DIP光耦_厂家_价格_品牌_库存

特性：高电流传输比（CTR：在IF = 1mA、VCE = 2V时，最小值为1000%）。高输入输出隔离电压（Viso = 5000Vrms）。高集电极发射极电压（VCEO = 300V）。双列直插式封装：单通道型、双通道型。宽引脚间距封装：单通道型、双通道型。表面贴装封装：单通道型、双通道型。卷带包装。安全认证：UL / TUV / CSA / FIMKO / NEMKO / DEMKO / SEMKO / VDE认证。符合RoHS标准

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型号：CNY17F3TVM 编号：C899101

封装：DIP-6

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件包含砷化镓红外发光二极管，与双列直插封装中的 NPN 光电晶体管耦合。

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型号：6N139-000E-AXW 编号：C42432273

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

输入类型:DC，隔离电压(rms): 5kV，传播延迟tpLH/tpHL: 60us；25us,共模瞬变抗扰度CMTI: 1kV/us, DIP8

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型号：6N138-L 编号：C571211

封装：DIP-8

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速操作。如有需要，可将 Vcc 和 Vo 端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子可进行增益带宽调整。

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型号：LTV-824 编号：C10791

封装：DIP-8

特性：AC输入响应。高输入输出隔离电压 (Viso = 5,000Vrms)。低集电极暗电流 (ICEO: MAX. 10⁻⁷A at VCE = 20V)。电流传输比 (CTR: MIN. 20% at IF = ±1mA, VCE = 5V)

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型号：FOD3150S 编号：C899250

封装：DIP-8

FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

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型号：LTV-3223 编号：C575505

封装：DIP-8

固态继电器（SSR）是砷化镓铝发光二极管、光控三端双向可控硅探测器和主功率三端双向可控硅的集成器件。这些器件非常适合控制高压交流负载，具备固态可靠性，同时在输入与输出之间提供 5 KV 的隔离（Viso (rms)）。

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型号：HTV-212 编号：C46634497

封装：DIP-4

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC,输出类型：MOS，电流：550mA，耐压：60V,RON:0.7欧姆，隔离电压：5KV.

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型号：MOC3062TVM 编号：C899839

封装：DIP-6

MOC306XM和MOC316XM器件包含GaAs红外线发光二极管，该二极管光学耦合至单片硅检测器，可执行电压过零检测双向三端双向可控硅开关驱动器的功能。

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型号：CYHCPL3120 编号：C3018816

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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型号：CYHCPL2631 编号：C3018814

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2630 和CYHCPL2631 由一个红外发光二极管和一个具有选通输出的高速集成光电检测器逻辑门IC组成的光耦。它有DIP-8，DIP8-M和SMD8三种封装形式。

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型号：CYHCPL2531 编号：C20417303

封装：DIP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL2530 和CYHCPL2531 由一颗红外LED 耦合一颗三极管输出1Mbit/s 高速IC 的高速光耦，光电二极管偏置的单独连接通过减小输入晶体管的基极集电极电容，使速度比传统的光电晶体管光耦合器提高了几个数量级。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制10kV/µs。与220V的工业标准相比，改进的封装具有优越的绝缘性，允许480V的工作电压。

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型号：APY212G2E 编号：C42444430

封装：DIP-4

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器的基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和电源之间提供隔离屏障。光继电器通过移动光子来实现开关功能，不会产生机械磨损，可提供一致可靠的开关性能。

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型号：HCPL-2531-C1L0 编号：C19185356

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

这类晶体二极管型光耦在LED与集成光敏接收器之间用一绝缘层来保证输入与输出间的电器隔离。光电二极管和输出晶体管集电极分别给予偏置电压，可以使常规光敏晶体管的速度提高。

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型号：TLP2962(F) 编号：C146458

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成。可保证在高达125℃的温度下工作，电源电压范围为2.7V至5.5V。采用DIP8封装，内部有法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为20kV/μs。

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型号：APW212G2E 编号：C42444455

封装：DIP-8

品牌：APSEMI(先进光)

光继电器是可靠、技术先进的逻辑到功率接口设备。其基本功能是从微处理器获取低电流信号，以控制交流和直流负载的开关，同时在逻辑和功率之间提供隔离屏障。

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型号：FOD3184TV 编号：C899275

封装：DIP-8

FOD3184 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET/IGBT 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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型号：H11F1M 编号：C899456

封装：DIP-6

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

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型号：PS2501-4-A 编号：C7543857

封装：DIP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装（DIP），还有用于表面贴装的引脚弯曲型（鸥翼型）。

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型号：FOD4118 编号：C899297

封装：DIP-6

FOD410、FOD4108、FOD4116 和 FOD4118 器件由与混合三端双向可控硅开关耦合的红外发光二极管组成，该开关使用两个逆向并联 SCR 形成，构成了能够驱动分立三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。FOD4116 和 FOD4118 使用高效红外发光二极管，可提高触发灵敏度。此类器件采用标准的 6 引脚双列直插式 (DIP) 封装。

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型号：TLP521-2(GB) 编号：C43687163

封装：DIP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：HCNW4504-000E 编号：C49269389

封装：DIP-8

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型号：CNY66B 编号：C222455

封装：DIP-4

品牌：VISHAY(威世)

由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管在一个4引脚塑料封装中光耦合而成。单个组件彼此相对安装，输入和输出之间的距离>3mm，以满足最高安全要求。

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型号：HCPL4503M 编号：C115130

封装：DIP-8

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：HCNW139-000E 编号：C188686

封装：DIP-8

0.5mA 低输入电流,高增益光电耦合器

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型号：G3VM-62C1 编号：C1558769

封装：DIP-8

品牌：OMRON(欧姆龙)

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型号：HCPL-3700-000E 编号：C692043

封装：DIP-8

是电压/电流阈值检测光耦合器，低电流版本使用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高的光输出。该器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在很宽的输入电压范围内控制阈值水平。输入缓冲器具有多种功能：用于额外抗噪和抗开关干扰的迟滞功能、便于与交流输入信号配合使用的二极管电桥，以及用于保护缓冲器和LED免受各种过压和过流瞬变影响的内部钳位二极管。由于在驱动LED之前进行阈值感应，因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

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型号：HCNW3120-000E 编号：C49269379

封装：DIP-8