驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-4-1.27mm

由光电晶体管组成，与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO4封装。保证宽工作温度（Ta = -55至110℃）和高隔离电压（3750 Vrms），适用于高密度表面贴装应用，如可编程控制器和混合集成电路。

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型号：K3010P 编号：C3009282

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光控三端双向可控硅和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流隔离和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率三端双向可控硅。

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型号：ACPL-M62L-500E 编号：C6733637

封装：SOIC-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是一种光耦合器，结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器，满足低功耗需求。该光耦合器在整个温度范围内最大Ipo功耗为1.5mA，正向电流低至2mA，因此允许大多数微处理器进行直流驱动。支持3.3V和5V电源电压，在-40°C至+105°C范围内保证交流和直流工作参数。探测器IC的输出为开漏类型，内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现最大交流和直流电路隔离的同时，实现了TTL/CMOS兼容性。这些光耦合器适用于高速逻辑接口，同时功耗极低。

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型号：TLP292-4(LA-TR,E 编号：C5370556

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和较高的隔离电压(3750Vrms)，适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：ASSR-1218-003E 编号：C1525239

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

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型号：SI8261BAC-C-ISR 编号：C22452146

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

Si826x 隔离器与常用光耦栅极驱动器引脚兼容，可直接替换升级，如 0.6 A 的 ACPL - 0302/3020、2.5 A 的 HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130 以及类似的光耦驱动器。该器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率 MOSFET 和 IGBT。Si826x 隔离栅极驱动器采用了 Skyworks Solutions 专有的硅隔离技术，根据 UL1577 标准可承受高达 5.0 kV RMS 的电压，根据 VDE 0884 - 10 标准具备 10 kV 的浪涌保护能力。与光耦栅极驱动器相比，这项技术可实现更高的性能，减少温度和老化带来的变化，实现更紧密的器件间匹配，以及卓越的共模抑制能力。虽然输入电路模拟了 LED 的特性，但所需的驱动电流更小，从而提高了效率。传播延迟时间与输入驱动电流无关，因此传播时间始终较短，器件间的差异更小，输入电路设计的灵活性更高。因此，与光耦栅极驱动器相比，Si826x 系列具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。部分产品型号提供汽车级版本。这些产品在制造过程的所有环节均采用汽车专用流程，以确保满足汽车应用所需的坚固性和低缺陷率。

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型号：HCPL-2200-500E 编号：C6955731

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器具有三态输出级，且探测器阈值具有滞后特性。三态输出无需上拉电阻，可直接驱动数据总线。滞后特性提供差模抗噪能力，消除输出信号抖动的可能性

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型号：ACPL-W454-500E 编号：C6795908

封装：SSO-6

品牌：Broadcom(博通)

与其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比 (CTR)，还保证了传播延迟差 (tPLH-tPHL)。这些特性使其成为IPM逆变器死区时间和其他开关问题的理想解决方案。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM（智能功率模块）负载和驱动条件进行了规定。提供了TTL和IPM条件下的规格和典型性能图，便于应用。这种二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。

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型号：SI8274GB1-IS1 编号：C17368638

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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型号：ACPL-074L-000E 编号：C22379963

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

是15-MBd的CMOS光耦合器，采用SOIC-8封装。该光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速LED和CMOS探测器IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。

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型号：SI8261ABC-C-IP 编号：C17303168

封装：DIP-8

品牌：SKYWORKS

是流行的光耦合栅极驱动器的引脚兼容、直接替换升级产品，适用于驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。采用专有硅隔离技术，支持高达5.0 kVᵣₘₛ的耐受电压和10 kV浪涌保护。与光耦合栅极驱动器相比，具有更高性能、随温度和时间变化更小、器件间匹配更紧密以及出色的共模抑制能力。输入电路模拟LED特性，但所需驱动电流更小，效率更高。传播延迟时间与输入驱动电流无关，传播时间始终较短，器件间变化更小，输入电路设计更灵活。与光耦合栅极驱动器相比，使用寿命更长，可靠性显著提高。部分产品提供汽车级版本，在制造过程的所有步骤中采用汽车专用流程，以确保汽车应用所需的耐用性和低缺陷率。

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型号：HCPL-061N-000E 编号：C6795922

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合门提供了行业标准6N'37系列的所有优点，并具有与HCMOS兼容的输入电流的额外优势。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少退化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ACPL-K64L-000E 编号：C22379965

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规范。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：ACPL-M72T-500E 编号：C6795955

封装：SO-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED，使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns（IF = 10mA），低功耗型典型传播延迟为60 ns（LED驱动电流为4 mA）。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。

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型号：HCPL-073A-000E 编号：C6795985

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些是非常低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。单通道8引脚DIP配置与行业标准6N139引脚兼容，双通道8引脚DIP配置与流行标准HCPL-2731引脚兼容。SO-8封装的单通道和双通道产品与之等效。每个通道可以用低至40μA的输入电流驱动，典型电流传输比为3500%

