驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-315J-000E 编号：C19673765

封装：SOIC-16

由一个LED与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

1+
￥50.79
10+
￥44.08
45+
￥40

有货

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型号：ACPL-355JC-000E 编号：C5366328

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥53.49
10+
￥52.32
30+
￥51.54

有货

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型号：ACNW3190-000E 编号：C691916

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200 A、600 V/300 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有最高1414 Vpeak的绝缘电压。

1+
￥55.13
10+
￥46.92
30+
￥41.92

有货

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型号：ACNU-3430-000E 编号：C6795983

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACNU - 3430是一款采用11毫米SSO8封装的5A栅极驱动光耦合器器件，专为高压、空间受限的工业应用而设计，包括电机驱动器和太阳能逆变器。该封装平台具有11毫米的宽爬电距离和10.5毫米的电气间隙、1414 VPEAK的高绝缘电压（VIORM），且封装尺寸紧凑，比400密耳DIP - 8封装小40%。

1+
￥61.35
10+
￥53.14
40+
￥48.13

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型号：HCPL-3120-C1LO 编号：C20612451

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

1000+
￥1.568
2000+
￥1.498

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型号：APV1111GVY 编号：C2909891

封装：SSOP-4-2.7mm

品牌：PANASONIC(松下)

MOS驱动

数据手册

1+
￥20.5
10+
￥18.27
30+
￥16.95
100+
￥15.85
500+
￥15.11
1000+
￥14.77

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型号：CA-IS3211CVCJ 编号：C49352978

封装：SOIC6-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

5+
￥1.0284
50+
￥1.0053
150+
￥0.99
500+
￥0.9746

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型号：HT-3120 编号：C46634501

封装：DIP-8

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

输入电压类型：DC, 正向压降Max:1.8V,输出类型：IGBT，峰值输出电流：2.5A,供电电压:15-30V,隔离电压：5KV.

1+
￥2.68
10+
￥2.62
45+
￥2.58
90+
￥2.53

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型号：EL8171-G 编号：C7212173

封装：DIP-4

品牌：EVERLIGHT(亿光)

电流传输比(CTR)：100~350%@IF=0.5mA,VCE=5V

5+
￥0.7346
50+
￥0.6401
200+
￥0.5996
500+
￥0.52155 ￥0.549
2500+
￥0.500175 ￥0.5265
5000+
￥0.48735 ￥0.513

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型号：LTV-3150-L 编号：C2944027

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个 AlGAs 发光二极管，通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。1.0A 峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达 1200V/50A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，该系列可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +105℃ 的温度范围内得到保证。

数据手册

10+
￥2.754
100+
￥2.652
200+
￥2.448
1000+
￥2.346
2000+
￥2.244

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型号：RV1S9061ACCSP-10YV#KC0 编号：C20353972

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款光耦合器，具有高达 15 Mbps 的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑，输入侧由 AlGaAs LED 组成，输出侧是带有光电二极管的集成电路。专为高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围和高达 125℃ 的高温操作而设计，适用于 IPM（智能功率模块）驱动。

1+
￥12.77
10+
￥12.49
30+
￥12.3
100+
￥12.11

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型号：LT4430ES6#TRPBF 编号：C107971

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

数据手册

10+
￥22.035
50+
￥19.4925
100+
￥18.645
1000+
￥18.1365

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型号：ACPL-P302-500E 编号：C17418825

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

70+
￥8.694445
70+
￥6.568667
980+
￥5.866666

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型号：MPC3150L(SL)(T1)-GV 编号：C17701961

封装：SOP-8

品牌：MP(美禄科技)

输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET。

1+
￥3.81
10+
￥3.09
30+
￥2.73
100+
￥2.37
500+
￥2.16
1000+
￥2.05

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型号：HCPL-J312-000E 编号：C6795921

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED，或包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

单价：
￥33.8747 / 个

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型号：ACPL-331J-500E 编号：C49262145

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

1+
￥19.51
10+
￥16.65
30+
￥14.86
100+
￥13.03
500+
￥12.2
1000+
￥11.84

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型号：RV1S9062ACCSP-10YV#SC0 编号：C7354293

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RV1S9062A是一款光耦合器，具备高达15 Mbps的高速开关能力，采用低电平有效输出逻辑。其输入侧为铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），输出侧为带光电二极管的集成电路。RV1S9062A专为实现高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围以及高达125°C的高温工作环境而设计

1+
￥25.2
10+
￥24.65
30+
￥24.28
100+
￥23.9

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型号：FOD3180SD 编号：C479712

封装：SOIC-8-6.6mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

单价：
￥5.15364 / 个

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型号：SI8261BCC-C-IS 编号：C160667

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

MOSFET隔离栅极驱动器传统光耦驱动升级替代品高CMTI、4A驱动、高速

数据手册

1+
￥56.14
10+
￥48.39
30+
￥43.28
96+
￥39.32

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型号：MP3120-G(B) 编号：C47361126

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

5+
￥1.262
50+
￥1.2342
135+
￥1.2157
495+
￥1.1973

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型号：HCPL-0302-000E 编号：C6795962

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

单价：
￥16.88148 / 个

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型号：HCPL-3020-300E 编号：C17481473

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

单价：
￥17.491757 / 个

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型号：ACPL-W346-000E 编号：C6795964

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC-DC/DC-DC转换器应用中的功率、GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动MOSFET，实现高效转换。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891V峰值和1140V峰值的绝缘电压。