驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-16

是一款10A智能栅极驱动光耦合器。高峰值输出电流和宽工作电压范围使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或SiC MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。它为IGBT/SiC MOSFET提供过流保护和功能安全报告。这款功能齐全且易于实现的栅极驱动光耦合器采用紧凑的、可表面贴装的SO-16 600V CTI封装。它提供符合安全法规IEC/DIN/DIN、UL和cUL认证的加强绝缘。

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￥38.96
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￥33.77
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￥30.61

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型号：CY4N33 编号：C7589059

封装：DIP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

由砷化镓的红外发光二极管和光电达林顿管组成。

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￥1.5544
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￥1.2205
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￥1.0775

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型号：MP3184-G(B) 编号：C47361128

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：210ns；210ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3184 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥1.81
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￥1.77
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￥1.74

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型号：ICPL-3120-000EAXW 编号：C42432171

封装：DIP-8

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流2.5A，隔离电压(rms): 5KV，DIP8

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￥2.907 ￥3.23
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￥2.286 ￥2.54
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￥2.016 ￥2.24
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￥1.683 ￥1.87
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￥1.539 ￥1.71
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￥1.449 ￥1.61

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型号：LTV-314NW-TA1-ID 编号：C262123

封装：SMD-6P

品牌：LITEON(光宝)

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￥3.51
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￥2.8
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￥2.45
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￥2.1
500+
￥1.89

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型号：HT-3120-S1TA1 编号：C46634493

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：IGBT，峰值输出电流：2.5A,供电电压:15-30V,隔离电压：5KV.

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￥5.1775 ￥5.45
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￥4.199 ￥4.42
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￥3.705 ￥3.9
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￥3.211 ￥3.38
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￥2.926 ￥3.08
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￥2.774 ￥2.92

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型号：ACPL-K342-560E 编号：C17221227

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可以使用该产品来驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，其绝缘电压分别最高可达V_IOM = 891 Vpeak和1140 Vpeak。

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￥12.28
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￥10.32
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￥9.09
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￥7.84
500+
￥7.27

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型号：ACPL-W340-560E 编号：C691966

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥22.52
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￥19.57
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￥17.82

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型号：CY4N33S(TP1) 编号：C7589060

封装：SOP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

由砷化镓的红外发光二极管和光电达林顿管组成。

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￥1.6895
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￥1.3267
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￥1.1711

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型号：HCPL-3150-C1H0 编号：C48392934

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

应用于工业逆变器、不间断电源、感应加热和隔离 IGBT/功率MOSFET栅极驱动等。 HCPL-3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/ 20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路，以实现推挽式MOSFET输出级。

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￥2.79
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￥2.21
50+
￥1.97
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￥1.66
500+
￥1.52
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￥1.43

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型号：ACPL-W314-560E 编号：C2927817

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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￥3.38
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￥3.31
30+
￥3.26
100+
￥3.21

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型号：HT-3150 编号：C46634502

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：IGBT，峰值输出电流：1A,供电电压:15-30V,隔离电压：5KV.

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￥3.8855 ￥4.09
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￥3.1445 ￥3.31
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￥2.774 ￥2.92
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￥2.413 ￥2.54
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￥2.1945 ￥2.31
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￥2.0805 ￥2.19

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型号：UCC23113DWYR 编号：C22428066

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET，具有5A的峰值拉电流和灌电流输出，以及1.5kVₚ₋ₚ功能隔离。由于具有30V的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性

数据手册

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￥5.76
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￥4.67
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￥4.12

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型号：PS9031-Y-F3-AX 编号：C17219735

封装：SOIC-5-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥5.96
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￥5.83
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￥5.75
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￥5.66

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型号：ACPL-P314-500E 编号：C116685

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

数据手册

1+
￥6.99
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￥5.75
30+
￥5.07

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型号：ACPL-T350-060E 编号：C17568677

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 GaAsP LED，该 LED 与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200 V/100 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。绝缘电压为 VIOMR = 630 V 峰值（选项 060）。

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￥7.83
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￥7.09
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￥6.68
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￥6.23
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￥6.02

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型号：CA-IS3211SCWG 编号：C46961824

封装：SOIC-8-WWB

品牌：Chipanalog(川土微)

6A Sink/5A源极，光兼容单通道增强隔离栅极驱动器

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￥10.16
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￥8.47
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￥7.41

