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首页 > 热门关键词 > 驱动光耦
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  • CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS,芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。 高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。
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  • IGBT栅极驱动光耦,峰值电流5A,隔离电压(rms): 5KV,LSOP6,窄体
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  • LTV - 6341系列光电耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET,以及电源系统中的逆变器。它包含一个AlGaAs LED,该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。该光电耦合器的工作参数在 - 40°C至 + 125°C的温度范围内得到保证
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  • ACPL-332J(AT)具有一个AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光学耦合。 广泛应用于:隔离型 IGBT 或隔离型功率 MOSFET 的栅极驱动、交流和无刷式直流电机驱动器、工业逆变器、不间断电源 (UPS)。
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  • 是一款先进的1.0A双输出、易于使用的智能IGBT和功率MOSFET栅极驱动光耦接口。专为支持各种电流额定值的MOSFET缓冲器而设计,系统工程师可以通过互换MOSFET缓冲器和功率IGBT/MOSFET开关,使用一个硬件平台支持不同的系统功率额定值。这些更改无需重新设计关键电路隔离和短路保护。这一概念最大限度地提高了适用于从低到高功率额定值的电机控制和功率转换应用的栅极驱动设计可扩展性
    数据手册
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  • IGBT栅极驱动光耦,峰值电流1A,隔离电压(rms): 5KV,LSOP6,窄体
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      ¥1.728 ¥1.92
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      ¥1.386 ¥1.54
  • 有货
  • AT3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于:工业逆变器、不间断电源、开关电源、 电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动
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      ¥1.8905 ¥1.99
  • 有货
  • AT343包含一个砷化铝镓LED,它被光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路上。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制装置所需的驱动电压。
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      ¥3.772 ¥4.1
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  • ACPL-W314(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器,具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。 广泛应用于:开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。
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      ¥2.88
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  • 包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。此光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值较高的IGBT,可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中,分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。
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  • 包含一个 AlGaAs LED,它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200V/200 A、600 V/300 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT,可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动 IGBT 栅极。在 IEC/EN/DIN EN 60747-5-2 中具有最高 1414 Vpeak 的绝缘电压 VIORM。
    数据手册
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  • IGBT栅极驱动光耦,峰值电流4A,隔离电压(rms): 5KV,LSOP6,窄体
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      ¥1.215 ¥1.35
  • 有货
  • AT341 是一种输出电流为3.0A 的栅极驱动光电耦合器,具有一个砷化铝镓(AlGaAs) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。这种光电耦合器可驱动大多数的小功率IGBTs 和MOSFETs。在电机控制逆变器以及高性能电力系统应用中,其非常适用于快速切换驱动功率IGBTs 和MOSFETs。
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  • AT3120 贴片SMD8智能栅极驱动光耦 IGBT/MOSFET栅极驱动
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      ¥2.09 ¥2.2
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  • IGBT栅极驱动光耦,峰值电流2.5A,隔离电压(rms): 5KV,SMD8
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      ¥1.449 ¥1.61
  • 有货
  • AT314是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器,具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。 广泛应用于:开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。
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      ¥1.52 ¥1.6
  • 有货
  • HCPL-3150(AT)是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于:工业逆变器、不间断电源、开关电源、 电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动
    • 1+

      ¥3.42
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      ¥1.79
  • 有货
  • AT3120 是一种 输出电流为 2.5A 的栅极驱动光电耦合器 ,具有一个砷化铝镓 ( AlGaAs) 的发光二极管 ,通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于:不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、 感应加热、工业逆变器等。
    • 1+

      ¥3.6765 ¥3.87
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      ¥2.2895 ¥2.41
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      ¥1.976 ¥2.08
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  • 有货
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      ¥28.82
    • 30+

      ¥26.03
  • 有货
  • EL3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于:工业逆变器、不间断电源、开关电源、 电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动
    • 1+

      ¥3.528 ¥3.92
    • 10+

      ¥2.826 ¥3.14
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    • 500+

      ¥1.926 ¥2.14
    • 1000+

      ¥1.818 ¥2.02
  • 有货
  • CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS,芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。 高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。
    • 1+

      ¥3.65
    • 10+

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    • 30+

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    • 100+

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    • 500+

      ¥1.8
  • 有货
  • AT341 是一种输出电流为3.0A 的栅极驱动光电耦合器,具有一个砷化铝镓(AlGaAs) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。这种光电耦合器可驱动大多数的小功率IGBTs 和MOSFETs。在电机控制逆变器以及高性能电力系统应用中,其非常适用于快速切换驱动功率IGBTs 和MOSFETs。
    • 1+

      ¥3.6765 ¥3.87
    • 10+

      ¥2.983 ¥3.14
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      ¥1.976 ¥2.08
  • 有货
  • ACPL-W341(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器,具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。 广泛应用于:开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。
    • 1+

      ¥3.6765 ¥3.87
    • 10+

      ¥2.9925 ¥3.15
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      ¥2.109 ¥2.22
    • 1000+

      ¥2.0045 ¥2.11
  • 有货
  • AT3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于:工业逆变器、不间断电源、开关电源、 电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动
    • 1+

      ¥3.7335 ¥3.93
    • 10+

      ¥3.0305 ¥3.19
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    • 100+

      ¥2.337 ¥2.46
    • 500+

      ¥2.0805 ¥2.19
    • 1000+

      ¥1.976 ¥2.08
  • 有货
  • AT343包含一个砷化铝镓LED,它被光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路上。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制装置所需的驱动电压。
    • 1+

      ¥3.895 ¥4.1
    • 10+

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      ¥2.09 ¥2.2
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
    • 1+

      ¥4.29
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      ¥3.79
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      ¥3.13
  • 有货
  • FOD3182 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET 门极驱动光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.86
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      ¥6.37
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      ¥5.63
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      ¥3.89
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      ¥3.66
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