DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：6N136 编号：C5241880

封装：DIP-8

是一种光耦合器，具有 GaAlAs 红外发射二极管，与集成光电探测器光耦合，该探测器由光电二极管和高速晶体管组成，采用 DIP-8 塑料封装。信号可以在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达 2 MHz。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。

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型号：AQH0223 编号：C719685

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

特性：支持 0.3 A、0.6 A、0.9 A 和 1.2 A 导通状态 RMS 电流。可处理 100 和 200 Vrms 负载。高介电强度：5,000 Vrms。安全标准 C-UL (UL1577) 认证。 VDE (EN60950-1) 加强绝缘认证。应用：家用电器市场：空调、微波炉、洗衣机、个人卫生系统、冰箱、暖风机、感应加热炉、电饭煲和加湿器等。工业设备市场

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型号：LDA111 编号：C17397081

封装：DIP-6

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型号：APW212G1E 编号：C42444470

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。

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型号：CPC1972G 编号：C5601770

封装：DIP-6

CPC1972 是一种使用光学耦合的交流固态开关，具有双电源硅控整流器（SCR）输出，可以替代光耦合器和三端双向可控硅电路。CPC1972 开关足够坚固，能够提供高达800Vp的阻断电压。此外，严格控制的零交叉电路确保在切换交流负载时不会产生瞬态。输入和输出电路通过光学耦合，以提供3750Vrms的隔离和抗噪能力，从而在控制电路和负载电路之间实现隔离。因此，CPC1972非常适合于电磁干扰可能干扰机电继电器工作的工业环境。

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型号：APW212G2E 编号：C42444455

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：MOC8204M 编号：C899887

封装：DIP-6

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

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型号：6N137 编号：C5346016

封装：DIP-8

6N137、VO2601和VO2611是单通道10 MBd光耦合器，采用高效输入LED与集成光电二极管IC检测器耦合。该检测器具有漏极开路NMOS晶体管输出，与集电极开路肖特基钳位晶体管输出相比，泄漏电流更小。VO2630、VO2631和VO4661是双通道10 MBd光耦合器

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型号：4N46-300E 编号：C39556289

封装：DIP-6-300mil

4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管，该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻，该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流，并将多余的基极驱动电流泄放到地，因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比，第二级基极可外接，从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容，以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。

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型号：FOD3120TV 编号：C899242

封装：DIP-8

FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制特性。它包含一个与集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有用于推拉 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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型号：FOD3182V 编号：C899269

封装：DIP-8

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：CNY64A 编号：C5158084

封装：DIP-4

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合组成，采用4引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离大于3mm，以满足最高安全要求。

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型号：ILQ621GB 编号：C5342966

封装：DIP-16

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

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型号：MID400M 编号：C5207629

封装：PDIP-8

是一种光隔离交流线路到逻辑接口设备，采用8引脚塑料双列直插式封装。交流线路电压由两个与外部电阻串联的背对背砷化镓发光二极管监测。高增益检测电路感应发光二极管电流，并将输出门驱动到逻辑低电平状态。专为用作交流线路监测器而设计，推荐用于任何需要出色的光隔离、固态可靠性、TTL兼容性、小尺寸、低功耗和低频操作的交直流控制应用。

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型号：IL4218 编号：C5721271

封装：DIP-6

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型号：PLA110 编号：C5709844

封装：DIP-6

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型号：ACPL-4800-300E 编号：C6492506

封装：DIP-8

快速速度光耦合器包含一个GaAsP LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。

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型号：CNY65EXI 编号：C80228

封装：DIP-4

CNY65Exi 由一个光电晶体管和一个红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。这些组件相对安装，输入和输出之间的距离大于 3.0 毫米，满足最高安全要求。根据欧洲指令 94/9/EG，CNY65Exi 获得了适用于爆炸性环境的 ATEX 认证

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型号：PLA160 编号：C461245

封装：DIP-6

PLA160是一款300V、50mA、100Ω的1常开型继电器。作为性能领先产品，它具备光MOS继电器中最快的开关速度（50μs）。

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型号：LCC110 编号：C1558771

封装：DIP-8

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型号：HCPL-3760-000E 编号：C6795981

封装：DIP-8

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：HCNR201 编号：C6267442

封装：DIP-8