DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：CNY17-2 编号：C5273033

封装：DIP-6

是由砷化镓红外发射二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成的光耦合对。可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可在许多数字接口应用以及 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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型号：HT-3150 编号：C46634502

封装：DIP-8

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：IGBT，峰值输出电流：1A,供电电压:15-30V,隔离电压：5KV.

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型号：4N36 编号：C5241911

封装：DIP-6

每个光耦合器由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成。

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型号：APT1211 编号：C719538

封装：DIP-4

特性：有两种方法可用：过零法和随机法。增加了低过零电压（最大15V）类型，约为以前产品的1/3。有多种封装尺寸可供选择。安全标准:SOP 4引脚：通过C-UL（UL1577）认证。通过VDE（EN60747-5-5）认证。DIP 4/6引脚：通过C-UL（UL1577）认证。应用：用于双向可控硅点火，适用于100V/200V、50/60Hz线路。用于办公设备、家用电器和工业机器等产品加热器控制中的双向可控硅点火

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型号：HTV-213 编号：C46634498

封装：DIP-4

输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：180mA，耐压：100V,RON:6.5欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：HT-2630 编号：C46634503

封装：DIP-8

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：高速，传输速率：10Mbit/s,隔离电压：5KV.

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型号：HT6-213 编号：C47715860

封装：DIP-6

HT6213，输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：180mA，耐压：100V,RON:6.5欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：APT1222WA 编号：C719528

封装：DIP-6

特性：两种方法可用：过零方法和随机方法。新增低过零电压（最大15V）类型，约为前代产品的1/3。多种封装尺寸可选。安全标准:SOP 4引脚：通过C-UL（UL1577）认证、VDE（EN60747-5-5）认证。DIP 4/6引脚：通过C-UL（UL1577）认证、VDE（EN60747-5-5）认证、VDE（EN6236841）加强绝缘认证。应用：用于三端双向可控硅开关元件点火，适用于100V/200V、50/60Hz线路。用于办公设备、家用电器和工业机器等产品加热器控制中的三端双向可控硅开关元件点火

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型号：APY216E 编号：C42444447

封装：DIP-4

APSEMI光电继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口器件。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光电继电器具有显著优势，包括长寿命、无触点弹跳开关、更高的开关速度和高频开关能力、更高的灵敏度、抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI）、无电弧、无触点弹跳和噪声、更强的抗振动和抗冲击能力、可进行交流或直流负载开关操作，以及封装尺寸小等

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型号：MOC8101-X017T 编号：C3009175

封装：DIP-6

光耦合器由砷化镓红外发光二极管与硅平面光电晶体管探测器光耦合而成，采用塑料插入式DIP-6封装。该耦合装置适用于两个电气隔离电路之间的信号传输。要耦合的电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。基极端未连接，可显著提高共模干扰抗扰度。

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型号：APT1212WA 编号：C719526

封装：DIP-6

特性：有两种方法可用：过零法和随机法。新增低过零电压（最大15V）类型，约为前代产品的1/3。有多种封装尺寸可供选择。应用：用于三端双向可控硅开关元件点火，适用于100V/200V、50/60Hz线路

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型号：MOC3082M 编号：C136560

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器的功能。此类器件可与分离功率三端双向可控硅开关元件一起用于逻辑系统与 240 VAC 线路供电的设备的接口，此类设备包括固态继电器、工业控件、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：APW211G2E 编号：C42444417

封装：DIP-8

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型号：HT8-213 编号：C46634500

封装：DIP-8

输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：180mA，耐压：100V,RON:6.5欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：HT8-216 编号：C34376249

封装：DIP-8

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：40mA，耐压：600V,RON:35欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：ILD621GB 编号：C2926932

封装：DIP-8

ILD621/ILQ621 和 ILD621GB/ILQ621GB 是多通道光电晶体管光耦合器，采用 GaAs 红外发光二极管发射器和高增益 NPN 硅光电晶体管。这些器件采用双模塑绝缘技术制造。这种组装工艺可承受 7500 VDC 的测试电压

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型号：APW216E 编号：C42444460

封装：DIP-8

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型号：APV212E 编号：C42444426

封装：DIP-6

用于从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。

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型号：ACPL-T350-060E 编号：C17568677

封装：DIP-8

包含一个 GaAsP LED，该 LED 与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200 V/100 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。绝缘电压为 VIOMR = 630 V 峰值（选项 060）。

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型号：HCPL-3150-000E 编号：C188744

封装：DIP-8

0.5A输出电流,IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器

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型号：HCPL2531M 编号：C899497

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽提供了高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCPL-260L-000E 编号：C692030

封装：DIP-8

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型号：H11D1 编号：C5334388

封装：DIP-6

采用GaAs红外发光二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料DIP-6封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

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￥10.43
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￥9.25

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型号：CNY65 编号：C5273037

封装：DIP-4

CNY64、CNY65 和 CNY66 由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用 4 引脚塑料封装。单个组件彼此相对安装，在输入和输出之间提供大于 3 mm 的间距，以满足最高安全要求。

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型号：APV252G2E 编号：C42444405

封装：DIP-6

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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￥13.74
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￥11.57
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￥8.2
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型号：SFH6345 编号：C7500575

封装：DIP-8

SFH6345是一款光耦合器，采用GaAlAs红外发光二极管，与由光电二极管和高速晶体管组成的集成光电探测器进行光耦合，采用DIP - 8塑料封装。该器件与6N135类似，但探测器上额外增加了一个法拉第屏蔽层，可增强输入 - 输出的dV/dt抗扰度。信号可在两个电气隔离的电路之间传输，最高频率可达2 MHz

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型号：HCNW2601-000E 编号：C5756493

封装：DIP-8

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥15.09
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￥13.49
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型号：AQV210EH 编号：C1558825

封装：DIP-6

特性：负载电压备有350V、400V。耐电压5,000V（加强绝缘）。价格实惠。输出构成：1a。应用：电话设备拨号脉冲用。计算机输入设备

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￥17.21
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￥15.81

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型号：HCNW2611-000E 编号：C188688

封装：DIP-8