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首页 > 热门关键词 > 驱动光耦
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IPM接口驱动光耦,隔离电压(rms): 5KV,共模瞬变抗扰度CMTI: 20kV/Us, 窄体
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    ¥2.511 ¥2.79
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  • CA-IS3417WT是一款低EMI、输入光耦兼容的增强型绝缘高压隔离开关,原边输入级为模拟二极管(e-diode),在保持光耦输入特性的同时还具有更好的一致性、长期稳定性和更高的可靠性,其传输特性不会像传统光MOS继电器一样随着使用时间的增加而出现光衰老化现象。另外相比传统的机械继电器,CA-IS3417WT的开关次数更多,使用寿命更长。 CA-IS3417WT的副边集成了耐压高达1700V背靠背的SiC MOSFET,由于SiC MOSFET具有更好的高温特性和可靠性,使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。
    • 1+

      ¥15.32
    • 10+

      ¥12.77
    • 30+

      ¥11.17
  • 有货
  • 包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可以使用该产品来驱动一个分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中,其绝缘电压分别最高可达V_IOM = 891 Vpeak和1140 Vpeak。
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      ¥18.54
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      ¥15.78
    • 30+

      ¥14.13
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      ¥11.8465 ¥12.47
    • 500+

      ¥11.115 ¥11.7
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      ¥10.792 ¥11.36
  • 有货
  • IGBT栅极驱动光耦,峰值电流3A,隔离电压(rms): 5KV,LSOP6,窄体
    • 1+

      ¥2.214 ¥2.46
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      ¥1.944 ¥2.16
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      ¥1.827 ¥2.03
    • 100+

      ¥1.683 ¥1.87
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      ¥1.62 ¥1.8
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      ¥1.584 ¥1.76
  • 有货
  • HCPL-3150(AT)是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于:工业逆变器、不间断电源、开关电源、 电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动
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      ¥3.154 ¥3.32
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      ¥1.843 ¥1.94
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      ¥1.6815 ¥1.77
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      ¥1.5865 ¥1.67
  • 有货
  • AT3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于:工业逆变器、不间断电源、开关电源、 电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动
    • 1+

      ¥3.348 ¥3.72
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      ¥2.709 ¥3.01
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      ¥1.791 ¥1.99
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      ¥1.9
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      ¥1.8
  • 有货
  • AT3120 是一种 输出电流为 2.5A 的栅极驱动光电耦合器 ,具有一个砷化铝镓 ( AlGaAs) 的发光二极管 ,通过红外光耦合到光敏集成电路。广泛应用于:不间断电源、IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动、 感应加热、工业逆变器等。
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      ¥3.483 ¥3.87
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      ¥2.826 ¥3.14
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      ¥2.493 ¥2.77
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    • 495+

      ¥1.971 ¥2.19
    • 990+

      ¥1.872 ¥2.08
  • 有货
  • ACPL-W341(AT)是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器,具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。 广泛应用于:开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。
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      ¥3.4865 ¥3.67
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      ¥1.8145 ¥1.91
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,可减少需要安全标准认证设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
    • 1+

      ¥4.29
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  • 有货
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      ¥4.02
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      ¥2.93
  • 有货
  • LTV - 332J是一款先进的、输出电流为5.0 A的易用智能栅极驱动器,它使IGBT的VCE故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成VCE检测、欠压锁定(UVLO)、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等特性,提供了最大的设计灵活性和电路保护。LTV - 332J包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)
    数据手册
    • 1+

      ¥10.63
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      ¥8.91
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      ¥7.83
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      ¥6.73
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      ¥6.23
  • 有货
  • AT341 是一种输出电流为3.0A 的栅极驱动光电耦合器,具有一个砷化铝镓(AlGaAs) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。这种光电耦合器可驱动大多数的小功率IGBTs 和MOSFETs。在电机控制逆变器以及高性能电力系统应用中,其非常适用于快速切换驱动功率IGBTs 和MOSFETs。
    • 1+

      ¥2.66 ¥2.8
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      ¥2.09 ¥2.2
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      ¥1.539 ¥1.62
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      ¥1.3965 ¥1.47
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      ¥1.311 ¥1.38
  • 有货
  • AT314是一种输出电流为0.6A的栅极驱动光电耦合器,具有一个镓砷磷化合物( GaAsP ) 的发光二极管,通过红外光耦合到光敏集成电路。 广泛应用于:开关电源、IGBT/MOSFET 栅极驱动器、交流和无刷直流电机驱动器、可再生能源逆变器、工业逆变器。
    • 1+

