驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ACPL-P346-060E 编号：C17214114

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥40.49
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￥39.59
30+
￥39

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型号：PS9113-AX 编号：C5829187

封装：SOIC-5-175mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一种光耦合隔离器，输入侧包含一个AlGaAs LED，输出侧包含一个光电二极管和一个信号处理电路。具有高共模抑制比（CMR）、高电流传输比（CTR）和与工作温度相关的脉冲宽度失真特性，适用于IPM驱动。

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￥43.98
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￥43
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￥42.36

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型号：ACNV3130-000E 编号：C17510217

封装：DIP-10

品牌：Broadcom(博通)

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￥45.28
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￥44.28
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￥43.61

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型号：ACPL-W349-000E 编号：C17500630

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥45.35
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￥44.35
30+
￥43.68

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型号：HCPL-315J-000E 编号：C19673765

封装：SOIC-16

品牌：Broadcom(博通)

由一个LED与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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￥50.79
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￥44.08
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￥40

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型号：HCPL-3180-300 编号：C17475296

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥51.28
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￥50.15
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￥49.39

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型号：ACPL-355JC-000E 编号：C5366328

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

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￥53.49
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￥52.32
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￥51.54

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型号：ACNW3190-000E 编号：C691916

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200 A、600 V/300 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有最高1414 Vpeak的绝缘电压。

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￥55.13
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￥46.92
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￥41.92

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型号：ACNU-3430-000E 编号：C6795983

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACNU - 3430是一款采用11毫米SSO8封装的5A栅极驱动光耦合器器件，专为高压、空间受限的工业应用而设计，包括电机驱动器和太阳能逆变器。该封装平台具有11毫米的宽爬电距离和10.5毫米的电气间隙、1414 VPEAK的高绝缘电压（VIORM），且封装尺寸紧凑，比400密耳DIP - 8封装小40%。

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￥61.35
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￥53.14
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￥48.13

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型号：ACNW3190-300E 编号：C19673745

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 AlGaAs LED，该 LED 通过光耦合器连接到带有功率输出级的集成电路。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供门控器件所需的驱动电压。

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￥68.24
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￥59.11
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￥53.54

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型号：HCPL-3150-300E 编号：C6795894

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该Broadcom HCPL-315X由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，HCPL-3150/315J可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

1+
￥30.68
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￥26.42
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￥23.89

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型号：MP3182-G(B) 编号：C47361129

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：10V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3182 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥2.99
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￥2.37
45+
￥2.1
90+
￥1.77
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￥1.63
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￥1.54

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型号：MPC3120R-GV 编号：C47361121

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MPC3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动。

5+
￥2.3353
50+
￥1.8498
135+
￥1.6418
495+
￥1.3822
2880+
￥1.2666
4320+
￥1.1973

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型号：MP3150(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361228

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns；250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET

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￥2.86
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￥2.26
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￥2.01
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￥1.69
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￥1.55
1000+
￥1.47

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型号：MP3184(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361231

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：210ns；210ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3184 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥2.99
10+
￥2.37
30+
￥2.1
100+
￥1.77
500+
￥1.63
1000+
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型号：MP3120-G(B) 编号：C47361126

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

5+
￥1.262
50+
￥1.2342
135+
￥1.2157
495+
￥1.1973

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型号：MPC3120-GV 编号：C52200865

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥2.3275
50+
￥1.8437
135+
￥1.6363
495+
￥1.3776
2880+
￥1.2624
4320+
￥1.1933

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型号：MP3150-G(B) 编号：C47361125

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：250ns；250ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET

1+
￥2.86
10+
￥2.26
45+
￥2.01
90+
￥1.69
495+
￥1.55
990+
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型号：TLP152 编号：C22436730

封装：SO-6

品牌：KTP(科泰普)

应用在等离子显示面板(PDPs)、工业逆变器、MOSFET栅极驱动、IGBT栅极驱动

3000+
￥1.4364
6000+
￥1.4112
9000+
￥1.386

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型号：MP350A-G(B) 编号：C47361127

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP350A 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥3.13
10+
￥2.48
45+
￥2.2
90+
￥1.85
495+
￥1.7
990+
￥1.61

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型号：MP350A(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361230

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：15kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：400ns；400ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP350A 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

1+
￥3.13
10+
￥2.48
50+
￥2.2
100+
￥1.85
500+
￥1.7
1000+
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型号：MPC3150L(SL)(T1)-GV 编号：C17701961

封装：SOP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET。

1+
￥3.81
10+
￥3.09
30+
￥2.73
100+
￥2.37
500+
￥2.16
1000+
￥2.05

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型号：FOD8343TR2 编号：C411210

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

该系列是 4.0 A 最大峰值输出电流栅极驱动光耦合器，能够驱动中功率 IGBT/MOSFET。它非常适合用于电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动，以及高性能电源系统。该系列采用拉伸体封装，以实现 8 mm 的爬电距离和电气间隙（FOD8343T），并通过优化的 IC 设计实现可靠的高绝缘电压和高抗噪性。该系列由一个砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管 (LED) 组成，该二极管与一个带有推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器的集成电路光耦合。该器件采用拉伸体、6 引脚、小外形塑料封装。

数据手册