DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：IL4216 编号：C20509456

封装：6-DIP

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥25.08
10+
￥24.52
50+
￥24.15

有货

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型号：HCPL-4502 编号：C17452298

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥26.22
10+
￥25.64
50+
￥25.25

有货

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型号：HCPL-2611-020E 编号：C6955745

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

1+
￥27.48
10+
￥23.29
50+
￥20.8

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型号：PS2502-4-A 编号：C22415312

封装：DIP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅达林顿连接光电晶体管。采用塑料双列直插封装（DIP），另一种为表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

1+
￥27.54
10+
￥26.94
25+
￥26.54

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型号：VOR2121A8 编号：C1558990

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

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1+
￥30.02
10+
￥29.32
30+
￥28.86

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型号：H11N1M 编号：C463996

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥30.33
10+
￥29.56
30+
￥29.05

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型号：FDA217 编号：C17552966

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

FDA217是一款双路光伏MOSFET驱动器。每个独立的驱动器由一个与光电二极管阵列光耦合的LED组成。驱动器输出通过输入端的高效红外LED进行控制

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￥30.74
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￥26.05
50+
￥23.26
100+
￥20.44
500+
￥19.14
1000+
￥18.55

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型号：HCNW4562-000E 编号：C17490797

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥30.76
10+
￥30.08
42+
￥29.63

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型号：HCPL-4701-000E 编号：C692051

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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1+
￥33
10+
￥28.08
30+
￥25.09

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型号：ASSR-V622-502E 编号：C5570511

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列专为驱动高功率MOSFET而设计，由一个与输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可通过串联连接2个通道使光伏电压加倍，或通过并联连接2个通道使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

1+
￥33.97
10+
￥33.1
30+
￥32.52

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型号：HCPL-3700-300E 编号：C17363327

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

电压/电流阈值检测光耦合器。低电流版本采用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高光输出。器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上控制阈值水平。输入缓冲器具有滞后功能，可增强抗噪声和抗开关干扰能力；配备二极管桥，便于与交流输入信号配合使用；内置钳位二极管，可保护缓冲器和LED免受各种过电压和过电流瞬变的影响。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

1+
￥37.17
10+
￥36.28
50+
￥35.69

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型号：LCA220 编号：C1559286

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

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1+
￥39.1
10+
￥33.68
30+
￥30.38

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型号：ASSR-V621-002E 编号：C6127266

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥39.31
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￥38.44
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￥37.86

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型号：HCNW2601 编号：C5649780

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥44.67
10+
￥43.68
42+
￥43.02

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型号：HCPL3700 编号：C463757

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

电压/电流阈值检测光耦合器由一个与阈值感应输入缓冲IC相连的AlGaAs LED组成，该IC与一个高增益达林顿输出进行光耦合。输入缓冲芯片能够通过单个电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输出与TTL和CMOS兼容。

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￥49.95
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￥43.26
50+
￥39.19

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型号：LH1502BB 编号：C1558839

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

LH1502继电器包含常开和常闭开关，这些开关可分别作为1A型和1B型继电器独立使用，也可组合起来作为1C型继电器使用。该继电器采用多芯片混合器件结构。其驱动控制通过红外LED实现

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1+
￥50.26
10+
￥48.98
30+
￥48.12

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型号：PAA110L 编号：C7256661

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥54.3
10+
￥47.04
50+
￥42.61

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型号：HCPL-7710-000E 编号：C2927819

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

1+
￥55.86
10+
￥48.38
30+
￥43.83

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型号：LBA716 编号：C5359322

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

LBA716是一款60V、1A、0.4欧姆的双固态继电器，将独立的常开（1-Form-A）和常闭（1-Form-B）继电器集成到单个封装中。它具有低导通电阻和增强的峰值负载电流处理能力（最大5A）的优异组合。

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5+
￥60.24
50+
￥52.73
150+
￥48.16

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型号：OPI1268 编号：C7502138

封装：DIP-5

品牌：TT Electronics

是一款具有数字输出的高压隔离器，能够进行高速数据传输。输入部分由一个峰值波长为850 nm的高效GaAlAs LED组成，该LED与输出光IC进行光耦合。输出IC中的光电二极管检测输入的调制光并将其转换为相应的电流。该电流被输入到一个经过温度、电流和电压补偿的高增益线性放大器中。其结果是具有集电极开路反相器配置的高度稳定的数字输出。该设备在输入和输出电路之间产生直流和交流电压隔离，同时保证TTL信号的完整性。

1+
￥97.56
10+
￥93.21
30+
￥85.66

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型号：ASSR-1520-302E 编号：C1525259

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥119.7
10+
￥115.91

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型号：PC817-B-F-AW(KTP) 编号：C50380039

封装：DIP-4

品牌：KTP(科泰普)

PC817-B-F-AW（KTP）由光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。应用在电流表、计算机、开关电源和家用电器等。

20+
￥0.1808
200+
￥0.1403
600+
￥0.1178
2000+
￥0.1043

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型号：PC817-C-F-AW(KTP) 编号：C50380040

封装：DIP-4

品牌：KTP(科泰普)

PC817-C-F-AW（KTP）由光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。应用在电流表、计算机、开关电源和家用电器等。

20+
￥0.1808
200+
￥0.1403
600+
￥0.1178

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型号：LTV-817X-B 编号：C123318

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比CTR：最小值50%，条件为IF = 5mA，VCE = 5V。高输入输出隔离电压 (Viso = 5,000Vrms)。响应时间 (tr:TPP.4μs，条件为VCE = 2V，Ic = 2mA，RL = 100Ω)。双列直插封装。宽引脚间距封装。表面贴装封装

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100+
￥0.185625
1000+
￥0.17875
3000+
￥0.171875
6000+
￥0.158125
10000+
￥0.154

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型号：BL817X 编号：C42378426

封装：DIP-4L

品牌：GME(银河微电)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA，VCE = 5V时为50%-600%。输入输出间高隔离电压（Viso）：5000V rms。集电极-发射极击穿电压BVCEO ≥ 80V。工作温度：-55°C-110°C。通过VDE认证。通过UL认证。应用：可编程控制器。系统电器、测量仪器

10+
￥0.3511
100+
￥0.2791
300+
￥0.2431
1000+
￥0.2161
5000+
￥0.1945

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型号：PC817S2(C)(TU)-F 编号：C48392938

封装：SOP-4

品牌：KTP(科泰普)

由红外发射二极管组成，四引脚封装。

10+
￥0.3546
100+
￥0.2778
300+
￥0.2394

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型号：LTV-816-A 编号：C5124518

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比CTR：最小值50%，IF = 5mA，VCE = 5V。高输入输出隔离电压（Viso = 5000Vrms）。响应时间tr:TP 4μs，VCE = 2V，Ic = 2mA，RL = 100Ω。双列直插封装。宽引脚间距封装。表面贴装封装。卷带包装。安全认证：UL 1577、CSA CA5A、FIMKO EN/IEC 60950-1、EN/IEC 60065等。符合RoHS标准：器件中使用的所有材料均遵循欧盟RoHS指令（No.2002/95/EC）。 ESD通过HBM 8000V/MM2000V。 MSL 1级。铜基引线框架

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