您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 驱动光耦
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共97707
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
UCC23513 3A、5kVRMS 光兼容单通道隔离式栅极驱动
数据手册
  • 1+

    ¥2.63
  • 10+

    ¥2.02
  • 30+

    ¥1.72
  • 100+

    ¥1.46
  • 500+

    ¥1.39
  • 850+

    ¥1.34
  • 有货
  • 是一款采用DIP8封装的光电耦合器,由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥3.69
    • 100+

      ¥3.18
    • 500+

      ¥3.02
    • 1500+

      ¥2.93
  • 有货
  • 2.5A,IGBT/MOS驱动光耦
    数据手册
    • 1+

      ¥3.88
    • 10+

      ¥3.14
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.42
    • 500+

      ¥1.96
    • 1500+

      ¥1.85
  • 有货
    • 1+

      ¥3.89
    • 10+

      ¥3.12
    • 30+

      ¥2.73
    • 100+

      ¥2.35
    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • HCPL-3120(AT) 是一种输出电流为 2.5A的栅极驱动光电耦合器,具有一个砷化铝镓(AlGaAs) 的发光二极管 ,通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于:不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、 感应加热、工业逆变器等。
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.73
    • 30+

      ¥2.39
    • 100+

      ¥2.06
    • 500+

      ¥1.86
    • 1000+

      ¥1.79
  • 有货
  • 是一款先进的1.5 A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器,可使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。具有集成Vce检测、欠压锁定(UVLO)、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等功能,提供最大的设计灵活性和电路保护。包含一个AlGaAs LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V和100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414 VPEAK。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.26
    • 10+

      ¥15.68
    • 30+

      ¥14.07
    • 100+

      ¥11.41
    • 500+

      ¥10.67
    • 850+

      ¥10.34
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中,其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.13
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.45
    • 100+

      ¥3.89
    • 500+

      ¥3.32
    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
  • IGBT驱动光耦-1A-SO6(ROHS)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.16
    • 10+

      ¥4.16
    • 30+

      ¥3.66
    • 100+

      ¥3.16
    • 500+

      ¥2.75
    • 1000+

      ¥2.6
  • 有货
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥1.79
    • 1000+

      ¥1.69
  • 有货
  • 适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。光电耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +110℃ 的温度范围内得到保证。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.54
    • 10+

      ¥2.84
    • 30+

      ¥2.54
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥1.77
    • 1000+

      ¥1.67
  • 有货
  • 由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。
    • 1+

      ¥5.66
    • 10+

      ¥4.58
    • 30+

      ¥4.05
    • 100+

      ¥3.51
    • 500+

      ¥3.15
    • 1000+

      ¥2.98
  • 有货
  • CA-IS3417WT是一款低EMI、输入光耦兼容的增强型绝缘高压隔离开关,原边输入级为模拟二极管(e-diode),在保持光耦输入特性的同时还具有更好的一致性、长期稳定性和更高的可靠性,其传输特性不会像传统光MOS继电器一样随着使用时间的增加而出现光衰老化现象。另外相比传统的机械继电器,CA-IS3417WT的开关次数更多,使用寿命更长。 CA-IS3417WT的副边集成了耐压高达1700V背靠背的SiC MOSFET,由于SiC MOSFET具有更好的高温特性和可靠性,使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。
    • 1+

      ¥15.1
    • 10+

      ¥12.58
    • 30+

      ¥11.01
    • 100+

      ¥9.4
    • 500+

      ¥8.67
    • 1000+

      ¥8.35
  • 有货
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.78
    • 45+

      ¥2.44
    • 90+

      ¥2.11
    • 495+

      ¥1.91
    • 990+

      ¥1.8
  • 有货
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.09
    • 45+

      ¥2.72
    • 90+

      ¥2.34
    • 495+

      ¥2.12
    • 990+

      ¥2
  • 有货
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.09
    • 45+

      ¥2.72
    • 90+

      ¥2.34
    • 495+

      ¥2.12
    • 990+

      ¥2
  • 有货
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.09
    • 45+

      ¥2.72
    • 90+

      ¥2.34
    • 495+

      ¥2.12
    • 990+

      ¥2
  • 有货
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.65
    • 45+

      ¥2.32
    • 90+

      ¥2
    • 495+

      ¥1.81
    • 990+

      ¥1.71
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄,符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.79
    • 1500+

      ¥1.68
  • 有货
  • 适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有4.5A峰值拉电流和5.3A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.77
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.16
    • 500+

      ¥2.01
    • 850+

      ¥1.92
  • 有货
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.09
    • 45+

      ¥2.72
    • 90+

      ¥2.34
    • 495+

      ¥2.12
    • 990+

      ¥2
  • 有货
  • 立创商城为您提供驱动光耦型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买驱动光耦提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content