DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ICPL-3120-000EAXW 编号：C42432171

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流2.5A，隔离电压(rms): 5KV，DIP8

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￥2.979 ￥3.31
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￥2.358 ￥2.62
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￥2.088 ￥2.32
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￥1.755 ￥1.95
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￥1.611 ￥1.79
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￥1.521 ￥1.69

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型号：KMOC3052 编号：C136446

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由一个 GaAs 红外发光二极管与一个非零交叉硅双向交流开关 (TRIAC) 光耦合组成。这些器件将低压逻辑电路与 115/240 VAC 线路隔离，从而为大电流双向可控硅 (TRIAC) 或晶闸管提供随机相位控制。这些器件的静态 dv/dt 能力显著增强，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥1.6305
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￥1.2781
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￥1.127
520+
￥0.9385
1950+
￥0.8546
5850+
￥0.8043

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型号：OR-6N137 编号：C282486

封装：DIP-8

品牌：Orient(奥伦德)

6N137由高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和高速光检测器组成。这种设计为光电耦合器的输入端和输出端之间提供了良好的交流和直流隔离。光电检测器的输出特性为集电极开路的肖特基钳位晶体管

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￥1.134
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￥1.05
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￥1.008
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型号：SFH617A-3 编号：C2979746

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，通过光耦合至硅平面光电晶体管探测器，并封装在塑料DIP 4封装中。该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

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￥2.1618
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型号：CNY17-3 编号：C553958

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外发射二极管与硅NPN光电晶体管光耦合组成的光耦合对。信号信息（包括直流电平）可通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可在许多数字接口应用以及诸如CRT调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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型号：HCPL-817-000E 编号：C2927828

封装：DIP-4

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管和一个光电晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚双列直插式封装（DIP），有宽引脚间距选项和弯引脚贴片（SMD）选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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型号：6N136-L 编号：C194516

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

6N135/6 由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光检测器组成。这种设计为光耦合器的输入侧和输出侧提供了出色的交流和直流隔离。通过连接偏置光电二极管，减少了基极 - 集电极电容，从而提高了与传统光电晶体管耦合器相比的速度

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￥3.22
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型号：HT6-216 编号：C34376247

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：40mA，耐压：600V,RON:35欧姆，隔离电压：5KV.

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￥3.249 ￥3.61
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￥1.8 ￥2
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￥1.701 ￥1.89

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型号：PS2505-1-A 编号：C350661

封装：DIP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS2505 - 1、- 4 和 PS2505L - 1、- 4 是光耦合隔离器，包含砷化镓（GaAs）发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。PS2505 - 1、- 4 采用塑料双列直插式封装（DIP，Dual In - line Package），PS2505L - 1、- 4 为用于表面贴装的引脚弯成型（鸥翼型）封装。

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￥3.39
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型号：CNY17-4X006 编号：C3009239

封装：DIP-6-10.16mm

品牌：VISHAY(威世)

是一个光耦合对，由砷化镓红外发光二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。信号信息（包括直流电平）可以通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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￥3.48
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￥2.76
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￥2.45
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￥2.07

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型号：HT8-216 编号：C34376249

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：40mA，耐压：600V,RON:35欧姆，隔离电压：5KV.

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￥3.62
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￥3.53
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￥3.48

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型号：HT8-213 编号：C46634500

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：180mA，耐压：100V,RON:6.5欧姆，隔离电压：5KV.

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￥3.819 ￥4.02
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￥3.7335 ￥3.93
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￥3.6195 ￥3.81

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型号：SFH610A-3 编号：C7433255

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件由砷化镓红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料DIP-4或SMD封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和选项8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙，该版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。

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￥4.07
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￥3.38
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￥3.09

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型号：APT1211 编号：C719538

封装：DIP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：有两种方法可用：过零法和随机法。增加了低过零电压（最大15V）类型，约为以前产品的1/3。有多种封装尺寸可供选择。安全标准:SOP 4引脚：通过C-UL（UL1577）认证。通过VDE（EN60747-5-5）认证。DIP 4/6引脚：通过C-UL（UL1577）认证。应用：用于双向可控硅点火，适用于100V/200V、50/60Hz线路。用于办公设备、家用电器和工业机器等产品加热器控制中的双向可控硅点火

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￥4.18
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￥3.48
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型号：FOD852 编号：C900931

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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￥4.32
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￥3
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型号：HTV-213 编号：C46634498

封装：DIP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：180mA，耐压：100V,RON:6.5欧姆，隔离电压：5KV.

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￥4.3225 ￥4.55
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￥3.496 ￥3.68
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￥3.0875 ￥3.25
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￥2.3085 ￥2.43

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型号：APT1222WA 编号：C719528

封装：DIP-6

品牌：PANASONIC(松下)

特性：两种方法可用：过零方法和随机方法。新增低过零电压（最大15V）类型，约为前代产品的1/3。多种封装尺寸可选。安全标准:SOP 4引脚：通过C-UL（UL1577）认证、VDE（EN60747-5-5）认证。DIP 4/6引脚：通过C-UL（UL1577）认证、VDE（EN60747-5-5）认证、VDE（EN6236841）加强绝缘认证。应用：用于三端双向可控硅开关元件点火，适用于100V/200V、50/60Hz线路。用于办公设备、家用电器和工业机器等产品加热器控制中的三端双向可控硅开关元件点火

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1+
￥4.75
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￥3.96
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￥3.56

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型号：APY216E 编号：C42444447

封装：DIP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMI光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有显著优势，包括长寿命、无触点弹跳开关、更高的开关速度和高频开关能力、更高的灵敏度、抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI）、无电弧、无触点弹跳和噪声、更强的抗振动和抗冲击能力、可进行交流或直流负载开关操作，以及封装尺寸小等

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￥5.18
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￥4.14
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￥3.63
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￥3.11
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￥2.8
1000+
￥2.64

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型号：MOC8101-X017T 编号：C3009175

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

光耦合器由砷化镓红外发光二极管与硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP-6封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。基极端未连接，可显著提高共模干扰抗扰度。

1+
￥5.21
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￥4.14
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￥3.61
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￥3.09

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型号：PC925LENSZ0F 编号：C2983166

封装：DIP-8

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。OA设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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1+
￥5.22
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￥4.24
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￥3.76
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￥3.27

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型号：APT1212WA 编号：C719526

封装：DIP-6

品牌：PANASONIC(松下)

特性：有两种方法可用：过零法和随机法。新增低过零电压（最大15V）类型，约为前代产品的1/3。有多种封装尺寸可供选择。应用：用于三端双向可控硅开关元件点火，适用于100V/200V、50/60Hz线路

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1+
￥5.35
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￥4.55
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￥3.56

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型号：APW211G2E 编号：C42444417

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

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￥5.78
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￥5.08
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￥4.78
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￥4.4
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￥4.23
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￥4.13

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型号：ILD621GB 编号：C2926932

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

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￥6.77
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￥5.69
50+
￥4.71

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型号：APW212GE 编号：C42444442

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光继电器具有以下明显优势：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗EMI或RF干扰、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。