驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-0314-000E 编号：C692006

封装：DIP-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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￥22.89
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￥19.78
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￥17.93

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型号：FDA217 编号：C17552966

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse/IXYS

FDA217是一款双路光伏MOSFET驱动器。每个独立的驱动器由一个与光电二极管阵列光耦合的LED组成。驱动器输出通过输入端的高效红外LED进行控制

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￥30.74
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型号：FDA117GRTR 编号：C44035665

封装：SMD-4P

品牌：Littelfuse/IXYS

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￥31.15
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￥30.47
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￥30.02

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型号：ACFL-3161-000E 编号：C17383873

封装：SO-12

品牌：Broadcom(博通)

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￥28.64
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￥25.9

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型号：HCPL-314J-000E 编号：C19673750

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由一个AlGaAs LED组成，该LED与一个带有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。对于额定值较高的IGBT，可以使用HCPL-3150（0.5A）或HCPL-3120（2.0A）光耦合器。

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￥37.16
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￥32.06
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￥29.02

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型号：ACPL-339J-000E 编号：C6795996

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

是一款先进的1.0 A双输出、易于使用的智能IGBT和功率MOSFET栅极驱动光耦接口。独特设计支持各种电流额定值的MOSFET缓冲器，使系统工程师通过更换MOSFET缓冲器和功率IGBT/MOSFET开关，使用一个硬件平台来支持不同的系统功率额定值，且无需重新设计关键电路隔离和短路保护。这一概念最大限度地提高了电机控制和功率转换应用中从低到高功率额定值的栅极驱动设计可扩展性。包含一个AlGaAs LED，该LED与一个带有两个功率输出级的集成电路光耦合，具有主动定时控制，可防止外部MOSFET缓冲器发生交叉导通

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￥46.46
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型号：ACNT-H343-500E 编号：C17646021

封装：SOIC-8-13.6mm

品牌：Broadcom(博通)

是一款5A栅极驱动光耦合器设备，采用15mm SSO8封装，适用于高压、空间受限的工业应用，包括电机驱动器和太阳能逆变器。该封装平台具有15mm爬电距离和14.2mm电气间隙、2262VPEAK的高绝缘电压和紧凑的封装尺寸。具有大于100kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）和小于150ns的传播延迟，能够实现高频开关，提高驱动IGBT和SiC/GaN MOSFET的效率。

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￥50.69
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￥49.5
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￥48.71

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型号：ACNT-H343-000E 编号：C17249892

封装：SOIC-8-13.6mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥51.71
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￥50.56
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￥49.8

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型号：HCPL-7710-000E 编号：C2927819

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

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￥55.86
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￥48.38
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￥43.83

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型号：ACPL-W314-C5L0 编号：C20612465

封装：SSOP-6

品牌：KTP(科泰普)

ACPL-P314/ACPL-W314 门驱动光电耦合器内含一个 GaAsP LED，可与一个功率输出级集成电路进行光电耦合。这些光电耦合器可作为电机控制变频器应用中驱动功率 IGBT 和 MOSFET 的理想选择。输出级的高工作电压范围提供了门控设备所需的驱动电压。

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￥3.66
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￥2.95
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￥2.59
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￥2.24

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型号：FOD3182-C5L0 编号：C19185370

封装：SMD-8P

品牌：KTP(科泰普)

FOD3182是具有3A输出电流，高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。非常适用于等离子显示屏(PDPs)，电动机用逆变器控制，以及高性能DC/DC转换器中采用的高频功率驱动MOSFETS。

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￥4.33
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￥3.48
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￥3.06
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￥2.65

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型号：RV1S9213ACCSP-10YV#KC0 编号：C7068226

封装：LSSO-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧在一个芯片上包含一个光电二极管和一个信号处理电路。专为高共模瞬态抗扰度（CMR）和随工作温度的低脉冲宽度失真而设计，适用于IPM驱动。该封装非常小且薄，爬电距离长（8.2mm），适用于需要表面贴装和高密度安装的各种接口电路。

