5V时为20~300%。输入输出间高隔离电压（Viso）：5000V rms。集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。工作温度：-55°C ~ 110°C。应用：开关电源、智能电表。工业控制、测量仪器

5+
￥0.7022
50+
￥0.5582
200+
￥0.4862
500+
￥0.4322

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型号：MOC3063 编号：C41379065

封装：DIP-6

品牌：KTP(科泰普)

MOC3063设计用于与分立功率三端双向可控硅开关配合使用，用于逻辑系统与线路供电的设备（例如固态继电器、工业控制器、电机、螺线管）

5+
￥1.0325
50+
￥0.8108
130+
￥0.7157

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型号：MPC3063-GV 编号：C47361116

封装：DIP-6

品牌：MP(美禄科技)

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3061(触发电流≤15mA)，3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥1.222
50+
￥0.968
130+
￥0.8591
520+
￥0.7233
2080+
￥0.6628
4160+
￥0.6265

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型号：KMOC3063 编号：C136467

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于与可控硅配合使用，应用于由115/240 VAC线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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5+
￥1.2995
50+
￥1.0222
130+
￥0.9033

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型号：KMOC3083 编号：C136429

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的GaAs红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

数据手册

5+
￥1.8042
50+
￥1.4262
130+
￥1.2642
520+
￥1.0621
1950+
￥0.9721
5850+
￥0.918

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型号：MOC3083M-V 编号：C5124525

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6 引脚 DIP 过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM：最小值 800V。高断态电压临界上升率（dv/dt：最小值 800V/μs）。多种封装形式：双列直插式封装、宽引脚间距封装、表面贴装封装、卷带封装。安全认证：UL/CSA/FIMKO/VDE 认证。应用：AC 电机驱动器。 AC 电机启动器

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1040+
￥2.137565
3120+
￥1.701782
5200+
￥1.458635

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型号：HCPL-7721-C1H0 编号：C48392821

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

应用于数字现场总线隔离交流、等离子显示面板电平移位、多路数据传输、计算机外围接口和微处理器系统接口

1+
￥21.56
10+
￥18.34
50+
￥16.43

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型号：HCPL-3150-300E 编号：C6795894

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该Broadcom HCPL-315X由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，HCPL-3150/315J可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。