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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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ILD621、ILQ621、ILD621GB、ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器,采用砷化镓红外发光二极管(IRED)发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。鉴于在 1.0 mA 的正向电流(lF)下,其集电极 - 发射极饱和电流传输比(CTRCEsat)最低为 30%,ILD621、ILQ621GB 非常适合用于 CMOS 接口
  • 1+

    ¥17.3
  • 10+

    ¥14.57
  • 25+

    ¥12.95
  • 有货
  • 特性:负载电压备有350V、400V。耐电压5,000V(加强绝缘)。价格实惠。输出构成:1a。应用:电话设备拨号脉冲用。计算机输入设备
    • 1+

      ¥19.56
    • 10+

      ¥17.21
    • 50+

      ¥15.81
  • 有货
  • 特性:低成本类型。强化绝缘5000V类型(DIP类型),输入和输出之间的内部绝缘距离大于0.4mm,符合EN41003、EN60950(强化绝缘)。多种封装设计(提供DIP4、SOP4、DIP8、SOP8封装)。高灵敏度,低导通电阻,用5mA输入电流可控制最大0.5A负载电流,导通电阻低至2.5Ω,无金属接触部件,运行稳定。低关态泄漏电流,额定负载电压为350V时,关态泄漏电流仅为100pA。应用:调制解调器。电话设备
    数据手册
    • 1+

      ¥23.98
    • 10+

      ¥21.34
    • 30+

      ¥19.77
  • 有货
  • IL410和IL4108由一个与光敏晶闸管系统光耦合的砷化镓红外发光二极管组成,该系统集成了噪声抑制和过零电路。晶闸管系统可实现2 mA的低触发电流,其dV/dt比大于10 kV/μs,负载电压最高可达800 V。
    • 1+

      ¥24.3
    • 10+

      ¥20.83
    • 50+

      ¥18.77
  • 有货
  • CNY65Exi 由一个光电晶体管和一个红外发光二极管通过光耦合组成,采用 4 引脚塑料封装。这些组件相对安装,输入和输出之间的距离大于 3.0 毫米,满足最高安全要求。根据欧洲指令 94/9/EG,CNY65Exi 获得了适用于爆炸性环境的 ATEX 认证
    数据手册
    • 1+

      ¥28.98
    • 10+

      ¥26.13
  • 有货
  • 电压/电流阈值检测光耦合器由一个与阈值感应输入缓冲IC相连的AlGaAs LED组成,该IC与一个高增益达林顿输出进行光耦合。输入缓冲芯片能够通过单个电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输出与TTL和CMOS兼容。
    • 1+

      ¥31.4685 ¥49.95
    • 10+

      ¥27.2538 ¥43.26
    • 50+

      ¥24.6897 ¥39.19
    • 100+

      ¥22.5351 ¥35.77
  • 有货
    • 1+

      ¥38.37
    • 10+

      ¥37.52
    • 30+

      ¥36.96
  • 有货
    • 1+

      ¥48.17
    • 10+

      ¥42.67
    • 30+

      ¥39.32
  • 有货
  • 光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造,在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器,由于较低的 IF 和 VF 规格,在给定数据速率下,其可在更长的线路长度上工作。
    • 1+

      ¥53.8146 ¥85.42
    • 10+

      ¥46.6137 ¥73.99
    • 50+

      ¥42.2226 ¥67.02
    • 100+

      ¥38.5434 ¥61.18
  • 有货
  • 是单极常开固态继电器,可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关,由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。在使用寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感和坚固性方面超过了机电继电器的性能。特别适用于 12 至 48 伏交流或直流电源的高电流隔离开关。采用 6 引脚模制 DIP 封装,有通孔或表面贴装(鸥翼式)端子。有标准塑料运输管或卷带包装。
    数据手册
    • 1+

      ¥71.07
    • 10+

      ¥60.69
    • 30+

      ¥54.36
  • 有货
  • PC817-B-F-AW(KTP)由光耦合器由一块砷化镓发射器和一块NPN晶体管组成。应用在电流表、计算机、开关电源和家用电器等。
    • 20+

      ¥0.1808
    • 200+

      ¥0.1403
    • 600+

      ¥0.1178
    • 2000+

      ¥0.1043
  • 有货
  • 结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器,该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,具有不同的引脚成型选项。采用坚固的共面双模具结构,提供最稳定的隔离特性。
    • 10+

      ¥0.2894
    • 100+

      ¥0.2303
    • 300+

      ¥0.2008
    • 1000+

      ¥0.1787
  • 有货
  • 光耦合器由一个 GaAs 发射极和一个 NPN 晶体管组成。采用 4 引脚 DIP 封装,有宽引脚间距和 SMD 选项。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2914
    • 100+

