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首页 > 热门关键词 > DIP光耦
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操作
特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳切换。 更高的速度和高频切换。 更高的灵敏度(更低的功耗)。 抗电磁干扰或射频干扰。 无电弧、弹跳和噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
  • 1+

    ¥7.28
  • 10+

    ¥6.02
  • 50+

    ¥5.33
  • 100+

    ¥4.55
  • 500+

    ¥4.2
  • 1000+

    ¥4.05
  • 有货
  • 1 Form A(SPST-NO)负载电压:600V 连续负载电流:0.08A
    • 1+

      ¥7.47
    • 10+

      ¥6.21
    • 50+

      ¥5.52
    • 100+

      ¥4.74
  • 有货
  • 1 Form A(SPST-NO)负载电压:100V 连续负载电流:2.0A
    • 1+

      ¥8.54
    • 10+

      ¥7.1
    • 50+

      ¥6.31
    • 100+

      ¥5.41
  • 有货
  • 光耦继电器触点形式:1 Form B(SPST-NC)
    • 1+

      ¥9.57
    • 10+

      ¥7.91
    • 30+

      ¥7.01
    • 100+

      ¥5.98
    • 500+

      ¥5.52
    • 1000+

      ¥5.31
  • 有货
  • 光耦合隔离器,包含一个砷化镓发光二极管和一个NPN硅光电晶体管。采用塑料双列直插式封装(DIP),还有用于表面贴装的引脚弯曲型(鸥翼型)。
    • 1+

      ¥9.66
    • 10+

      ¥8.13
    • 40+

      ¥7.17
    • 100+

      ¥6.19
  • 有货
  • AT226 光继电器由红外发光二极管和光电发生器、 MOSFET 组成。 广泛应用于:通讯产品、调制解调器/传感、移动电话 /安全设备、测量和测试设备、工厂自动化设备、高速检验机器。
    • 1+

      ¥10.09
    • 10+

      ¥8.59
    • 45+

      ¥7.65
    • 90+

      ¥6.68
    • 495+

      ¥6.24
    • 990+

      ¥6.05
  • 有货
  • 特性:长寿命(机械和电气寿命无限制)。 无弹跳开关。 更高的速度和高频开关。 更高的灵敏度(更低的功耗)。 抗电磁干扰或射频干扰。 无电弧、无弹跳和无噪音。应用:电信/数据通信交换。 多路复用器
    • 1+

      ¥11.76
    • 10+

      ¥9.95
    • 50+

      ¥8.82
    • 100+

      ¥7.66
    • 500+

      ¥7.14
    • 1000+

      ¥6.91
  • 有货
  • 是单刀常开(1-Form-A)固态继电器,具有5000Vrms的增强输入到输出隔离屏障。继电器输出采用高效MOSFET开关构建,使用了专利的OptoMOS架构。输入为高效红外LED,控制光耦合输出。
    • 1+

      ¥17.69
    • 10+

      ¥15.1
    • 30+

      ¥13.47
    • 100+

      ¥11.81
    • 500+

      ¥11.06
  • 有货
    • 1+

      ¥25.26
    • 10+

      ¥21.64
    • 30+

      ¥19.49
  • 有货
  • 特性:负载电压有40V、60V、100V、200V、250V、400V、600V、1000V和1500V多种选择。 典型导通电阻为0.6Ω(AQV251)。 具备5000Vrms的加强绝缘型输入输出隔离。应用:测量仪器。 数据通信设备
    数据手册
    • 1+

      ¥33.91
    • 10+

      ¥30.37
    • 50+

      ¥25.55
  • 有货
    • 1+

      ¥37.65
    • 10+

      ¥34.1
    • 30+

      ¥31.94
  • 有货
  • 商品目录:晶体管输出光耦 输入类型:DC 输出类型:光电三极管 正向压降(Vf):1.2V 输出电流:50mA 隔离电压(Vrms):5kV 直流反向耐压(Vr):6V 输出通道数 1 集射极饱和电压(VCE(sat)) 200mV@1mA,20mA 上升时间(tr) 4us 下降时间 3us 工作温度 -55℃~+110℃ 电流转换比的等级分类CTR:130-260
    • 20+

      ¥0.134228 ¥0.1459
    • 200+

      ¥0.104144 ¥0.1132
    • 600+

      ¥0.0874 ¥0.095
    • 2000+

      ¥0.077372 ¥0.0841
    • 10000+

      ¥0.068724 ¥0.0747
    • 20000+

      ¥0.064032 ¥0.0696
  • 有货
  • PC-817系列光耦合器的组成是:由一个GaAs的发射管和一个NPN的晶体管组成 PC-817的引脚中心距是2.54mm。
    • 20+

      ¥0.17388 ¥0.1932
    • 200+

      ¥0.13599 ¥0.1511
    • 600+

      ¥0.11142 ¥0.1238
    • 2000+

      ¥0.09882 ¥0.1098
    • 10000+

      ¥0.08784 ¥0.0976
    • 20000+

      ¥0.08199 ¥0.0911
  • 有货
  • 消费级
    数据手册
    • 500+

      ¥0.1176
    • 2000+

      ¥0.1092
    • 5000+

      ¥0.1008
    • 10000+

      ¥0.0966
    • 50000+

      ¥0.0924
    CYPC817是一款由一个发光二极管和一个光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装,三种形式(DIPDIP-M、SMD)。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2473
    • 200+

