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  • 光耦合逻辑门。HCPL22XX和HCPL-02XX包含GaAsP LED,而HCNW22XX包含AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。
    • 1+

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      ¥29.17
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      ¥28.7
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    • 50+

      ¥28.8
  • 有货
  • 光耦合逻辑门。内置GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和带内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232和HCNW2211上的高级内部屏蔽可保证在1000V共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.91
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      ¥25.35
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      ¥29.3
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      ¥31.06
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  • 有货
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      ¥32.32
    • 50+

      ¥31.83
  • 有货
  • 是一种光耦合门,结合了AlGaAs发光二极管和集成光电探测器,采用宽体封装。发射二极管和光电探测器之间的绝缘距离(DTI)为2mm。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在Vₑₘ = 1500V时提供20kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。爬电距离和电气间隙大于13mm,设计用于提供高隔离电压(7500Vᵣₘₛ),能够承受2262Vₚₑₐₖ的连续高工作电压和12,000Vₚₑₐₖ的浪涌电压,符合IEC60747-5-5、UL和CSA的加强绝缘标准,能在10MBd的高数据速率下提供高绝缘电压保护。
    • 1+

      ¥33.85
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      ¥33.1
    • 30+

      ¥32.6
  • 有货
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      ¥34.41
    • 10+

      ¥33.61
    • 30+

      ¥33.08
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥37.78
    • 10+

      ¥32.81
    • 42+

      ¥29.86
  • 有货
    • 1+

      ¥38.63
    • 10+

      ¥37.77
    • 50+

      ¥37.2
  • 有货
    • 1+

      ¥40.34
    • 10+

      ¥39.45
    • 30+

      ¥38.85
  • 有货
  • 适用于注重峰值负载电流处理能力的应用。适用于需要在两条不同线路之间切换信号的应用。小型 8 引脚封装,是 1-Form-C 机电继电器 (EMR) 的理想节省空间的替代品。
    数据手册
    • 1+

      ¥43.42
    • 10+

      ¥42.4
    • 30+

      ¥41.72
  • 有货
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    • 10+

      ¥42.57
    • 50+

      ¥41.93
  • 有货
    • 1+

      ¥45.28
    • 10+

      ¥44.28
    • 30+

      ¥43.61
  • 有货
    • 1+

      ¥51.28
    • 10+

      ¥50.15
    • 50+

      ¥49.39
  • 有货
    • 1+

      ¥52.48
    • 10+

      ¥51.27
    • 30+

      ¥50.45
  • 有货
  • LBA110 包含两个独立的 350V、120mA、35Ω 固态继电器:一个单刀常开(1-Form-A)继电器和一个单刀常闭(1-Form-B)继电器。LBA110 旨在为需要互补的 Form-A/Form-B 继电器对的应用场景提供理想解决方案。
    数据手册
    • 1+

      ¥53.6
    • 10+

      ¥46.43
    • 50+

      ¥42.06
  • 有货
    • 1+

      ¥55.07
    • 10+

      ¥53.85
    • 50+

      ¥53.04
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200 A、600 V/300 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有最高1414 Vpeak的绝缘电压。
    • 1+

      ¥55.13
    • 10+

      ¥46.92
    • 30+

      ¥41.92
  • 有货
    • 1+

      ¥56.35
    • 10+

      ¥55.1
    • 50+

      ¥54.27
  • 有货
    • 1+

      ¥57.38
    • 10+

      ¥56.11
    • 30+

      ¥55.26
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥60.28
    • 10+

      ¥52.21
    • 30+

      ¥47.29
  • 有货
  • LBB127是一款250V、200mA、10Ω的双常闭(1-Form-B)固态继电器,包含两个独立控制的光耦合MOSFET开关。它采用8引脚封装,采用光耦合MOSFET技术,实现3750Vrms的输入输出隔离。其光耦合输出采用专利的OptoMOS架构,由高效红外LED控制
    数据手册
    • 1+

      ¥62.43
    • 10+

      ¥61.05
    • 50+

      ¥60.13
  • 有货
  • 光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造,在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器,由于较低的 IF 和 VF 规格,在给定数据速率下,其可在更长的线路长度上工作。
    • 1+

      ¥85.42
    • 10+

      ¥73.99
    • 50+

      ¥67.02
  • 有货
  • PAA140L是一款限流型双路常开(1-Form-A)固态继电器,采用光耦合MOSFET技术,可实现3750Vrms的输入输出隔离。其光耦合输出采用专利OptoMOS架构,由高效红外LED控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥90.21
    • 10+

      ¥86.19
    • 50+

      ¥79.21
  • 有货
  • 是400V、250mA、8Ω、双常开(1-Form-A)继电器。这款高性能产品具备高峰值负载电压处理能力和极低的导通电阻,适用于特殊应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥93.03
    • 10+

      ¥88.88
    • 50+

      ¥81.68
  • 有货
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