      ¥0.229
    • 300+

      ¥0.2043
  • 有货
  • 结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器,该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,具有不同的引脚成型选项。采用坚固的共面双模具结构,提供最稳定的隔离特性。
    • 10+

      ¥0.3183
    • 100+

      ¥0.2534
    • 300+

      ¥0.2209
  • 有货
  • 输入类型:DC,输出类型:光电晶体管,隔离电压(rms): 5KV,CTR: 300~600,DIP4
    • 10+

      ¥0.3243
    • 100+

      ¥0.2571
    • 300+

      ¥0.2235
  • 有货
  • 输入类型:DC,输出类型:光电晶体管,隔离电压(rms): 5KV,CTR: 130~260,DIP4
    • 10+

      ¥0.3529
    • 100+

      ¥0.2789
    • 300+

      ¥0.242
  • 有货
  • K2010系列由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的光电晶体管探测器组成。它们采用6引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD可选封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.35559 ¥1.1853
    • 10+

      ¥0.1869 ¥0.9345
    • 65+

      ¥0.0827 ¥0.827
    • 130+

      ¥0.06928 ¥0.6928
    • 520+

      ¥0.06331 ¥0.6331
    • 975+

      ¥0.05973 ¥0.5973
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3576
    • 100+

      ¥0.2856
    • 300+

      ¥0.2496
    • 1000+

      ¥0.2226
  • 有货
  • K3010系列由两个反向并联连接的红外发光二极管组成,它们与一个光电晶体管探测器进行光耦合。它们采用4引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD可选封装形式。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.43908 ¥1.4636
    • 10+

      ¥0.23224 ¥1.1612
    • 30+

      ¥0.10316 ¥1.0316
    • 100+

      ¥0.08699 ¥0.8699
    • 500+

      ¥0.07979 ¥0.7979
    • 1000+

      ¥0.07547 ¥0.7547
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5114
    • 50+

      ¥0.4098
    • 200+

      ¥0.3455
  • 有货
  • 应用:计算机。办公自动化设备。电信设备(终端)。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5532
    • 50+

      ¥0.4425
    • 200+

      ¥0.3872
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR):最小值为50%,条件为IF = 5mA,VCE = 5V。 高输入输出隔离电压:Viso = 5000Vrms。 响应时间(tr):典型值为4μs,条件为VCC = 5V,IC = 2mA,RL = 100Ω。应用:需要高密度安装的混合基板
    • 5+

      ¥0.5566
    • 50+

      ¥0.4366
    • 200+

      ¥0.3766
    • 500+

      ¥0.3316
  • 有货
  • K3010系列由两个反向并联连接的红外发光二极管组成,它们与一个光电晶体管探测器进行光耦合。它们采用4引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD可选封装形式。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.597652 ¥1.3583
    • 50+

      ¥0.366418 ¥1.0777
    • 200+

      ¥0.229776 ¥0.9574
    • 500+

      ¥0.193752 ¥0.8073
    • 2500+

      ¥0.17772 ¥0.7405
    • 6000+

      ¥0.168096 ¥0.7004
  • 有货
  • 晶体管光耦,CTR 130-260%,铜脚,DIP4
    • 5+

      ¥0.6137
    • 50+

      ¥0.4745
    • 200+

      ¥0.4049
    • 500+

      ¥0.3527
    • 2000+

      ¥0.3109
    • 5000+

      ¥0.29
  • 有货
  • 可控硅输出光耦,带过零功能,负载电压600V, IFT最大值15mA,DIP6
    • 5+

      ¥0.8242
    • 50+

      ¥0.8059
    • 130+

      ¥0.7936
  • 有货
  • Single Channel 80 V 5000 Vrms Phototransistor Optocoupler Through Hole - DIP-6
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0207
    • 50+

      ¥0.7913
    • 130+

      ¥0.6931
    • 520+

      ¥0.5704
    • 3250+

      ¥0.5158
    • 4875+

      ¥0.4831
  • 有货
  • 特性:AC输入响应。 高输入输出隔离电压 (Viso = 5,000Vrms)。 低集电极暗电流 (ICEO: MAX. 10⁻⁷A at VCE = 20V)。 电流传输比 (CTR: MIN. 20% at IF = ±1mA, VCE = 5V)
    • 5+

      ¥1.0781
    • 50+

      ¥0.8664
    • 200+

      ¥0.708
    • 500+

      ¥0.5948
  • 有货
  • 1Mbps 高速逻辑光耦,CTR 300-2600%,DIP8
    • 1+

      ¥1.215 ¥1.35
    • 10+

      ¥1.188 ¥1.32
    • 45+

      ¥1.17 ¥1.3
    • 90+

      ¥1.152 ¥1.28
  • 有货
  • 10Mbps,单通道,DIP8
    • 5+

      ¥1.279
    • 50+

      ¥1.2504
    • 135+

      ¥1.2314
  • 有货
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