      ¥0.196
    • 600+

      ¥0.1635
  • 有货
  • 是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。四引脚封装,四种形式(DIPDIP-M、SMD、SLM)。
    • 5+

      ¥0.6349
    • 50+

      ¥0.4909
    • 200+

      ¥0.4189
    • 500+

      ¥0.3649
    • 2500+

      ¥0.3217
  • 有货
  • TP303X、TP304X、TP306X、TP308X 系列器件是由一个 GaAs 红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
    • 5+

      ¥0.90954 ¥1.0106
    • 50+

      ¥0.71901 ¥0.7989
    • 150+

      ¥0.63738 ¥0.7082
    • 500+

      ¥0.5355 ¥0.595
    • 2000+

      ¥0.49014 ¥0.5446
    • 4000+

      ¥0.46296 ¥0.5144
  • 有货
  • 由两个反向并联的红外发光二极管组成,光耦合到光电晶体管探测器。采用4引脚DIP封装,有宽引脚间距和SMD可选。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.952536 ¥1.2212
    • 50+

      ¥0.658852 ¥0.9689
    • 200+

      ¥0.499264 ¥0.8608
    • 500+

      ¥0.420964 ¥0.7258
    • 2500+

      ¥0.386164 ¥0.6658
    • 6000+

      ¥0.365226 ¥0.6297
  • 有货
  • DIP6封装单通道晶体管光耦,5000V隔离电压,电流传输比大于100%
    • 5+

      ¥1.0908
    • 50+

      ¥0.8388
    • 130+

      ¥0.7308
    • 520+

      ¥0.5961
    • 2470+

      ¥0.5361
    • 6500+

      ¥0.5
  • 有货
    • 5+

      ¥1.1265
    • 50+

      ¥0.9148
    • 200+

      ¥0.78
    • 500+

      ¥0.6668
  • 有货
  • 由一个砷化镓红外发光二极管与一个单片硅非零电压交叉光控双向可控硅光耦合组成。它们设计用于逻辑系统接口中的分立功率双向可控硅,如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器。
    • 6+

      ¥1.128
    • 60+

      ¥0.8917
    • 198+

      ¥0.7905
    • 594+

      ¥0.6641
  • 有货
  • 特性:输入与输出之间的隔离电压 Viso:5000Vrms。 6引脚DIP过零光耦可控硅驱动器输出。 高重复峰值断态电压VDRM:最小600V。应用:交流电机驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1486
    • 50+

      ¥0.9696
    • 130+

      ¥0.813
    • 520+

      ¥0.7364
  • 有货
  • DIP6封装非过零可控硅光耦,5000V隔离电压,VDRM:400V IFT:10mA
    • 5+

      ¥1.2325
    • 50+

      ¥0.9626
    • 130+

      ¥0.8469
    • 520+

      ¥0.7294
    • 2470+

      ¥0.6651
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2678
    • 50+

      ¥0.9902
    • 130+

      ¥0.8382
    • 520+

      ¥0.6898
  • 有货
  • DIP6封装非过零可控硅光耦,5000V隔离电压,VDRM:600V IFT:10mA
    • 5+

      ¥1.3499
    • 50+

      ¥1.0543
    • 130+

      ¥0.9276
    • 520+

      ¥0.7989
    • 2470+

      ¥0.7285
  • 有货
  • 特性:电流传输比(CTR):在IF = 10mA、VCE = 5V时,最小值为40%。 高集电极-发射极电压:VCE0 = 70V。 高输入-输出隔离电压:Viso = 5000Vrms。 响应时间(tr):在VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω时,典型值为5μs。应用:电源调节器。 数字逻辑输入
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3686
    • 50+

      ¥1.0978
    • 130+

      ¥0.9281
    • 520+

      ¥0.7833
  • 有货
  • DIP6封装过零可控硅光耦,5000V隔离电压,VDRM:600V IFT:10mA
    • 5+

      ¥1.4086
    • 50+

      ¥1.1001
    • 130+

      ¥0.9679
    • 520+

      ¥0.8336
    • 2470+

      ¥0.7602
  • 有货
  • DIP6封装非过零可控硅光耦,5000V隔离电压,VDRM:600V IFT:5mA
    • 5+

      ¥1.4086
    • 50+

      ¥1.1001
    • 130+

      ¥0.9679
    • 520+

      ¥0.8336
    • 2470+

      ¥0.7602
  • 有货
  • DIP6封装过零可控硅光耦,5000V隔离电压,VDRM:600V IFT:15mA
    • 5+

      ¥1.4112
    • 50+

      ¥1.1157
    • 130+

      ¥0.989
    • 520+

      ¥0.8309
    • 2470+

      ¥0.7605
  • 有货
  • CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成,采用双列直插封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.5872 ¥2.56
    • 10+

      ¥1.1908 ¥2.29
    • 50+

      ¥0.903 ¥2.15
    • 100+

      ¥0.8484 ¥2.02
    • 500+

      ¥0.8148 ¥1.94
    • 1000+

      ¥0.7938 ¥1.89
  • 有货
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