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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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    ¥33.61
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    ¥33.08
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥37.78
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      ¥29.86
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    • 10+

      ¥37.77
    • 50+

      ¥37.2
  • 有货
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      ¥40.34
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      ¥39.45
    • 30+

      ¥38.85
  • 有货
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      ¥41.38
    • 30+

      ¥40.75
  • 有货
  • 是一款60V、1A、0.5Ω的常开(1-Form-A)固态继电器,具有低导通电阻和高电流处理能力。它采用光耦合MOSFET技术,提供3750Vrms的输入到输出隔离。其光耦合输出采用专利的OptoMOS架构,由高效红外LED控制。可用于取代机械继电器,并具有半导体器件的卓越可靠性。由于它没有移动部件,可在更紧凑的表面贴装或通孔封装中提供更快、无抖动的开关。
    数据手册
    • 1+

      ¥42.48
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      ¥37.76
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  • 有货
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    • 10+

      ¥42.57
    • 50+

      ¥41.93
  • 有货
  • LBA110 包含两个独立的 350V、120mA、35Ω 固态继电器:一个单刀常开(1-Form-A)继电器和一个单刀常闭(1-Form-B)继电器。LBA110 旨在为需要互补的 Form-A/Form-B 继电器对的应用场景提供理想解决方案。
    数据手册
    • 1+

      ¥53.6
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      ¥46.43
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      ¥42.06
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    • 10+

      ¥53.85
    • 50+

      ¥53.04
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200 A、600 V/300 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有最高1414 Vpeak的绝缘电压。
    • 1+

      ¥55.13
    • 10+

      ¥46.92
    • 30+

      ¥41.92
  • 有货
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      ¥56.35
    • 10+

      ¥55.1
    • 50+

      ¥54.27
  • 有货
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      ¥57.38
    • 10+

      ¥56.11
    • 30+

      ¥55.26
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥60.28
    • 10+

      ¥52.21
    • 30+

      ¥47.29
  • 有货
  • LBB127是一款250V、200mA、10Ω的双常闭(1-Form-B)固态继电器,包含两个独立控制的光耦合MOSFET开关。它采用8引脚封装,采用光耦合MOSFET技术,实现3750Vrms的输入输出隔离。其光耦合输出采用专利的OptoMOS架构,由高效红外LED控制
    数据手册
    • 1+

      ¥62.43
    • 10+

      ¥61.05
    • 50+

      ¥60.13
  • 有货
  • 专为高电流应用而设计,常见于工业设备中。该继电器是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成,该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5 mA时,继电器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器关闭(触点断开)。电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点,仅允许继电器切换直流负载。
    • 1+

      ¥70.53
    • 10+

      ¥61.22
    • 50+

      ¥55.55
  • 有货
  • PAA140L是一款限流型双路常开(1-Form-A)固态继电器,采用光耦合MOSFET技术,可实现3750Vrms的输入输出隔离。其光耦合输出采用专利OptoMOS架构,由高效红外LED控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥90.21
    • 10+

      ¥86.19
    • 50+

      ¥79.21
  • 有货
  • 是400V、250mA、8Ω、双常开(1-Form-A)继电器。这款高性能产品具备高峰值负载电压处理能力和极低的导通电阻,适用于特殊应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥93.03
    • 10+

      ¥88.88
    • 50+

      ¥81.68
  • 有货
  • LAA710是一款双路常开(1-Form-A)固态继电器,包含两个独立控制的光耦合MOSFET开关。超高效MOSFET开关与光伏芯片相结合,可实现3750Vrms的输入输出隔离。采用专利OptoMOS架构的光耦合输出由高效红外LED控制
    数据手册
    • 1+

      ¥96.31
    • 10+

      ¥89.59
  • 有货
  • 直插式 铁支架,电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
    • 10+

      ¥0.1811
    • 100+

      ¥0.1424
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      ¥0.1128
    • 1000+

      ¥0.0999
    • 5000+

      ¥0.0887
    • 10000+

      ¥0.0826
  • 订货
  • 电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
    • 10+

      ¥0.2235
    • 100+

      ¥0.1792
    • 300+

      ¥0.1313
    • 1000+

      ¥0.1165
    • 5000+

      ¥0.1037
    • 10000+

      ¥0.0968
  • 订货
  • 直插式 铁支架,电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
    • 10+

      ¥0.2242
    • 100+

      ¥0.1799
    • 300+

      ¥0.1313
    • 1000+

      ¥0.1165
    • 5000+

      ¥0.1037
    • 10000+

      ¥0.0968
  • 订货
  • CT817系列由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发射二极管通过光耦合组成,采用4引脚DIP封装,具有不同的引脚成型选项。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.156
    • 500+

      ¥0.144
    • 3000+

      ¥0.1344
    • 10000+

      ¥0.132
    直插式 铜支架,电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
    • 10+

      ¥0.2983
    • 100+

      ¥0.2368
    • 300+

      ¥0.2011
    • 1000+

      ¥0.1781
    • 5000+

      ¥0.1597
    • 10000+

      ¥0.1505
  • 订货
  • 直插式 铜支架,电流转换比(CTR: 50%-600% @IF=5mA, VCE=5V) 爬电距离>7.62mm 工作温度最高可达+ 110℃ 集电极-发射极击穿电压 BVCEO≥80V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3253
    • 100+

      ¥0.26
    • 300+

      ¥0.2031
    • 1000+

      ¥0.1786
    • 5000+

      ¥0.159
    • 10000+

      ¥0.1492
  • 订货
  • 特性:电流传输比(CTR):在IF = 5mA,VCE = 5V时为50%-600%。 输入输出间高隔离电压(Viso):5000V rms。 集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。 工作温度:-55°C-110°C。 通过VDE认证。 通过UL认证。应用:可编程控制器。 系统电器、测量仪器
    • 10+

      ¥0.3746
    • 100+

      ¥0.2978
    • 300+

      ¥0.2594
    • 1000+

      ¥0.2306
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3853
    • 100+

      ¥0.2965
    • 300+

      ¥0.2581
    • 1000+

      ¥0.224616 ¥0.2292
    • 5000+

      ¥0.202076 ¥0.2062
    • 10000+

      ¥0.190708 ¥0.1946
  • 有货
  • 由一个 GaAs 红外发光二极管与一个非零交叉硅双向交流开关 (TRIAC) 光耦合组成。这些器件将低压逻辑电路与 115/240 VAC 线路隔离,从而为大电流双向可控硅 (TRIAC) 或晶闸管提供随机相位控制。这些器件的静态 dv/dt 能力显著增强,可确保电感负载的稳定开关性能。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9039
    • 50+

      ¥0.8837
    • 130+

      ¥0.8703
  • 有货
  • CTR等级 GB:100-600
    数据手册
    • 1+

      ¥1.1239
    • 10+

      ¥0.8756
    • 30+

      ¥0.7692
  • 有货
  • AT827是一款由发光二极管和光电晶体管组成的双通道光电耦合器。八引脚封装, 两种形式 ( DIP、 SMD)。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。
    • 5+

      ¥1.5155
    • 50+

      ¥1.1879
    • 135+

      ¥1.0475
    • 495+

      ¥0.8724
    • 2250+

      ¥0.7944
    • 4500+

      ¥0.7475
  • 订货
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