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型号：HCPL-063A-000E 编号：C6795989

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合门提供了行业标准6N'37系列的所有优点，并具有与HCMOS兼容的输入电流的额外优势。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少退化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：HCPL-0300-000E 编号：C6795998

封装：SOT-ALL-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定数据速率下，该器件可在更长的线路长度上工作。

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型号：HCPL-2300 编号：C6796003

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将 820 nm AlGaAs 光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种半导体器件组合为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新的低电流、高速 AlGaAs 发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的 RS-232-C 接口。作为线路接收器，由于较低的 IF 和 VF 规格，在给定数据速率下，其可在更长的线路长度上工作。

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型号：MT7938 编号：C2979269

封装：SOT-23-6

品牌：MAXIC(美芯晟)

一个单级、高功率因数，原边控制交流转直流LED驱动芯片。集成片上功率因数校正（PFC）功能，在临界导通模式（CriticalConductionMode，CRM）下运行，实现了高功率因数并减少功率MOS管开关损耗。利用创新的控制技术，无需光耦及副边感应器件就可以精确地调制LED电流。内置保护功能，包括过流保护（OCP）、输出过压保护（OVP）、输出短路保护（SCP）和过温调节（OTR）等，以确保系统可靠的工作。同时，过温调节设置引脚TADJ，可以通过连接外部电阻来灵活设置温度调节的阀值。

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型号：MPC3063-GV 编号：C47361116

封装：DIP-6

品牌：MP(美禄科技)

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3061(触发电流≤15mA)，3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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型号：KMOC3063 编号：C136467

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于与可控硅配合使用，应用于由115/240 VAC线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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￥1.2995
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型号：KMOC3083 编号：C136429

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的GaAs红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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￥1.8042
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￥0.9721
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型号：LTV-3052-SN 编号：C5124523

封装：SMD-4P

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入输出之间的隔离电压 Viso：3750Vrms。 4 引脚 MFP 无过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小 600V。应用：电机控制

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￥1.8139
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3000+
￥0.9263
6000+
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型号：MOC3083M-V 编号：C5124525

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6 引脚 DIP 过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM：最小值 800V。高断态电压临界上升率（dv/dt：最小值 800V/μs）。多种封装形式：双列直插式封装、宽引脚间距封装、表面贴装封装、卷带封装。安全认证：UL/CSA/FIMKO/VDE 认证。应用：AC 电机驱动器。 AC 电机启动器

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型号：MOC3041SM 编号：C899805

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.12556 / 个

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型号：S2S3LA0F 编号：C5885235

封装：SMD-4P

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与输出光电双向可控硅光耦合的红外发光二极管 (IRED)。这些器件具有全波控制功能，是中高电流双向可控硅的理想隔离驱动器。SOP 封装可提供 3.75kV 的输入到输出隔离，并具有出色的换向抗噪性。

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￥10.24
10+
￥9.97
30+
￥9.8

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型号：SI8261BBC-C-IS 编号：C430253

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

是流行的光耦合栅极驱动器的引脚兼容、直接替换升级产品，适用于驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。采用专有硅隔离技术，支持高达5.0 kVRMS的耐受电压和10 kV浪涌保护。与光耦合栅极驱动器相比，具有更高性能、随温度和时间变化更小、器件间匹配更紧密以及出色的共模抑制能力。输入电路模拟LED特性，但所需驱动电流更小，效率更高。传播延迟时间与输入驱动电流无关，传播时间始终较短，器件间变化更小，输入电路设计更灵活。与光耦合栅极驱动器相比，使用寿命更长，可靠性显著提高。部分产品提供汽车级版本，在制造过程的所有步骤中采用汽车专用流程，以确保汽车应用所需的耐用性和低缺陷率。

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￥31.81
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￥27.25
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型号：SLM345CK-DG 编号：C881769

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Sillumin(数明半导体)

SLM345是一款光兼容、单通道、用于IGBT和MOSFET的隔离栅极驱动器，源极和漏极峰值输出电流均为1.0A，具备5kVRMS的加强绝缘等级。SLM345可驱动低端和高端功率FET。与基于标准光耦合器的栅极驱动器相比，其关键特性带来了显著的性能和可靠性提升，同时在原理图和布局设计上保持引脚兼容

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￥2.53
10+
￥1.97
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型号：MP4800(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361237

封装：SMD-8P

品牌：MP(美禄科技)

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4800 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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￥2.86
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￥2.26
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￥2.01
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￥1.69
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￥1.55
1000+
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型号：MPC3083(SL)(T1)-GV 编号：C47361217

封装：SMD-6P

品牌：MP(美禄科技)

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3081(触发电流≤15mA)，3082(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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