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IGBT栅极驱动光耦，峰值电流2.5A，隔离电压(rms): 5KV，DIP8

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型号：LTV-341P-TA1-H 编号：C48542905

封装：SO-6

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 341 系列光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs 发光二极管。2

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型号：HT-3120-S1TA1 编号：C46634493

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：IGBT，峰值输出电流：2.5A,供电电压:15-30V,隔离电压：5KV.

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￥5.1775 ￥5.45
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型号：FOD8343TR2 编号：C411210

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

该系列是 4.0 A 最大峰值输出电流栅极驱动光耦合器，能够驱动中功率 IGBT/MOSFET。它非常适合用于电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动，以及高性能电源系统。该系列采用拉伸体封装，以实现 8 mm 的爬电距离和电气间隙（FOD8343T），并通过优化的 IC 设计实现可靠的高绝缘电压和高抗噪性。该系列由一个砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管 (LED) 组成，该二极管与一个带有推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器的集成电路光耦合。该器件采用拉伸体、6 引脚、小外形塑料封装。

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型号：ACPL-W340-560E 编号：C691966

封装：SO-6

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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型号：HT-3150-S1TA1 编号：C46634494

封装：SMD-8P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：IGBT，峰值输出电流：1A,供电电压:15-30V,隔离电压：5KV.

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型号：ACPL-W314-C5L0 编号：C20612465

封装：SSOP-6

ACPL-P314/ACPL-W314 门驱动光电耦合器内含一个 GaAsP LED，可与一个功率输出级集成电路进行光电耦合。这些光电耦合器可作为电机控制变频器应用中驱动功率 IGBT 和 MOSFET 的理想选择。输出级的高工作电压范围提供了门控设备所需的驱动电压。

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型号：HCPL-3150-C5L0 编号：C19185369

封装：SMD-8P

HCPL-3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/ 20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路，以实现推挽式MOSFET输出级。

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型号：FOD3182-C5L0 编号：C19185370

封装：SMD-8P

FOD3182是具有3A输出电流，高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。非常适用于等离子显示屏(PDPs)，电动机用逆变器控制，以及高性能DC/DC转换器中采用的高频功率驱动MOSFETS。

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型号：UCC23113DWYR 编号：C22428066

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET，具有5A的峰值拉电流和灌电流输出，以及1.5kVₚ₋ₚ功能隔离。由于具有30V的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性

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￥5.51
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型号：VOMDA1271T 编号：C21713666

封装：SOP-4

品牌：VISHAY(威世)

是一款汽车级光隔离MOSFET驱动器，从隔离屏障低压初级侧的红外发射器获取驱动其内部电路所需的所有电流，无需电源提供VCC，具有关断电路，可实现MOSFET的快速关断。

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型号：ICPL-343P-500EAXW 编号：C42432177

封装：LSOP-6

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流5A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6,窄体

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￥2.097 ￥2.33
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￥2.052 ￥2.28
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￥2.016 ￥2.24
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￥1.989 ￥2.21

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型号：ACPL-W314-560E 编号：C2927817

封装：SO-6

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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￥3.2

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型号：LTV6341WTA1-V 编号：C48982450

封装：SOP-6

品牌：LITEON(光宝)

适用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 以及电源系统中的逆变器。包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的 AlGaAs LED。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +125℃ 的温度范围内有保证。

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型号：QCPL-WB3N-560E 编号：C41722613

封装：SO-6

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型号：SI8220BB-D-ISR 编号：C2836035

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si8220/21 是光耦驱动器（如 HCPL - 3120 和 HPCL - 0302，可提供 2.5 A 峰值输出电流）的高性能功能升级版产品。它采用了 Skyworks Solutions 公司的专有硅隔离技术，该技术提供了 2 种选择。

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￥14.34
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型号：ICPL-332J-500EAXW 编号：C42432176

封装：SOP-16

智能IGBT栅极驱动光耦，峰值电流2.5A，隔离电压(rms): 5KV，SOP16

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型号：ACPL-P340-000E 编号：C18198817

封装：SOP-6

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥26.35
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￥23.53

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型号：ACFL-3161-000E 编号：C17383873

封装：SO-12

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型号：BLM3051 编号：C42378405

封装：SOP-4

品牌：GME(银河微电)

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

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型号：BLM3052 编号：C42378406

封装：SOP-4

品牌：GME(银河微电)

特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V。输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V rms）。工作温度：-55°C~110°C。应用：电磁阀控制。镇流器

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￥0.7934

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型号：CY4N33S(TP1) 编号：C7589060

封装：SOP-6

品牌：OCIC(卓睿科)

由砷化镓的红外发光二极管和光电达林顿管组成。

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￥1.1711

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型号：ICPL-481W-500EAXW 编号：C42432181

封装：LSOP-6

IPM接口驱动光耦，隔离电压(rms): 5KV,共模瞬变抗扰度CMTI: 20kV/Us, 宽体

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型号：HCPL-3150-C1H0 编号：C48392934

封装：DIP-8

应用于工业逆变器、不间断电源、感应加热和隔离 IGBT/功率MOSFET栅极驱动等。 HCPL-3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/ 20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式耦合到具有高速驱动器的集成电路，以实现推挽式MOSFET输出级。

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￥2.63
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￥2.05
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￥1.49

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型号：MP3182-G(B) 编号：C47361129

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：10V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3182 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥2.99
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￥2.1
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￥1.77

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型号：LTV-3120 编号：C2961006

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用和电源系统逆变器中的功率IGBT和MOSFET。它包含一个与带有功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。3.0A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200V / 100A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该系列可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。光耦合器的工作参数在-40℃至+110℃的温度范围内得到保证。

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￥4.24

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型号：TLP5771H(E 编号：C17318558

封装：SO-6

品牌：TOSHIBA(东芝)

由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，符合国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。保证在低阈值输入电流下工作，允许从微计算机进行无缓冲直接驱动。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥16.22
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￥15.8
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￥15.53

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型号：ACPL-K342-500E 编号：C691948

封装：SO-8