DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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￥1.8745
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型号：SFH617A-2 编号：C2928651

封装：DIP-4

额定温度为110°C，具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。采用GaAs红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并封装在塑料DIP-4封装中。用于两个电气隔离电路之间的信号传输，耦合器端部可堆叠，间距为2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙>8.8mm。

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型号：VO615A-9 编号：C2928655

封装：DIP-4

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型号：MPC3150L-GV 编号：C47361122

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET。

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型号：HCPL-3120-C1LO 编号：C20612451

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：HTV-214 编号：C34376250

封装：DIP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：120mA，耐压：400V,RON:15欧姆，隔离电压：5KV.

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￥3.4295 ￥3.61
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型号：BC2223 编号：C596509

封装：DIP-7

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：50mA(MAX)，漏电流：100uA(MAX)，主要应用：家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等

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￥3.74
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￥3.06
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型号：LTV-3223 编号：C575505

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

固态继电器（SSR）是砷化镓铝发光二极管、光控三端双向可控硅探测器和主功率三端双向可控硅的集成器件。这些器件非常适合控制高压交流负载，具备固态可靠性，同时在输入与输出之间提供 5 KV 的隔离（Viso (rms)）。

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￥3.8
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型号：HTV-212 编号：C46634497

封装：DIP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：550mA，耐压：60V,RON:0.7欧姆，隔离电压：5KV.

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￥3.8855 ￥4.09
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型号：MOC3021TVM 编号：C899786

封装：DIP-6

MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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￥4.065 ￥5.42
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￥2.8665 ￥4.41
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型号：BC2213 编号：C596508

封装：DIP-7

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：50mA(MAX)，漏电流：100uA(MAX)，主要应用：家电、智能家居、智能开关、传感设备、医疗设备等

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￥4.14
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型号：MPC3120R(SL)(T1)-GV 编号：C17701960

封装：SOP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动。

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￥4.23
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型号：MOC3042SM 编号：C606032

封装：DIP-6

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥4.6176 ￥8.88
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型号：CYHCPL3120 编号：C3018816

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：CYHCPL2531 编号：C20417303

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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￥5.86
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型号：MOC3163TVM 编号：C899876

封装：DIP-6

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥5.9384 ￥11.42
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型号：CYHCPL2631 编号：C3018814

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

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￥6.04
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型号：APY212G1E 编号：C42444439

封装：DIP-4

品牌：APSEMI(先进光)

APSEMl光继电器是最可靠、技术最先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是接收来自微处理器的低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑电路和功率电路之间提供隔离屏障。虽然这一功能是所有继电器共有的，但光继电器相对于机械继电器具有显著优势，包括：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无触点弹跳开关、更高的开关速度和高频开关能力、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗电磁干扰（EMI）或射频干扰（RFI）、无电弧、无触点弹跳和噪声、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小

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型号：APW212GE 编号：C42444442

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。与机械继电器相比，光继电器具有以下明显优势：长寿命（机械和电气寿命无限制）、无弹跳开关、更高的速度和高频开关、更高的灵敏度（更低的功耗）、抗EMI或RF干扰、无电弧、无弹跳和无噪音、更耐振动和冲击、可进行交流或直流负载切换、封装尺寸小。

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￥6.424 ￥7.3
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￥3.4848 ￥3.96

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型号：BCW214 编号：C5348924

封装：DIP-8

品牌：BC(宝成)

二极管导通电流：3mA 漏电流：1uA；主要应用：通信设备、测试与测量设备、安全设备、IO模块、工厂自动化设备、安全设备、储能设备、工业机器人等

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￥7.58
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￥6.34
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型号：HCPL-4503-000E 编号：C545702

封装：DIP-8

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。设计用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。这些器件在lF = 16 mA时的CTR最小为19%。

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￥7.65
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￥6.36
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￥5.25
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型号：FOD3184TV 编号：C899275

封装：DIP-8

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥8.9746 ￥19.51
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￥6.048 ￥16.8
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￥3.9494 ￥15.19
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￥3.2422 ￥12.47

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型号：H11AA1 编号：C4749232

封装：DIP-6

H11AA1是一款双向输入光耦合隔离器，由两个反向并联的砷化镓红外发光二极管与一个硅NPN光电晶体管耦合组成，采用6引脚DIP封装。H11AA1的最小电流传输比（CTR）为20%，CTR对称性为1:3，专为需要检测或监测交流信号的应用而设计。

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￥9.93
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￥8.22
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型号：HCPL-3180-000E 编号：C692040

封装：DIP-8

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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￥13.14
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￥11.18
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￥8.92
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型号：HCNW4506-000E 编号：C188692

封装：DIP-8

HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP LED，而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs LED。该LED与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案

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￥10.05
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型号：AQW216EH 编号：C425097

封装：DIP-8

品牌：PANASONIC(松下)

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￥13.84
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￥13.64
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型号：CNY66B 编号：C222455

封装：DIP-4

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离>3mm，以满足最高安全要求。

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￥15.78
30+
￥15.52

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型号：HCPL-2731-000E 编号：C49268978

封装：DIP-8

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￥17.73
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￥15.88
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￥14.02

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型号：HCPL-4200-000E 编号：C692047

封装：DIP-8

光耦合器设计用于在使用20 mA电流环的设备中作为接收器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流（MARK）来表示逻辑高状态，通过允许不超过几毫安的环路电流（SPACE）来表示逻辑低状态。信号从20 mA电流环到逻辑输出的光耦合打破了接地环路，并提供了非常高的共模抑制。为电流环的逻辑高状态和逻辑低状态提供了保证的阈值，提供了LSTTL、TTL或CMOS兼容的逻辑接口，并提供了保证的共模抑制

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￥27.35
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￥26.14
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￥23.3
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￥22.68

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型号：HCPL-4100-000E 编号：C692045

封装：DIP-8