驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：ICPL-330J-500EAXW 编号：C42432175

封装：SOP-16

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

智能IGBT栅极驱动光耦，峰值电流1.5A，隔离电压(rms): 5KV，SOP16

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￥8.1 ￥9

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型号：CA-IS3211SCG 编号：C7422541

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS，芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。

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￥3.1
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￥2.39
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￥2.08
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￥1.7

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型号：HCPL-3120-C5LO 编号：C20612452

封装：SOP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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￥2.41
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￥1.58

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型号：AT341-CuH-P 编号：C20612777

封装：SOP-6-P

品牌：AOTE(奥特)

AT341 是一种输出电流为3.0A 的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓(AlGaAs) 的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。这种光电耦合器可驱动大多数的小功率IGBTs 和MOSFETs。在电机控制逆变器以及高性能电力系统应用中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBTs 和MOSFETs。

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￥3.384 ￥3.76
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型号：AT343-CuH-P 编号：C20612779

封装：SOP-6-P

品牌：AOTE(奥特)

AT343包含一个砷化铝镓LED，它被光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路上。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制装置所需的驱动电压。

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型号：EL3120S 编号：C42371564

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

EL3120S 是一种输出电流为 2.5A 的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓（ AlGaAs）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、感应加热、工业逆变器等。

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型号：LTV-3120S-TA1-H 编号：C5180455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 3120 - H系列光电耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个AlGaAs LED，该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。2.5A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200V/100A的IGBT

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￥4.06
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￥2.84
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￥2

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型号：CA-IS3211SBG 编号：C7422525

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS，芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。

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￥1.73

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型号：EL3150 编号：C42371566

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

EL3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于：工业逆变器、不间断电源、开关电源、电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动。

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￥3.483 ￥3.87
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￥1.872 ￥2.08

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型号：CYHCPL3120S(TP1) 编号：C3018817

封装：SOP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120 是一种 2.5A 输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率 IGBT 和 MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率 IGBT 和 MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥5.67
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型号：ACPL-P314-500E 编号：C116685

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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￥6.99
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￥5.07
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型号：ACPL-T350-060E 编号：C17568677

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 GaAsP LED，该 LED 与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200 V/100 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动 IGBT 栅极。绝缘电压为 VIOMR = 630 V 峰值（选项 060）。

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￥5.2724 ￥5.38

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型号：ACPL-K33T-500E 编号：C17218476

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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型号：LT4430ES6#TRMPBF 编号：C580196

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：ACPL-355JC-500E 编号：C38013275

封装：SO-16

品牌：Broadcom(博通)

是一款10A智能栅极驱动光耦合器。高峰值输出电流和宽工作电压范围使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或SiC MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。它为IGBT/SiC MOSFET提供过流保护和功能安全报告。这款功能齐全且易于实现的栅极驱动光耦合器采用紧凑的、可表面贴装的SO-16 600V CTI封装。它提供符合安全法规IEC/DIN/DIN、UL和cUL认证的加强绝缘。

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￥37.07
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￥31.88
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￥28.72

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型号：APV2121S 编号：C719582

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：高速开关。高绝缘性：DIP 类型：5000 Vrms，SOP 类型：2500 Vrms，SSOP 类型：1500 Vrms。丰富的产品阵容：产品包括 SSOP、SOP4 引脚和 DIP6 引脚。应用：电子电路的电源 (Vcc)。驱动 MOSFET

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￥11.3
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￥10.39

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型号：ACPL-K34T-560E 编号：C17232054

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动功率MOSFET，实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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￥22.21
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型号：FOD8316 编号：C899337

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

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￥33.8352 ￥40.28
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￥28.5418 ￥38.57
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型号：OR-314(B)W-TA1 编号：C42012394

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Orient(奥伦德)

由一个 GaAsP LED 与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：ACPL-W341-C5L0 编号：C20612467

封装：SSOP-6

品牌：KTP(科泰普)

ACPL-P341/ACPL-W341 栅极驱动光电耦合器包含一个AlGaAs 的LED，该LED 光学耦合到一个功率输出级集成电路。该光耦非常适合于驱动在电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT 和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了门控设备所需的驱动电压。

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型号：VO3120-X007T 编号：C241865

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

VO3120由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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型号：LTV-330J-TP1 编号：C2944029

封装：SMD

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 330J是一款先进的、输出电流为2.5 A的易用智能栅极驱动器，它使IGBT VCE故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源密勒钳位等特性，提供了最大的设计灵活性和电路保护。LTV - 330J包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）

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￥6.96

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型号：ACPL-K342-560E 编号：C17221227

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可以使用该产品来驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，其绝缘电压分别最高可达V_IOM = 891 Vpeak和1140 Vpeak。

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型号：ACPL-38JT-500E 编号：C691934

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

汽车2.5A栅极驱动光耦合器，集成了去饱和 (VCE) 检测和故障状态反馈，使汽车IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实施，同时满足汽车AEC-Q100 1级半导体要求。R2Coupler隔离产品为关键的汽车和高温工业应用提供所需的加强绝缘和可靠性。

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￥13.2006 ￥13.47
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￥12.9752 ￥13.24
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￥12.8772 ￥13.14

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型号：FDA217S 编号：C22406942

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse/IXYS

是双光伏MOSFET驱动器。每个独立的驱动器由一个与光电二极管阵列光耦合的LED组成。驱动器输出通过输入端高效的红外LED控制。当向LED施加输入电流时，发出的光激活光电二极管阵列，从而在输出端产生电压。光电二极管阵列能够产生一个浮动电源，其电压和电流足以驱动高功率MOSFET晶体管。每个光电二极管阵列包含一个集成关断电路，当LED电流移除时，该电路会对外部MOSFET栅极放电，无需使用外部元件来促进放电。光耦合技术提供3750Vrms的输入到输出隔离。适用于分立固态继电器设计和其他隔离开关应用。

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￥21.65
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￥16.86
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￥15.05

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型号：ACPL-K34T-500E 编号：C691949

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与具有功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动功率MOSFET，以实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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