DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速操作。如有需要，可将 Vcc 和 Vo 端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子可进行增益带宽调整。

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型号：HT6-216 编号：C34376247

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：40mA，耐压：600V,RON:35欧姆，隔离电压：5KV.

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￥3.249 ￥3.61
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型号：CNY17-4X006 编号：C3009239

封装：DIP-6-10.16mm

品牌：VISHAY(威世)

是一个光耦合对，由砷化镓红外发光二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成。信号信息（包括直流电平）可以通过该器件传输，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可用于在许多数字接口应用以及诸如 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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型号：SFH610A-3 编号：C7433255

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。耦合器件由砷化镓红外二极管发射器和硅平面光电晶体管探测器组成，采用塑料DIP-4或SMD封装。用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器可端部堆叠，间距为2.54mm。选项6和选项8可实现大于8.0mm的爬电距离和电气间隙，该版本符合IEC 60950（DIN VDE 0805）标准，适用于最高400VRMS或直流的工作电压。

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型号：SFH618A-4 编号：C5224102

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm，可端部堆叠。选择选项 6 时，爬电距离和电气间隙距离 >8mm。

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型号：HT6-212 编号：C47715859

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

HT6212，输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：550mA，耐压：60V,RON:0.7欧姆，隔离电压：5KV.

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￥4.3225 ￥4.55
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￥3.496 ￥3.68
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型号：MCT6 编号：C258260

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

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型号：H11AA4M 编号：C258254

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

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型号：MOC3052TVM 编号：C899827

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥5.109 ￥7.86
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￥3.608 ￥6.56
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型号：MOC3061TVM 编号：C899834

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥5.2452 ￥5.64
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型号：H11L1VM 编号：C899476

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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￥5.5445 ￥8.53
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型号：MOC3052VM 编号：C899828

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥5.9488 ￥11.44
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型号：HT8-212 编号：C46634499

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：550mA，耐压：60V,RON:0.7欧姆，隔离电压：5KV.

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￥6.3935 ￥6.73
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型号：TLP2962(F) 编号：C146458

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用DIP8封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为20kV/μs。

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￥7.03
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￥5.08
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型号：PC923LRNSZ0F 编号：C2983163

封装：DIP-8

品牌：SHARP(夏普)

应用：计算机。OA设备。电信设备（终端）。测量设备。加工机械。视听设备。家用电器

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型号：MOC3081TVM 编号：C899859

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M和MOC3083M器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥9.5029 ￥17.93
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￥6.579 ￥15.3
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￥4.5078 ￥13.66
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￥3.9501 ￥11.97
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￥3.5904 ￥10.88

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型号：H11F1M 编号：C899456

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

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￥7.91
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￥6.95
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型号：KAQW214 编号：C194714

封装：DIP-8

品牌：Cosmo(冠西)

特性：常开，单刀单掷。可控制400V交流或直流电压。可切换130mA负载。 LED控制电流为5mA。低导通电阻。 dv/dt >500V/ms。隔离测试电压为3750VACrms

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￥9.85
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￥7.6167 ￥8.19
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￥6.0424 ￥7.28
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￥4.814 ￥5.8
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￥4.6397 ￥5.59

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型号：TLP521-2(GB) 编号：C43687163

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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￥14.46
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型号：IL300-DEFG 编号：C222518

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

由一个AlGaAs红外发光二极管（IRLED）照射一个隔离的反馈和一个输出PIN光电二极管组成，采用分叉式排列。反馈光电二极管捕获LED光通量的一部分并产生一个控制信号，可用于控制LED驱动电流。这种技术补偿了LED的非线性、时间和温度特性。输出PIN光电二极管产生一个与LED产生的伺服光通量线性相关的输出信号。输入-输出耦合器增益（K3）的时间和温度稳定性通过使用匹配的PIN光电二极管来确保，这些二极管能精确跟踪LED的输出光通量。

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￥25.48
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型号：PVT322APBF 编号：C538622

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

该光伏继电器是双极常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。该继电器采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚。可提供标准塑料运输管或卷带包装。

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￥68.1321 ￥119.53
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￥56.1791 ￥119.53
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￥44.2261 ￥119.53

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型号：ASSR-1611-301E 编号：C22379958

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为5 mA时，继电器导通（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。

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￥75.62
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￥64.38
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￥57.52

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型号：6N140A/883B 编号：C39318318

封装：DIP-16

品牌：Broadcom(博通)

这些是单通道、双通道和四通道的密封光耦合器。既可以作为商业产品购买，也可以通过完整的MIL-PRF-38534 H级或K级测试购买，或从适当的DLA标准微电路图纸（SMD）购买。所有器件均在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，H级和K级器件包含在DLA混合微电路合格制造商列表QML-38534中。每个通道包含一个与集成高增益光子探测器光耦合的GaAsP发光二极管