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型号：ACPL-P483-560E 编号：C5937739

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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￥10.77
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￥9.05
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￥7.97
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￥6.87
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￥6.38
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￥6.16

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型号：ACPL-K34T-500E 编号：C691949

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与具有功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动功率MOSFET，以实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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1+
￥26.41
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￥22.49
30+
￥20.16

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型号：ACNT-H313-500E 编号：C5110249

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流可直接用于IGBT。对于额定值较高的IGBT，该光耦合器可用于驱动分立功率级，进而驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，具有2262 VPEAK的最高绝缘电压。

数据手册

1+
￥35.04
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￥33.34
30+
￥32.31

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型号：APV1111GV1Y 编号：C2977173

封装：SSOP-4

品牌：PANASONIC(松下)

特性：微型SSOP封装。高速MOSFET操作（高输出电流：APV1111GV）。 MOSFET低导通电阻（高输出电压：APV3111GV）。应用：驱动MOSFET。测量设备

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1+
￥51.38
10+
￥46.78
30+
￥43.98

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型号：LTV-314NW-TA1-JC 编号：C41348480

封装：SOP-6

品牌：LITEON(光宝)

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￥3.15
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￥2.77
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￥2.59
100+
￥2.4
500+
￥2.29

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型号：HCPL-3120-C5LO 编号：C20612452

封装：SOP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

1+
￥3.24
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.88

有货

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型号：ACPL-P480-C5L0 编号：C20612464

封装：SSOP-6

品牌：KTP(科泰普)

高速ACPL-P480，ACPL-W480，ACPL-4800光耦合器包含一个GaAsP LED，一个光电探测器和一个施密特触发器，提供逻辑电平兼容输出，可节省额外波形整型需求。光耦采用图腾柱输出，不需要上拉电阻，可直接用于智能电源模块或栅极的驱动。器件间最低的传播延迟差使这些光电耦合器成为通过降低开关死区时间改善变频器效率的理想方案。

1+
￥3.5
10+
￥2.78
30+
￥2.43
100+
￥2.07
500+
￥1.86

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型号：LTV-341P-TA1-H 编号：C48542905

封装：SO-6

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2

1+
￥4.35
10+
￥3.53
30+
￥3.12

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型号：VOMDA1271T 编号：C21713666

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

是一款汽车级光隔离MOSFET驱动器，从隔离屏障低压初级侧的红外发射器获取驱动其内部电路所需的所有电流，无需电源提供VCC，具有关断电路，可实现MOSFET的快速关断。

1+
￥15.2
10+
￥14.84
30+
￥14.6

有货

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型号：HCNW4506-300E 编号：C6052274

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 4506和HCPL - 0466包含一个GaAsP（磷砷化镓）发光二极管，而HCPL - J456和HCNW4506包含一个AlGaAs（铝镓砷）发光二极管。该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小，这使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

1+
￥17.26
10+
￥14.54
42+
￥12.93

有货

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型号：ACPL-38JT-500E 编号：C691934

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

汽车2.5A栅极驱动光耦合器，集成了去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈，使汽车IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实施，同时满足汽车AEC-Q100 1级半导体要求。R2Coupler隔离产品为关键的汽车和高温工业应用提供所需的加强绝缘和可靠性。

数据手册

1+
￥17.79
10+
￥16.96
30+
￥13.97
100+
￥13.47

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型号：FDA217S 编号：C22406942

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse/IXYS

是双光伏MOSFET驱动器。每个独立的驱动器由一个与光电二极管阵列光耦合的LED组成。驱动器输出通过输入端高效的红外LED控制。当向LED施加输入电流时，发出的光激活光电二极管阵列，从而在输出端产生电压。光电二极管阵列能够产生一个浮动电源，其电压和电流足以驱动高功率MOSFET晶体管。每个光电二极管阵列包含一个集成关断电路，当LED电流移除时，该电路会对外部MOSFET栅极放电，无需使用外部元件来促进放电。光耦合技术提供3750Vrms的输入到输出隔离。适用于分立固态继电器设计和其他隔离开关应用。

1+
￥21.65
10+
￥18.64
50+
￥16.86
100+
￥15.05

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型号：ACPL-P349-060E 编号：C6800667

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动用于功率转换应用的SiC/GaN（碳化硅/氮化镓）MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的SiC/GaN MOSFET和IGBT。

1+
￥30.04
10+
￥25.56
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