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￥11.11
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￥10.87
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￥10.71

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型号：ACPL-P341-500E 编号：C19673762

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。

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￥18.09
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￥17.66
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￥17.38

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型号：ACPL-T350-560E 编号：C691964

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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￥20.16
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￥19.42

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型号：PS9513-AX 编号：C7030197

封装：DIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9513、PS9513L1、PS9513L2和PS9513L3是光耦合隔离器，在单芯片的输入侧包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。PS9513专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和随工作温度变化的低脉冲宽度失真而设计，适用于智能功率模块（IPM）驱动。

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￥21.77
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￥21.28
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￥20.96

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型号：ACPL-P314-000E 编号：C18198822

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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￥21.92
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￥21.45
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￥21.14

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型号：ACPL-K312-000E 编号：C19128614

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.12
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￥21.63
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￥21.31

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型号：HCPL-T250-000E 编号：C17663508

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.39
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￥21.89
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￥21.56

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型号：ACPL-P302-000E 编号：C17289282

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.86
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￥22.36
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￥22.02

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型号：ACPL-W340-000E 编号：C17497199

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥23.87
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￥22.99

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型号：HCPL-3180-300E 编号：C6795935

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

该系列器件由 GaAsP 发光二极管组成。发光二极管与带功率级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合高频驱动用于等离子显示面板、高性能 DC/DC 转换器和电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。

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￥24.17
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￥23.65
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￥23.3

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型号：ACPL-H312-560E 编号：C6795934

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

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￥24.39
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￥23.9
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￥23.57

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型号：HCNW3120-300E 编号：C6795941

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

HCPL-3120包含GaAsP LED，HCPL-J312和HCNW3120包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。

1+
￥24.41
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￥23.85
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￥23.47

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型号：ACPL-P346-000E 编号：C3036217

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可为栅极控制设备提供所需的驱动电压

数据手册

1+
￥24.53
10+
￥23.96
30+
￥23.57

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型号：ACPL-M483-000E 编号：C19673760

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

1+
￥24.59
10+
￥21.21
30+
￥19.2

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型号：ACFL-3161-500E 编号：C17398119

封装：SO-12

品牌：Broadcom(博通)

是10A峰值、轨到轨输出的栅极驱动光耦合器，采用紧凑的、可表面贴装的SO-12封装以节省空间。输入和输出通道之间提供5kVrms的隔离电压。主要设计用于具备高峰值驱动电流能力，以确保在各种应用中直接驱动SiC MOSFET或IGBT时达到最佳性能。具有快速传播延迟和严格的死区时间失真，非常适合高频驱动SiC MOSFET和IGBT。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

1+
￥24.95
10+
￥24.4
30+
￥24.03

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型号：ACPL-K34T-000E 编号：C7466718

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

2.5安培汽车级R2Coupler栅极驱动光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），它与一个带有功率输出级的集成电路进行光耦合。ACPL - K34T具有快速传播延迟和严格的时序偏差，专为驱动AC - DC和DC - DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

1+
￥25.56
10+
￥24.96
30+
￥24.56

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型号：ACPL-K30T-560E 编号：C17395588

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥25.63
10+
￥25.06
30+
￥24.69

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型号：ACPL-P484-560E 编号：C7209880

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

快速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化，通过减少开关死区时间提高逆变器效率。

1+
￥27.34
10+
￥26.74
30+
￥26.34

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型号：RV1S9061ACCSP-10YV#SC0 编号：C7068217

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9061A是一款光电耦合器，具有高达15 Mbps的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑，其输入侧为AlGaAs LED，输出侧为带光电二极管的集成电路。RV1S9061A专为高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围和高达TA = 125℃的高温工作环境而设计，适用于IPM（智能功率模块）驱动。

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￥29.88
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￥25.35
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