驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-6L

由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成，采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%，满足国际安全标准的加强绝缘等级要求，可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽，保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出，可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。

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￥4.29
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￥3.13

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型号：FOD3182SD 编号：C479708

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

数据手册

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型号：TLP5214(TP,E 编号：C17414166

封装：SOIC-16-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP5214是一款高度集成的输出电流为4.0A的IGBT栅极驱动光耦，采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。TLP5214是一款智能栅极驱动光耦，具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位以及欠压锁定（UVLO）等功能。

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型号：ACPL-W483-560E 编号：C7066648

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

快速速度光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，以提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，并允许直接驱动智能功率模块或作为栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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型号：QCFJ-3439T-500UE 编号：C6800671

封装：SO-24

品牌：Broadcom(博通)

QCFJ - 3439T是一款峰值电流为17A的智能栅极驱动光耦。其高峰值输出电流和宽工作电压范围，使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能

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型号：ICPL-341P-500EAXW 编号：C42432186

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IGBT栅极驱动光耦，峰值电流3A，隔离电压(rms): 5KV，LSOP6，窄体

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型号：CA-IS3211SCG 编号：C7422541

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS，芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。

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￥3.47
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型号：EL3150 编号：C42371566

封装：DIP-8

品牌：AOTE(奥特)

EL3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于：工业逆变器、不间断电源、开关电源、电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动。

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型号：CA-IS3211SBG 编号：C7422525

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Chipanalog(川土微)

CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS，芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。

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型号：EL3120S 编号：C42371564

封装：SMD-8P

品牌：AOTE(奥特)

EL3120S 是一种输出电流为 2.5A 的栅极驱动光电耦合器，具有一个砷化铝镓（ AlGaAs）的发光二极管，通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于：不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、感应加热、工业逆变器等。

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型号：CYHCPL3120S(TP1) 编号：C3018817

封装：SOP-8

品牌：OCIC(卓睿科)

CYHCPL3120 是一种 2.5A 输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率 IGBT 和 MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率 IGBT 和 MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽 MOSFET 输出级的高速驱动器。

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￥2.89

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型号：ACPL-P314-560E 编号：C691958

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

数据手册

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型号：APV2121S 编号：C719582

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：PANASONIC(松下)

特性：高速开关。高绝缘性：DIP 类型：5000 Vrms，SOP 类型：2500 Vrms，SSOP 类型：1500 Vrms。丰富的产品阵容：产品包括 SSOP、SOP4 引脚和 DIP6 引脚。应用：电子电路的电源 (Vcc)。驱动 MOSFET

数据手册

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型号：CA-IS3211CVCJ 编号：C49352978

封装：SOIC6-WB

品牌：Chipanalog(川土微)

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￥2.0365
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￥1.3644

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型号：ICPL-481P-500EAXW 编号：C42432180

封装：LSOP-6

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

IPM接口驱动光耦，隔离电压(rms): 5KV,共模瞬变抗扰度CMTI: 20kV/Us, 窄体

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型号：LTV-3120S-TA1-H 编号：C5180455

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 3120 - H系列光电耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET，以及电源系统中的逆变器。它包含一个AlGaAs LED，该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。2.5A的峰值输出电流能够直接驱动大多数额定值高达1200V/100A的IGBT

数据手册

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￥2.22

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型号：ICPL-330J-500EAXW 编号：C42432175

封装：SOP-16

品牌：ISOMICRON(安芯微半导体)

智能IGBT栅极驱动光耦，峰值电流1.5A，隔离电压(rms): 5KV，SOP16

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￥7.749 ￥8.61

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型号：ACPL-W483-500E 编号：C691971

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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￥12.39
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￥7.39
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￥6.9

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型号：LTV-333J-TP1 编号：C2944032

封装：SMD

品牌：LITEON(光宝)

是一款先进的5.0A输出电流、易于使用的智能栅极驱动器，可使IGBT VCE故障保护紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、“软”IGBT关断、隔离开路集电极故障反馈和有源米勒钳位等功能，提供最大的设计灵活性和电路保护。包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET

