DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：6N136-000E-AXW 编号：C46597931

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

1Mbps 高速逻辑光耦,DIP8

1+
￥2.268 ￥2.52
10+
￥1.791 ￥1.99
45+
￥1.593 ￥1.77
90+
￥1.341 ￥1.49
495+
￥1.224 ￥1.36
990+
￥1.152 ￥1.28

有货

立即购买

型号：K30101B 编号：C136447

封装：DIP-4

品牌：Cosmo(冠西)

由两个反向并联的红外发光二极管组成，光耦合到光电晶体管探测器。采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距和SMD可选。

数据手册

5+
￥1.3025
50+
￥1.0502
200+
￥0.8439
500+
￥0.709
2500+
￥0.6489
6000+
￥0.6128

有货

立即购买

型号：MOC3063-A 编号：C133137

封装：DIP-5

品牌：LITEON(光宝)

特性：5 Pin DIP零交叉光隔离三端双向可控硅驱动器输出。高输入输出隔离电压：Viso = 5,000Vrms。高重复峰值关态电压：VDRM 最小600V。高关态电压临界上升率：dv/dt 最小600V/μs。双列直插式封装。宽引脚间距封装。应用：电机控制。固态继电器

数据手册

5+
￥1.7376
50+
￥1.4553
130+
￥1.2667

有货

立即购买

型号：4N28 编号：C3008850

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

特性：UL 认证（编号 E113898）。 TUV 认证（编号 R9653630）。 CSA 认证（编号 CA91533-1）。应用：I/O 接口用于计算机

数据手册

单价：
￥1.89 / 个

有货

立即购买

型号：CY6N137 编号：C970352

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CY6N137光耦合器由一个850纳米的AlGaAS LED和一个集成光电探测器高速逻辑门输出器件组成。它的封装形式有DIP-8和SMD-8。屏蔽提供了典型值为10 KV/μs优越的共模抑制典型。CY6N137的最低共模抑制比为5KV/μs

数据手册

5+
￥1.8901
50+
￥1.4575
150+
￥1.2866

有货

立即购买

型号：ICPL-852-010EAXW 编号：C49172980

封装：DIP-4

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

Vceo=350V,Ic=150mA,DIP4

5+
￥2.2268
50+
￥1.7555
200+
￥1.5536
500+
￥1.3016

有货

立即购买

型号：CNY172TVM 编号：C899076

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥2.26
10+
￥1.99
50+
￥1.85
100+
￥1.72
500+
￥1.64

有货

立即购买

型号：HCPL-814-000E 编号：C6795850

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 814包含一个光电晶体管，与两个反并联连接的发光二极管光耦合。它可由交流输入电流直接驱动。该器件采用4引脚DIP封装，提供宽引脚间距和引脚弯曲SMD两种选项

1+
￥2.35
10+
￥1.84
30+
￥1.62
100+
￥1.34

有货

立即购买

型号：CNY17F-3X016 编号：C17235291

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

CNY17F是一款光耦合器，由砷化镓红外发光二极管和硅平面光电晶体管探测器通过光耦合组成，采用塑料直插式DIP - 6封装。该耦合器件适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。待耦合电路之间的电位差不得超过最大允许参考电压

1+
￥2.38
10+
￥2.32
50+
￥2.28

有货

立即购买

型号：SFH615A-2 编号：C2925143

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有砷化镓红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料 DIP-4 封装中。耦合器件设计用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为 2.54mm。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高 400V_RMS 或直流的工作电压。

数据手册

50+
￥1.161
500+
￥1.075
1000+
￥1.032
5000+
￥0.989
10000+
￥0.946

我要订货

型号：SFH617A-4 编号：C19136284

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具备高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特性。这些耦合器采用GaAs红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP - 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

1+
￥2.7
10+
￥2.64
30+
￥2.6

有货

立即购买

型号：CNY75C 编号：C118290

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

CNY75A、CNY75B、CNY75C、CNY75GA、CNY75GB、CNY75GC 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。

数据手册

1+
￥2.83
10+
￥2.25
50+
￥1.99

有货

立即购买

型号：CNY17F3M 编号：C258229

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.37
50+
￥2.11

有货

立即购买

型号：MCT2EM 编号：C258259

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MCT2XXX 系列光绝缘体包括一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双线内封装。

数据手册

1+
￥2.99
10+
￥2.39
50+
￥2.06

有货

立即购买

型号：HCPL-4506-C1L0 编号：C19185363

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-4506 高速光电耦合器采用一个GaAsP 的LED。LED 光耦合到一个集成高增益光电检测器上。此光耦通过减少开关死区时间，来最小化器件之间的传输延迟差，为提高逆变器效率提供优良的解决方案。

1+
￥3.14
10+
￥2.84
50+
￥2.2
100+
￥2.05
500+
￥1.96

有货

立即购买

型号：CYHCPL2530 编号：C47115513

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

1+
￥3.27
10+
￥3.2
50+
￥3.15

有货

立即购买

型号：MOC3010M 编号：C124474

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

数据手册

1+
￥3.83
10+
￥3.13
50+
￥2.49

有货

立即购买

型号：MCT9001 编号：C899753

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MCT9001 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅平面光电晶体管。

数据手册

1+
￥3.93
10+
￥3.19
50+
￥2.82

有货

立即购买

型号：SFH618A-5 编号：C7470699

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8mm。

1+
￥4.09
10+
￥3.32
30+
￥2.93

有货

立即购买

型号：SFH628A-3 编号：C19078481

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。有砷化镓红外发射二极管，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠，引脚间距为2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离大于8mm。该版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，可实现400VRMS或直流的工作电压下的加强绝缘。

1+
￥4.63
10+
￥4.53
40+
￥4.46

有货

立即购买

型号：SFH628A-2 编号：C19114205

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外发光二极管，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP-4或SMD封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为2.54mm，可端部堆叠。选择选项6可实现>8mm的爬电距离和电气间隙。此版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于400VRMS或直流的工作电压的加强绝缘。

1+
￥4.86
10+
￥4.75
30+
￥4.68

有货

立即购买

型号：MOC3011M 编号：C232860

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光隔离三端双向可控硅驱动器器件。此类器件包含一个 GaAs 红外发光二极管和一个光敏硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适合用作电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

数据手册

1+
￥5.55
10+
￥4.54
50+
￥3.71

有货

立即购买

型号：HCPL-3120-000E 编号：C14970

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

IGBT栅极驱动光耦

数据手册

10+
￥4.05
100+
￥3.9
200+
￥3.6
1000+
￥3.45
2000+
￥3.3

我要订货

型号：TLPN137(F 编号：C99491

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出的GaAs发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成，采用DIP8封装。具有内部法拉第屏蔽，可保证10 kV/μs的共模瞬态抗扰度。

数据手册

1+
￥6.86
10+
￥5.57
30+
￥4.92
100+
￥4.28
500+
￥3.89

有货

立即购买

型号：AQH0223 编号：C719685

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

特性：支持 0.3 A、0.6 A、0.9 A 和 1.2 A 导通状态 RMS 电流。可处理 100 和 200 Vrms 负载。高介电强度：5,000 Vrms。安全标准 C-UL (UL1577) 认证。 VDE (EN60950-1) 加强绝缘认证。应用：家用电器市场：空调、微波炉、洗衣机、个人卫生系统、冰箱、暖风机、感应加热炉、电饭煲和加湿器等。工业设备市场

数据手册