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快速速度光耦合器包含一个GaAsP LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。

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￥32.27
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￥27.59
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￥24.73

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型号：LTV-3120 编号：C2961006

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用和电源系统逆变器中的功率IGBT和MOSFET。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。3.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200V / 100A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该系列可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。光耦合器的工作参数在-40℃至+110℃的温度范围内得到保证。

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￥5.51
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￥4.39
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￥3.82

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型号：QCPL-WB3N-560E 编号：C41722613

封装：SO-6

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￥8.71
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￥7.27
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￥6.48

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型号：ACPL-P340-500E 编号：C17342877

封装：SOIC-6-6.8mm

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￥15.22

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型号：ACPL-K342-500E 编号：C691948

封装：SO-8

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥14.72

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型号：ACPL-P484-000E 编号：C22380071

封装：SO-6

ACPL-M484/P484/W484高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的绝佳解决方案

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￥20.24
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￥17.32
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￥15.59

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型号：RV1S9207ACCSP-10YV#SC0 编号：C7354297

封装：LSSO-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9207A是一款光耦合隔离器，其输入侧采用AlGaAs LED，输出侧在同一芯片上集成了光电二极管、信号处理电路和功率输出MOS FET。RV1S9207A专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和高开关速度而设计，适用于驱动IGBT和MOS FET。

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￥24.73
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￥23.82

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型号：ACPL-P340-000E 编号：C18198817

封装：SOP-6

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥31.1
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￥26.35
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￥23.53

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型号：BLM3051 编号：C42378405

封装：SOP-4

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

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￥0.7026

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型号：BLM3052 编号：C42378406

封装：SOP-4

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

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￥0.7306

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型号：BLM3021 编号：C42378399

封装：SOP-4

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

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型号：BLM3022 编号：C42378400

封装：SOP-4

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

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型号：BLM3023 编号：C42378401

封装：SOP-4

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

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型号：HCPL-4506-C5L0 编号：C19185373

封装：SMD-8P

HCPL-4506 高速光电耦合器采用一个GaAsP 的LED。LED 光耦合到一个集成高增益光电检测器上。此光耦通过减少开关死区时间，来最小化器件之间的传输延迟差，为提高逆变器效率提供优良的解决方案。

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￥3.66
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￥2.95
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￥2.24
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￥2.03
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￥1.92

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型号：PS9031-Y-V-F3-AX 编号：C17411608

封装：SOIC-5-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

PS9031是一款光耦合隔离器，其输入侧包含一个镓铝砷（GaAlAs）发光二极管（LED），输出侧的单芯片上集成了一个光电二极管、一个信号处理电路和功率MOSFET。

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￥6.87

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型号：TLP5771H(E 编号：C17318558

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥10.28

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型号：TLP5214A(TP,E 编号：C17462742

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5214A 是一款高度集成的输出电流为 4.0 A 的 IGBT 栅极驱动光电耦合器，采用长爬电距离和电气间隙的 SO16L 封装。TLP5214A 是一款智能栅极驱动光电耦合器，具备 IGBT 欠饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT 软关断、有源米勒钳位和欠压锁定（UVLO）等功能。此外，该光电耦合器具有欠饱和前沿消隐时间、滤波时间，并优化了软关断性能，以确保应用的安全运行

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￥13.52
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￥11.37
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￥10.03

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型号：HCPL-316J 编号：C17521240

封装：SOIC-16-300mil

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￥16.93
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￥16.3

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型号：HCNW4506-300E 编号：C6052274

封装：DIP-8

HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP（磷砷化镓）发光二极管，而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs（铝镓砷）发光二极管。该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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￥17.26
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￥14.54
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￥12.93

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型号：ACPL-H312-500E 编号：C17423799

封装：SOIC-8-6.8mm

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￥20.98
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￥20.52
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￥20.21

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型号：ACPL-312T-500E 编号：C17507904

封装：DIP-8

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￥29.46
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￥28.37

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型号：HCPL-3120-060E 编号：C6795900

封装：DIP-8

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

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￥24.96

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型号：RV1S9061ACCSP-10YC#SC0 编号：C6669093

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9061A是一款光电耦合器，具备高达15 Mbps的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑。其输入侧为铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），输出侧为带光电二极管的集成电路。 RV1S9061A专为实现高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围以及高达125 °C的高温工作环境而设计

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￥25.45

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型号：ACPL-W341-C5L0 编号：C20612467

封装：SSOP-6

ACPL-P341/ACPL-W341 栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs 的LED，该LED 光学耦合到一个功率输出级集成电路。该光耦非常适合于驱动在电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT 和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了门控设备所需的驱动电压。

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￥2.76
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￥2.44
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￥2.27
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￥2.02

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型号：HCPL-4506-C1L0 编号：C19185363

封装：DIP-8

HCPL-4506 高速光电耦合器采用一个GaAsP 的LED。LED 光耦合到一个集成高增益光电检测器上。此光耦通过减少开关死区时间，来最小化器件之间的传输延迟差，为提高逆变器效率提供优良的解决方案。

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￥3.14
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￥2.84
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￥2.2
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￥2.05
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￥1.96

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型号：HCPL-3150-C5L0 编号：C19185369

封装：SMD-8P

HCPL-3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/ 20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路，以实现推挽式MOSFET输出级。

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￥4.15
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￥3.34
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￥2.94
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￥2.54
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￥2.3
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￥2.17

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型号：VO3120 编号：C506490

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

该产品由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达800V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可使用该产品驱动一个分立功率级，该功率级再驱动IGBT栅极。

数据手册

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￥5.92
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￥5.78
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￥5.68

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型号：ACPL-W343-060E 编号：C49269464

封装：SO-6

包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

1+
￥9.93
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￥9.72
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￥9.58

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型号：MOC3163SM 编号：C464221

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥11.94
10+
￥11.67
30+
￥11.48

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型号：HCPL-J314-000E 编号：C19673759

封装：SOIC-5