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￥15.4
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￥13.11
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￥11.68

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型号：ACPL-K33T-500E 编号：C17218476

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥18.51
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型号：ACPL-H342-560E 编号：C3010672

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可以使用该产品来驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，其绝缘电压分别最高可达V_IOM = 891 Vpeak和1140 Vpeak。

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型号：FOD8316 编号：C899337

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8316 是一款先进的 2.5A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/150A IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。它提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。它利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。它包含一个集成式门极驱动光耦合器，带有低 RDS(ON) CMOS 晶体管，可将 IGBT 在轨之间驱动，还包含一个用于故障感应的集成式高速隔离反馈。该器件采用紧凑型 16 引脚小型塑料封装，满足 8 毫米漏电和间距要求。

数据手册

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￥32.224 ￥40.28
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￥26.999 ￥38.57
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￥22.512 ￥37.52
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￥21.99 ￥36.65

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型号：MP3182(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361232

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：10V~30V 高抗扰度，3.0A 输出电流，门极驱动器光耦合器 MP3182 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器，能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动

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￥1.84
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￥1.8
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￥1.77
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￥1.74

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型号：MPC3150L-GV 编号：C47361122

封装：DIP-8

品牌：MP(美禄科技)

驱动光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：20kV/us 传播延迟tpLH/tpHL：500ns；500ns 电源电压：15V~30V 高抗噪能力、1.0A输出电流、栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT或MOSFET。

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￥2.86
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￥2.26
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￥2.01

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型号：HCPL-3120-C1LO 编号：C20612451

封装：DIP-8

品牌：KTP(科泰普)

HCPL-3120/HCPL-3120S是一种2.5A输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大多数中功率IGBT和MOSFET。在电机控制逆变器以及高性能电力系统中，其非常适用于快速切换驱动功率IGBT和MOSFET。其包含一个镓铝砷化合物（AlGaAs）的发光二极管组成，通过红外光耦合到光敏集成电路，该集成电路具有用于推挽MOSFET输出级的高速驱动器。

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￥3.29
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￥2.28
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￥1.9
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￥1.74

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型号：VO3120-X007T 编号：C241865

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

VO3120由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级较宽的工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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￥7.39
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￥6.61
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￥6.12
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￥5.63

有货

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型号：LTV-330J-TP1 编号：C2944029

封装：SMD

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 330J是一款先进的、输出电流为2.5 A的易用智能栅极驱动器，它使IGBT VCE故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定（UVLO）、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源密勒钳位等特性，提供了最大的设计灵活性和电路保护。LTV - 330J包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）

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￥8.73
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￥7.95
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￥7.46
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￥6.96

有货

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型号：LTV-331J-TP1 编号：C2944030

封装：SOP-16

品牌：LITEON(光宝)

LTV - 331J 是一款先进的、输出电流为 2.5 A、易于使用的智能栅极驱动器，它使 IGBT VCE 故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成 VCE 检测、欠压锁定 (UVLO)、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等特性，为设计提供了极大的灵活性，并能保护电路。LTV - 331J 包含一个铝镓砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)

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￥7.75

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型号：ACPL-K34T-560E 编号：C17232054

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动功率MOSFET，实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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￥13.92

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型号：LT4430IS6#TRPBF 编号：C672570

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

驱动隔离电源中跨越电隔离屏障的光耦合器。IC包含精密微调基准、高带宽误差放大器、用于驱动光耦合器的6级反相增益和独特的过冲控制电路。600mV基准提供±0.75%的初始精度和±1.25%的温度容差。9MHz高带宽误差放大器允许简单的频率补偿，并且在典型的环路交叉频率下相移可忽略不计。光耦合器驱动器提供10mA输出电流，并具有短路保护。独特的过冲控制功能通过单个电容器防止启动和短路恢复时的输出过冲。采用低轮廓6引脚TSOT-23封装。

数据手册

1+
￥25.338 ￥30.9
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￥24.805 ￥30.25
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￥24.4524 ￥29.82
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