      ¥2.817 ¥3.13
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      ¥2.232 ¥2.48
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      ¥1.98 ¥2.2
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      ¥1.665 ¥1.85
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      ¥1.521 ¥1.69
    • 1000+

      ¥1.44 ¥1.6
  • 有货
  • CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS,芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。 高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。
    • 1+

      ¥3.17
    • 10+

      ¥2.44
    • 30+

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      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.56
  • 有货
  • CA-IS3211 是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器,可用于驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 器件。隔离等级达到 5.7kV_RMS,芯片可提供 5A 拉、6A 灌输出峰值电流能力。 高达 30V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。
    • 1+

      ¥3.23
    • 10+

      ¥2.49
    • 30+

      ¥2.17
    • 100+

      ¥1.77
    • 500+

      ¥1.59
  • 有货
  • AT3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于:工业逆变器、不间断电源、开关电源、 电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动
    • 1+

      ¥3.537 ¥3.93
    • 10+

      ¥2.871 ¥3.19
    • 30+

      ¥2.547 ¥2.83
    • 100+

      ¥2.214 ¥2.46
    • 500+

      ¥1.971 ¥2.19
    • 1000+

      ¥1.872 ¥2.08
  • 有货
  • EL3150是一种0.6A输出电流的栅极驱动光电耦合器,可驱动大多数的中功率 IGBTs和MOSFETs。广泛应用于:工业逆变器、不间断电源、开关电源、 电机驱动、 IGBT 隔离/功率 MOSFET 栅极驱动
    • 1+

      ¥3.69 ¥4.1
    • 10+

      ¥2.988 ¥3.32
    • 30+

      ¥2.646 ¥2.94
    • 100+

      ¥2.295 ¥2.55
    • 500+

      ¥2.088 ¥2.32
    • 1000+

      ¥1.98 ¥2.2
  • 有货
  • FOD3182 是一款 3A 输出电流,高速 MOSFET 门极驱动光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中,可兼容 260°C 回流工艺,用于实现无引线焊接机合规性。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.46
    • 10+

      ¥5.37
    • 30+

      ¥4.78
    • 100+

      ¥3.61
    • 500+

      ¥3.31
    • 1000+

      ¥3.17
  • 有货
  • LTV - 331J 是一款先进的、输出电流为 2.5 A、易于使用的智能栅极驱动器,它使 IGBT VCE 故障保护变得紧凑、经济且易于实现。集成 VCE 检测、欠压锁定 (UVLO)、IGBT“软”关断、隔离集电极开路故障反馈和有源米勒钳位等特性,为设计提供了极大的灵活性,并能保护电路。LTV - 331J 包含一个铝镓砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)
    • 1+

      ¥10.04
    • 10+

      ¥9.14
    • 30+

      ¥8.58
    • 100+

      ¥8
    • 500+

      ¥7.75
  • 有货
  • TLP5214是一款高度集成的输出电流为4.0A的IGBT栅极驱动光耦,采用长爬电距离和电气间隙的SO16L封装。TLP5214是一款智能栅极驱动光耦,具备IGBT去饱和检测、隔离故障状态反馈、IGBT软关断、有源米勒钳位以及欠压锁定(UVLO)等功能。
    • 1+

      ¥13.38
    • 10+

      ¥12.13
    • 30+

      ¥11.34
    • 100+

      ¥10.54
    • 500+

      ¥10.17
  • 有货
  • QCFJ - 3439T是一款峰值电流为17A的智能栅极驱动光耦。其高峰值输出电流和宽工作电压范围,使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能
    • 1+

      ¥28.83
    • 10+

      ¥25.61
    • 30+

      ¥23.69
  • 有货
  • 包含一个LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流可直接用于IGBT。对于额定值较高的IGBT,该光耦合器可用于驱动分立功率级,进而驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中,具有2262 VPEAK的最高绝缘电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.04
    • 10+

      ¥33.34
    • 30+

      ¥32.31
    • 100+

      ¥30.8112 ¥31.44
  • 有货
  • IGBT栅极驱动光耦,峰值电流1.5A,隔离电压(rms): 5KV,LSOP6,窄体
    • 1+

      ¥2.223 ¥2.47
    • 10+

      ¥1.755 ¥1.95
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      ¥1.557 ¥1.73
    • 100+

      ¥1.305 ¥1.45
    • 500+

      ¥1.197 ¥1.33
    • 1000+

      ¥1.134 ¥1.26
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