驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8-2.54mm

是一款采用DIP8封装的光电耦合器，由砷化镓红外发光二极管 (LED) 与集成高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽，能保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出，可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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￥5.12
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型号：ACPL-W314-500E 编号：C194137

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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型号：ACPL-W341-500E 编号：C194135

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。

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￥4.23
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型号：TLP5702(TP,E 编号：C163201

封装：SOP-6-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

2.5A，IGBT/MOS驱动光耦

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￥1.82

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型号：TLP152 编号：C22436730

封装：SO-6

品牌：KTP(科泰普)

应用在等离子显示面板(PDPs)、工业逆变器、MOSFET栅极驱动、IGBT栅极驱动

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型号：ACPL-W340-500E 编号：C60056

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

IGBT驱动光耦-1A-SO6(ROHS)

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型号：ACPL-330J-500E 编号：C908115

封装：SOIC-16-Narrow

品牌：Broadcom(博通)

是一款先进的1.5 A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器，可使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。具有集成Vce检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等功能，提供最大的设计灵活性和电路保护。包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V和100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。绝缘电压为VIOM = 1414 VPEAK。

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型号：UCC23513DWYR 编号：C456289

封装：SOIC-6-300mil

品牌：TI(德州仪器)

UCC23513 3A、5kVRMS 光兼容单通道隔离式栅极驱动器

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型号：ACPL-337J-500E 编号：C545686

封装：SOP-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

门驱动光耦合器具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。集成的智能功能可保护IGBT，包括带软关断保护和故障反馈的IGBT去饱和检测、欠压锁定和反馈以及有源米勒电流钳位。这款功能齐全且易于实现的IGBT门驱动光耦合器采用紧凑的表面贴装SO-16封装，节省空间。适用于电机控制和逆变器应用中的IGBT和功率MOSFET驱动。隔离产品提供加强绝缘和可靠性，可在高压和嘈杂的工业应用中实现安全的信号隔离。

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型号：LTV-5314-TP1 编号：C2944034

封装：SMD-5P

品牌：LITEON(光宝)

适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。光电耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +110℃ 的温度范围内得到保证。

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型号：TLP155 编号：C22436729

封装：SO-6

品牌：KTP(科泰普)

应用在等离子显示面板(PDPs)、晶体管逆变器、MOSFET 栅极驱动、IGBT 栅极驱动

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￥3.14
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型号：TLP5754(D4-TP,E 编号：C843785

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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1+
￥5.17
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￥3.74
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￥2.84

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型号：ACPL-339J-500E 编号：C691933

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

是一款先进的1.0A双输出、易于使用的智能IGBT和功率MOSFET栅极驱动光耦接口。专为支持各种电流额定值的MOSFET缓冲器而设计，系统工程师可以通过互换MOSFET缓冲器和功率IGBT/MOSFET开关，使用一个硬件平台支持不同的系统功率额定值。这些更改无需重新设计关键电路隔离和短路保护。这一概念最大限度地提高了适用于从低到高功率额定值的电机控制和功率转换应用的栅极驱动设计可扩展性

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￥17.24
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￥9.9274 ￥10.13
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￥8.8984 ￥9.08

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型号：TLP250F(UMW) 编号：C53109740

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥3.45
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型号：HCPL-3140-000E(UMW) 编号：C53109730

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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型号：HCNW3120-500E 编号：C49269355

封装：-

品牌：Broadcom(博通)

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￥9.0062 ￥9.19
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￥8.085 ￥8.25

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型号：GAQV1122S 编号：C22385006

封装：SOP-4-175mil-2.54mm

品牌：SUPSiC(国晶微半导体)

特性：高速开关：释放时间为 0.1 ms，可在紧急情况下快速关闭 MOSFET 或其他负载。节省空间：内置控制电路，无需外部电阻，有助于使基板更紧凑。应用：MOSFET 驱动器。电子电路的电源 (Vcc)

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型号：UCC23513BDWYR 编号：C2869904

封装：SOIC-6-4.7mm

品牌：TI(德州仪器)

适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的光耦兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有4.5A峰值拉电流和5.3A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性

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1+
￥2.98
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￥2.33
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￥2.05
100+
￥1.7
500+
￥1.54
850+
￥1.45

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型号：HCPL-3120-000E(UMW) 编号：C53109726

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥1.59
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型号：FOD3120(UMW) 编号：C53109750

封装：DIP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥2.38
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