DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

输入电压类型：DC, 输出类型：高速，工作电压：3V~15V，传输速率：1Mbit/s,隔离电压：5KV.

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型号：MOC3021D 编号：C7472397

封装：DIP

品牌：国芯佳品

三端双向可控硅元件驱动器输出光耦合器，400V 随机相 MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双

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型号：4N25 编号：C115480

封装：DIP-6

品牌：EVERLIGHT(亿光)

EL4N25

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型号：CYMOC3051 编号：C7589061

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

CYMOC302X, CYMOC305X 系列产品由一颗 GaAs 红外二极管和一颗光电 TRIAC 组成光电耦合器件。

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￥1.328
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型号：CNY17-2 编号：C10807

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：电流传输比（CTR）：在IF = 10mA、VCE = 5V时最小值为40%。高集电极-发射极电压：VCEO = 70V。高输入-输出隔离电压：Viso = 5000Vrms。应用：电源调节器

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型号：LTV-815 编号：C10801

封装：DIP-4

品牌：LITEON(光宝)

特性：高电流传输比（CTR）：在IF = 1mA、VCE = 2V时为600%。高输入输出隔离电压：Viso = 5000Vrms。响应时间：典型值为60μs（VCE = 2V、IC = 10mA、RL = 100Ω时）。应用：要求高密度安装的混合基板

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型号：CY4N33 编号：C7589059

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

由砷化镓的红外发光二极管和光电达林顿管组成。

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型号：MOC3023TVM 编号：C899795

封装：DIP-6

MOC301XM 和 MOC302XM 系列是光学隔离三端双向可控硅驱动器。这些器件包含GaAs红外线发光二极管和光敏可控硅双向开关，功能与三端双向可控硅类似。它们设计用于电子控件和功率三端双向可控硅之间的接口，以控制 115 V

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型号：SFH617A-2X016 编号：C499516

封装：DIP-4

额定温度为110°C的SFH617A（DIP）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用了砷化镓（GaAs）红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料DIP 4封装中。这些耦合器件用于在两个电气隔离的电路之间进行信号传输

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型号：TCET1103G 编号：C144879

封装：DIP-4

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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型号：HT6-212 编号：C47715859

封装：DIP-6

HT6212，输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：550mA，耐压：60V,RON:0.7欧姆，隔离电压：5KV.

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￥2.4415 ￥2.57
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型号：HT-2630 编号：C46634503

封装：DIP-8

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：高速，传输速率：10Mbit/s,隔离电压：5KV.

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￥2.4415 ￥2.57
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型号：VO615A-9 编号：C2928655

封装：DIP-4

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型号：SFH617A-2X006 编号：C5224106

封装：DIP-4

110℃额定值产品具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料DIP-4封装中。该耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的端部可堆叠，间距为2.54mm。选择选项6时，爬电距离和电气间隙距离>8.8mm。

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￥2.662
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型号：HT6-213 编号：C47715860

封装：DIP-6

HT6213，输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：180mA，耐压：100V,RON:6.5欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：HTV-216 编号：C34376251

封装：DIP-4

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：40mA，耐压：600V,RON:35欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：TCDT1103G 编号：C5359573

封装：DIP-6

TCDT1100、TCDT1100G 系列产品包含一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管，二者通过光耦合，采用 6 引脚塑料双列直插式封装。光电晶体管的基极未连接，可抗干扰。

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￥3.14
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型号：TCET1102G 编号：C499488

封装：DIP-4

TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。

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￥1.76

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型号：CNY17-2 编号：C5273033

封装：DIP-6

是由砷化镓红外发射二极管与硅 NPN 光电晶体管光耦合而成的光耦合对。可以传输包括直流电平在内的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。可在许多数字接口应用以及 CRT 调制等模拟应用中替代继电器和变压器。

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型号：HTV-214 编号：C34376250

封装：DIP-4

光继电器，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、交换设备、测量设备、工业控制、安全等领域。输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：120mA，耐压：400V,RON:15欧姆，隔离电压：5KV.

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￥1.805 ￥1.9

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型号：HT-3150 编号：C46634502

封装：DIP-8

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：IGBT，峰值输出电流：1A,供电电压:15-30V,隔离电压：5KV.

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￥3.8855 ￥4.09
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型号：LCR-0202 编号：C82366

封装：DIP-4

品牌：森霸

光耦继电器，隔离模拟开关，线性光耦，。

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型号：MOC3021TVM 编号：C899786

封装：DIP-6

MOC301XM 和 MOC302XM 系列为光隔离三端双向可控硅元件驱动器器件。此类器件包含 GaAs 红外发光二极管和光激活硅双向开关，其功能与三端双向可控硅元件类似。此类器件适用于电子控制和功率三端双向可控硅元件之间的接口，可控制 115 VAC 运行的电阻和电感负载。

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￥1.764 ￥2.94

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型号：MCT6 编号：C258260

封装：DIP-8

MCT6X 光耦合器具有两个用于密度应用的沟道。对于四沟道应用，采用两个封装来容纳标准的 16 引脚 DIP 插槽。每个沟道都是一个与砷化镓发光二极管进行光耦合的 NPN 硅外延平面光电晶体管。

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￥4.42
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￥3.09

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型号：SFH615A-4 编号：C3000800

封装：DIP-4

SFH615A 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个 GaAs 红外二极管发射器，它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。

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￥2.5365 ￥2.67
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￥2.1755 ￥2.29

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型号：H11AA4M 编号：C258254

封装：DIP-6

H11AAXM 系列由两个反相并联连接的砷化镓红外发光二极管组成，以驱动单个硅光电晶体管输出。

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￥4.7
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￥4.6
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型号：TLP628(GB,F) 编号：C435821

封装：DIP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

由砷化镓红外发光二极管与光电晶体管光耦合而成，集电极-发射极击穿电压为350V。TLP628-2在八引脚塑料DIP封装中提供两个隔离通道，而TLP628-4每个封装提供四个隔离通道。

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￥4.74
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￥4.59

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型号：MOC3042SM 编号：C606032

封装：DIP-6

MOC303XM和MOC304XM器件包含AlGaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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￥5.0616 ￥8.88
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￥3.4827 ￥7.41
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￥2.4457 ￥6.61
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￥2.109 ￥5.7
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￥1.9573 ￥5.29
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￥1.8907 ￥5.11

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型号：MOC3052TVM 编号：C899827

封装：DIP-6

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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￥3.936 ￥6.56
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￥2.925 ￥5.85
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￥2.52 ￥5.04
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￥2.34 ￥4.68
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￥2.26 ￥4.52

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型号：MOC3082M 编号：C136560

封装：DIP-6