DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

耐压800V，IFT 5mA,DIP6

5+
￥1.6045
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￥1.2607
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520+
￥0.9296

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型号：KMOC3052 编号：C136446

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由一个 GaAs 红外发光二极管与一个非零交叉硅双向交流开关 (TRIAC) 光耦合组成。这些器件将低压逻辑电路与 115/240 VAC 线路隔离，从而为大电流双向可控硅 (TRIAC) 或晶闸管提供随机相位控制。这些器件的静态 dv/dt 能力显著增强，可确保电感负载的稳定开关性能。

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5+
￥1.6305
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￥1.2781
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型号：MOC3063-A 编号：C133137

封装：DIP-5

品牌：LITEON(光宝)

特性：5 Pin DIP零交叉光隔离三端双向可控硅驱动器输出。高输入输出隔离电压：Viso = 5,000Vrms。高重复峰值关态电压：VDRM 最小600V。高关态电压临界上升率：dv/dt 最小600V/μs。双列直插式封装。宽引脚间距封装。应用：电机控制。固态继电器

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型号：4N28 编号：C3008850

封装：DIP-6

特性：UL 认证（编号 E113898）。 TUV 认证（编号 R9653630）。 CSA 认证（编号 CA91533-1）。应用：I/O 接口用于计算机

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单价：
￥1.89 / 个

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型号：CY6N137 编号：C970352

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CY6N137光耦合器由一个850纳米的AlGaAS LED和一个集成光电探测器高速逻辑门输出器件组成。它的封装形式有DIP-8和SMD-8。屏蔽提供了典型值为10 KV/μs优越的共模抑制典型。CY6N137的最低共模抑制比为5KV/μs

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型号：TLP785(D4-GB,F 编号：C9199

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓（GaAs）红外发光二极管通过光耦合组成，采用四引脚塑料双列直插式封装（DIP4），具有高隔离电压（交流：5kVRMS（最小值））。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。

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￥1.9187
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型号：6N139-000E-AXW 编号：C42432273

封装：DIP-8

输入类型:DC，隔离电压(rms): 5kV，传播延迟tpLH/tpHL: 60us；25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, DIP8

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￥2.142 ￥2.38
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￥1.683 ￥1.87
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￥1.485 ￥1.65
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￥1.062 ￥1.18

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型号：CNY173M 编号：C391249

封装：DIP-6

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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5+
￥2.1467
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￥1.6443
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型号：KP40101B 编号：C14563

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

特性：高电流传输比（Vcco：300V MIN）（CTR：在IF = 1mA，Vce = 2V时，最小值为600%）。输入和输出之间的高隔离电压（Viso：5000Vrms）。紧凑的双列直插式封装。可用封装：DIP/SMDr H。应用：系统设备，测量仪器。工业机器人

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5+
￥2.3255
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型号：ICPL-852-010EAXW 编号：C49172980

封装：DIP-4

Vceo=350V,Ic=150mA,DIP4

5+
￥2.354
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￥1.8827
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￥1.6808
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型号：4N30 编号：C19086115

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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5+
￥2.3717
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￥1.6733

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型号：6N137-000E-AXW 编号：C49172976

封装：DIP-8

10Mbps,单通道，DIP8

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￥2.3821
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型号：SFH615A-2 编号：C2925143

封装：DIP-4

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料 DIP-4 封装中。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压。

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50+
￥1.161
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￥1.075
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￥1.032
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型号：VO618A-3 编号：C142630

封装：DIP-4

额定温度为110℃，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并集成在塑料DIP-4封装中。耦合装置设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。

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1+
￥2.65
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￥2.11
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￥1.88

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型号：CNY75C 编号：C118290

封装：DIP-6

CNY75A、CNY75B、CNY75C、CNY75GA、CNY75GB、CNY75GC 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

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￥2.83
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￥2.25
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型号：GP1S097HCZTF 编号：C19185726

封装：DIP-4

品牌：SHARP(夏普)

应用：OA 设备。 AV 设备。家电产品。通信设备[终端]。测量设备。工作设备。计算机

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￥2.29
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￥2.05
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型号：CNY17F3M 编号：C258229

封装：DIP-6

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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￥2.98
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￥2.37
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￥2.11

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型号：MCT2EM 编号：C258259

封装：DIP-6

MCT2XXX 系列光绝缘体包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双线内封装。

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￥2.99
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￥2.39
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型号：6N136-L 编号：C194516

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6 由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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￥3.36
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￥2.82
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￥2.58

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型号：KAQY214 编号：C136415

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

KAQY214系列性能稳定，非常适合电信和接地故障应用。它是一款单刀单掷常开开关（1 Form A），在许多应用中可替代机电继电器。该开关采用镓铝砷（GaAlAs）发光二极管进行驱动控制，并使用集成单片管芯作为开关输出

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1+
￥3.48
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￥2.78
30+
￥2.44
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￥2.09
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￥1.89
1000+
￥1.78

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型号：HCPL-817-00BE 编号：C2927830

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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￥3.68
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￥3.6
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￥3.55

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型号：MCT9001 编号：C899753

封装：DIP-8

MCT9001 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。

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￥3.93
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￥3.19
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￥2.82

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型号：SFH618A-5 编号：C7470699

封装：DIP-4

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8mm。

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￥4.09
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￥3.32
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￥2.93

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型号：LCR-0202 编号：C82366

封装：DIP-4

品牌：森霸

光耦继电器，隔离模拟开关，线性光耦，。

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￥4.16
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￥3.38
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￥2.99
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￥2.61
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￥2.1

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型号：SFH628A-3 编号：C19078481

封装：DIP-4