驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

包含GaAsP LED，或包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

单价：
￥34.041313 / 个

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型号：ACPL-W343-000E 编号：C6795917

封装：SO-6

包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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￥36.59
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￥31.51
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￥25.44
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￥24.03
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￥23.4

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型号：EL3053S(TA)-V 编号：C181876

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：EVERLIGHT(亿光)

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￥1.3978
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￥1.1156
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￥0.9946
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￥0.8067
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￥0.7395
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型号：RV1S9061ACCSP-10YV#KC0 编号：C20353972

封装：LSOP-5

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款光耦合器，具有高达 15 Mbps 的高速开关能力，采用高电平有效输出逻辑，输入侧由 AlGaAs LED 组成，输出侧是带有光电二极管的集成电路。专为高共模瞬态抗扰度（CMTI）、宽工作电源电压范围和高达 125℃ 的高温操作而设计，适用于 IPM（智能功率模块）驱动。

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￥12.77
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￥12.49
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￥12.3
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￥12.11

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型号：ACPL-P302-500E 编号：C17418825

封装：SOIC-6-6.8mm

1000+
￥5.733719
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￥5.682064
3000+
￥5.630409

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型号：LTV-3150-L 编号：C2944027

封装：DIP-8

品牌：LITEON(光宝)

该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个 AlGAs 发光二极管，通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。1.0A 峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达 1200V/50A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，该系列可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。光耦合器的工作参数在 -40℃ 至 +105℃ 的温度范围内得到保证。

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￥2.74725
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￥2.6455
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￥2.442
1000+
￥2.34025
2000+
￥2.2792

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型号：FOD3180SD 编号：C479712

封装：SOIC-8-6.6mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.15364 / 个

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型号：ACPL-P343-560E 编号：C19673753

封装：SOP-6

包含一个AlGaAs LED，该LED通过光耦合到具有功率输出级的集成电路。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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￥26.28
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￥22.67
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￥20.53
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￥18.36
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￥17.36
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￥16.9

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型号：SI8261BCC-C-IS 编号：C160667

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

MOSFET隔离栅极驱动器传统光耦驱动升级替代品高CMTI、4A驱动、高速

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￥56.14
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￥48.39
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￥43.28
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￥39.32

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型号：HCPL-3020-300E 编号：C17481473

封装：DIP-8

单价：
￥17.32092 / 个

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型号：HCPL-J312-000E 编号：C6795921

封装：DIP-8

包含GaAsP LED，或包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

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￥98.87934
50+
￥86.858715
500+
￥79.975938

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型号：ASSR-V621-302E 编号：C6795987

封装：SMD-8

专为驱动高功率MOSFET而设计。它由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级和一个输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个独立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可以通过串联连接2个通道来使光伏电压加倍，或者通过并联连接2个通道来使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

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￥36.17
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￥35.32
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￥34.76
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￥34.2

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型号：HCPL-3120 编号：C17697706

封装：DIP-8

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￥8.182918
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￥7.553462
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￥7.427571
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￥7.175789
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￥7.049898

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型号：HCPL-0302-000E 编号：C6795962

封装：SOIC-8

单价：
￥16.728972 / 个

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型号：ACPL-W346-000E 编号：C6795964

封装：SO-6

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC-DC/DC-DC转换器应用中的功率、GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动MOSFET，实现高效转换。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891V峰值和1140V峰值的绝缘电压。

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￥31.82
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￥31.06
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￥30.56
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￥30.06

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型号：ACFJ-3540T-500E 编号：C42376741

封装：SO-24

单价：
￥35.89 / 个

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型号：TLP3914(TP15,F) 编号：C5447715

封装：SSOP-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

东芝SSOP耦合器TLP3914是一种小外形耦合器，适用于表面贴装组装。TLP3914由一个红外发光二极管和一个与之光耦合的串联光电二极管阵列组成，适用于MOSFET栅极驱动。

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￥23.49
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￥17.93
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￥15.84
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￥14.87
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￥14.43

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型号：MP3120(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361229

封装：SMD-8P

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，2.5A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3120 是一款 2.5A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥2.9474
200+
￥1.1761
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￥1.1368
1000+
￥1.1174

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型号：MP340(W)(T3)-G(B) 编号：C47361234

封装：LSOP-6

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，1.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP314 是一款 1.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥3.47
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￥1.39
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￥1.34
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￥1.32

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型号：MP314(W)(T3)-G(B) 编号：C47361233

封装：LSOP-6

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：10V~30V 高抗扰度，1.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP314 是一款 1.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 800V/20A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥3.6
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￥1.44
500+
￥1.39
1500+
￥1.37

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型号：MP341(W)(T3)-G(B) 编号：C47361235

封装：LSOP-6

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 低触发电流：≤4mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：15V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP341 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥3.71
200+
￥1.48
500+
￥1.43
1500+
￥1.41

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型号：MP343(W)(T3)-G(B) 编号：C47361236

封装：LSOP-6