驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ICPL-480W-500EAXW 编号：C42432179

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IPM接口驱动光耦，隔离电压(rms): 5KV,共模瞬变抗扰度CMTI: 20kV/Us, 宽体

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￥1.98 ￥2.2
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￥1.935 ￥2.15
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￥1.908 ￥2.12
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￥1.881 ￥2.09

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型号：ACPL-P346-000E 编号：C3036217

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率MOSFET和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可为栅极控制设备提供所需的驱动电压

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￥24.53
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￥23.96
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￥23.57

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型号：ACFL-3161-500E 编号：C17398119

封装：SO-12

品牌：Broadcom(博通)

是10A峰值、轨到轨输出的栅极驱动光耦合器，采用紧凑的、可表面贴装的SO-12封装以节省空间。输入和输出通道之间提供5kVrms的隔离电压。主要设计用于具备高峰值驱动电流能力，以确保在各种应用中直接驱动SiC MOSFET或IGBT时达到最佳性能。具有快速传播延迟和严格的死区时间失真，非常适合高频驱动SiC MOSFET和IGBT。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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￥24.95
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￥24.4
30+
￥24.03

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型号：LT4430IS6#TRPBF 编号：C672570

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

驱动隔离电源中跨越电隔离屏障的光耦合器。IC包含精密微调基准、高带宽误差放大器、用于驱动光耦合器的6级反相增益和独特的过冲控制电路。600mV基准提供±0.75%的初始精度和±1.25%的温度容差。9MHz高带宽误差放大器允许简单的频率补偿，并且在典型的环路交叉频率下相移可忽略不计。光耦合器驱动器提供10mA输出电流，并具有短路保护。独特的过冲控制功能通过单个电容器防止启动和短路恢复时的输出过冲。采用低轮廓6引脚TSOT-23封装。

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￥29.77
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￥29.12
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￥28.69

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型号：HCPL-3120-060E 编号：C6795900

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管，而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET

1+
￥32.05
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￥27.6
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￥24.96

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型号：ACNT-H343-500E 编号：C17646021

封装：SOIC-8-13.6mm

品牌：Broadcom(博通)

是一款5A栅极驱动光耦合器设备，采用15mm SSO8封装，适用于高压、空间受限的工业应用，包括电机驱动器和太阳能逆变器。该封装平台具有15mm爬电距离和14.2mm电气间隙、2262VPEAK的高绝缘电压和紧凑的封装尺寸。具有大于100kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）和小于150ns的传播延迟，能够实现高频开关，提高驱动IGBT和SiC/GaN MOSFET的效率。

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￥50.69
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￥49.5
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￥48.71

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型号：ACNT-H343-000E 编号：C17249892

封装：SOIC-8-13.6mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥51.71
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￥50.56
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￥49.8

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型号：BLM3021 编号：C42378399

封装：SOP-4

品牌：GME(银河微电)

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

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￥1.0828
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￥0.856
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￥0.7588
500+
￥0.6375
3000+
￥0.5835

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型号：BLM3022 编号：C42378400

封装：SOP-4

品牌：GME(银河微电)

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

5+
￥1.1069
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￥0.875
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￥0.7757
500+
￥0.6517
3000+
￥0.5965

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型号：BLM3023 编号：C42378401

封装：SOP-4

品牌：GME(银河微电)

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

5+
￥1.1069
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￥0.875
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￥0.7757
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￥0.6517
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￥0.5965

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型号：MPC3120R-GV 编号：C47361121

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MPC3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动。

5+
￥1.262
50+
￥1.2342
135+
￥1.2157

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型号：MPC3120R(SL)(T1)-GV 编号：C17701960

封装：SOP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 FOD3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动。

1+
￥2.4
10+
￥2.34
30+
￥2.31

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型号：MP350A-G(B) 编号：C47361127

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP350A 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥3.13
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￥2.48
45+
￥2.2
90+
￥1.85

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型号：VO3120 编号：C506490

封装：DIP-8

品牌：VISHAY(威世)

该产品由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达800V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可使用该产品驱动一个分立功率级，该功率级再驱动IGBT栅极。

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1+
￥5.77
10+
￥5.62
50+
￥5.52

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型号：MOC3163SM 编号：C464221

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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1+
￥11.94
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￥11.67
30+
￥11.48

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型号：ACPL-P340-500E 编号：C17342877

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥15.8
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￥15.45
30+
￥15.22

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型号：ACPL-H312-500E 编号：C17423799

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥20.98
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￥20.52
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￥20.21

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型号：RV1S9207ACCSP-10YV#SC0 编号：C7354297

封装：LSSO-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9207A是一款光耦合隔离器，其输入侧采用AlGaAs LED，输出侧在同一芯片上集成了光电二极管、信号处理电路和功率输出MOS FET。RV1S9207A专为实现高共模瞬态抗扰度（CMR）和高开关速度而设计，适用于驱动IGBT和MOS FET。

1+
￥24.73
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￥24.19
30+
￥23.82

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型号：HCPL-7710-000E 编号：C2927819

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

1+
￥55.86
10+
￥48.38
30+
￥43.83

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型号：MPC3120-GV 编号：C52200865

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

5+
￥1.2578
50+
￥1.2301
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￥1.2117

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型号：MP3150-G(B) 编号：C47361125

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns；250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET

1+
￥1.55
10+
￥1.51
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￥1.49

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型号：MPC3150L-GV 编号：C47361122

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET。

1+
￥1.55
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￥1.51
45+
￥1.49

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型号：MP3150(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361228

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns；250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET

1+
￥1.55
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￥1.51
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￥1.49

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型号：MP3184(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361231

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：210ns；210ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3184 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥1.62
10+
￥1.58
30+
￥1.56

有货

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型号：MP3184-G(B) 编号：C47361128

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：210ns；210ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3184 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥1.62
10+
￥1.58
45+
￥1.56

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型号：MP3182(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361232

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：10V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3182 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥1.62
10+
￥1.58
30+
￥1.56

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型号：MP350A(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361230

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP350A 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥3.13
10+
￥2.48
50+
￥2.2
100+
￥1.85

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型号：ACPL-T350-560E 编号：C691964

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。

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1+
￥20.16
10+
￥19.71
30+
￥19.42

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型号：HCPL-J314-000E 编号：C19673759

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

HCPL-J314 系列器件包含一个与带功率输出级的集成电路进行光耦合的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

1+
￥20.2
10+
￥17.43
50+
￥15.78

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型号：ACPL-K312-000E 编号：C19128614

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥22.12
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￥21.63
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