驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-0314-000E 编号：C692006

封装：DIP-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

数据手册

1+
￥22.89
10+
￥19.78
30+
￥17.93

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型号：ACPL-W340-000E 编号：C17497199

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥23.87
10+
￥23.34
30+
￥22.99

有货

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型号：FDA217 编号：C17552966

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

FDA217是一款双路光伏MOSFET驱动器。每个独立的驱动器由一个与光电二极管阵列光耦合的LED组成。驱动器输出通过输入端的高效红外LED进行控制

1+
￥30.74
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￥26.05
50+
￥23.26
100+
￥20.44
500+
￥19.14
1000+
￥18.55

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型号：FDA117GRTR 编号：C44035665

封装：SMD-4P

品牌：Littelfuse/IXYS

1+
￥31.15
10+
￥30.47
30+
￥30.02

有货

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型号：HCPL-314J-000E 编号：C19673750

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个AlGaAs LED组成，该LED与一个带有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。对于额定值较高的IGBT，可以使用HCPL-3150（0.5A）或HCPL-3120（2.0A）光耦合器。

1+
￥37.16
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￥32.06
45+
￥29.02

有货

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型号：ACPL-P346-060E 编号：C17214114

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥40.49
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￥39.59
30+
￥39

有货

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型号：ACNV3130-000E 编号：C17510217

封装：DIP-10

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥45.28
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￥44.28
30+
￥43.61

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型号：ACPL-W349-000E 编号：C17500630

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥45.35
10+
￥44.35
30+
￥43.68

有货

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型号：ACPL-339J-000E 编号：C6795996

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

是一款先进的1.0 A双输出、易于使用的智能IGBT和功率MOSFET栅极驱动光耦接口。独特设计支持各种电流额定值的MOSFET缓冲器，使系统工程师通过更换MOSFET缓冲器和功率IGBT/MOSFET开关，使用一个硬件平台来支持不同的系统功率额定值，且无需重新设计关键电路隔离和短路保护。这一概念最大限度地提高了电机控制和功率转换应用中从低到高功率额定值的栅极驱动设计可扩展性。包含一个AlGaAs LED，该LED与一个带有两个功率输出级的集成电路光耦合，具有主动定时控制，可防止外部MOSFET缓冲器发生交叉导通

1+
￥46.46
10+
￥39.72
30+
￥35.62

有货

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型号：HCPL-3180-300 编号：C17475296

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥51.28
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￥50.15
50+
￥49.39

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型号：PS9031-Y-V-F3-AX 编号：C17411608

封装：SOIC-5-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9031是一款光耦合隔离器，其输入侧包含一个镓铝砷（GaAlAs）发光二极管（LED），输出侧的单芯片上集成了一个光电二极管、一个信号处理电路和功率MOSFET。

1+
￥9.31
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￥7.73
30+
￥6.87

有货

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型号：ACPL-W343-060E 编号：C49269464

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

1+
￥9.93
10+
￥9.72
30+
￥9.58

有货

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型号：RV1S9213ACCSP-10YV#KC0 编号：C7068226

封装：LSSO-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧在一个芯片上包含一个光电二极管和一个信号处理电路。专为高共模瞬态抗扰度（CMR）和随工作温度的低脉冲宽度失真而设计，适用于IPM驱动。该封装非常小且薄，爬电距离长（8.2mm），适用于需要表面贴装和高密度安装的各种接口电路。

1+
￥11.11
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￥10.87
30+
￥10.71

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型号：HCPL-316J 编号：C17521240

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥16.93
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￥16.55
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￥16.3

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型号：ACPL-P341-500E 编号：C19673762

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。

1+
￥18.09
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￥17.66
30+
￥17.38

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型号：HCPL-J312-300E 编号：C6795926

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED，或包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

1+
￥20.29
10+
￥19.83
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￥19.52

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型号：PS9513-AX 编号：C7030197

封装：DIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9513、PS9513L1、PS9513L2和PS9513L3是光耦合隔离器，在单芯片的输入侧包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。PS9513专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和随工作温度变化的低脉冲宽度失真而设计，适用于智能功率模块（IPM）驱动。

1+
￥21.77
10+
￥21.28
50+
￥20.96

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型号：ACPL-P314-000E 编号：C18198822

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

1+
￥21.92
10+
￥21.45
30+
￥21.14

有货

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型号：HCPL-T250-000E 编号：C17663508

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥22.39
10+
￥21.89
50+
￥21.56

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型号：ACPL-H312-560E 编号：C6795934

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

1+
￥24.39
10+
￥23.9
30+
￥23.57

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型号：ACPL-K34T-000E 编号：C7466718

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

2.5安培汽车级R2Coupler栅极驱动光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），它与一个带有功率输出级的集成电路进行光耦合。ACPL - K34T具有快速传播延迟和严格的时序偏差，专为驱动AC - DC和DC - DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

1+
￥25.56
10+
￥24.96
30+
￥24.56

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型号：ACPL-K30T-560E 编号：C17395588

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥25.63
10+
￥25.06
30+
￥24.69

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型号：ACPL-P343-560E 编号：C19673753

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，该LED通过光耦合到具有功率输出级的集成电路。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

1+
￥26.28
10+
￥22.67
30+
￥20.53

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型号：ACPL-312T-500E 编号：C17507904

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥29.46
10+
￥28.8
30+
￥28.37

有货

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型号：RV1S9061ACCSP-10YV#SC0 编号：C7068217

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9061A是一款光电耦合器，具有高达15 Mbps的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑，其输入侧为AlGaAs LED，输出侧为带光电二极管的集成电路。RV1S9061A专为高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围和高达TA = 125℃的高温工作环境而设计，适用于IPM（智能功率模块）驱动。

1+
￥29.88
10+
￥25.35
40+
￥22.65

有货

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型号：HCPL-3150-300E 编号：C6795894

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该Broadcom HCPL-315X由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，HCPL-3150/315J可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

1+
￥30.68
10+
￥26.42
30+
￥23.89

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型号：RV1S9061ACCSP-10YC#SC0 编号：C6669093

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9061A是一款光电耦合器，具备高达15 Mbps的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑。其输入侧为铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），输出侧为带光电二极管的集成电路。 RV1S9061A专为实现高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围以及高达125 °C的高温工作环境而设计

1+
￥33.4
10+
￥28.46
40+
￥25.45

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型号：ASSR-V621-302E 编号：C6795987

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

专为驱动高功率MOSFET而设计。它由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级和一个输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个独立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可以通过串联连接2个通道来使光伏电压加倍，或者通过并联连接2个通道来使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

1+
￥36.17
10+
￥35.32
50+
￥34.76

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型号：ACPL-W343-000E 编号：C6795917

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

1+
￥36.59
10+
￥31.51
30+
￥28.49

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型号：PS9113-AX 编号：C5829187

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。具有高共模抑制比（CMR）、高电流传输比（CTR）和与工作温度相关的脉冲宽度失真特性，适用于IPM驱动。

1+
￥43.98
10+
￥43
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