驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-8-6.8mm

是电压/电流阈值检测光耦合器。使用高效AlGaAs LED，在低驱动电流下具有更高的光输出。具有阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上设置阈值水平。输入缓冲器具有几个增强性能的特性：额外的噪声抗扰度和开关抗扰度的迟滞、便于与交流输入信号一起使用的二极管电桥，以及保护缓冲器和LED免受过电压和过电流瞬变影响的内部钳位二极管

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￥28.25
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型号：HCPL-4701-000E 编号：C692051

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些器件是低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。每个通道可以用低至 40μA 的输入电流驱动，典型电流传输比为 3500%。这些高增益耦合器使用 AlGaAs 发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行

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型号：ASSR-V622-502E 编号：C5570511

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

该系列专为驱动高功率MOSFET而设计，由一个与输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于外部开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时，继电器驱动器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器驱动器关闭（触点断开）。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性，可通过串联连接2个通道使光伏电压加倍，或通过并联连接2个通道使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。

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型号：SI8274GB1-IS1 编号：C17368638

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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型号：FOD8332 编号：C462757

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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型号：HCPL-063A-000E 编号：C6795989

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合门提供了行业标准6N'37系列的所有优点，并具有与HCMOS兼容的输入电流的额外优势。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少退化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ASSR-1420-302E 编号：C1558760

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

博通ASSR - 14XX系列包含一个铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级，该输入级与高压输出检测电路进行光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于控制两个分立高压MOSFET的开关。当输入LED的最小输入电流达到3 mA时，继电器导通（触点闭合）

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型号：HCPL-063N-000E 编号：C6796006

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合门提供了行业标准6N'37系列的所有优点，并具有与HCMOS兼容的输入电流的额外优势。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少退化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：KMOC3041S TL 编号：C920680

封装：SMD-5P

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压过零双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于逻辑系统与由115V交流线路供电的设备的接口中，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：LTV-3052-SN 编号：C5124523

封装：SMD-4P

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入输出之间的隔离电压 Viso：3750Vrms。 4 引脚 MFP 无过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值关态电压 VDRM：最小 600V。应用：电机控制

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型号：HCPL-354-000E 编号：C17699471

封装：Mini-4-FlAt

品牌：Broadcom(博通)

博通（Broadcom）HCPL - 354 包含一个光电晶体管，与两个反向并联连接的发光二极管（LED）进行光耦合。它可以由交流输入电流直接驱动。该器件采用 4 引脚迷你扁平表面贴装器件（SMD）封装，具有……（原文此处未完整）

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型号：K3010P 编号：C3009282

封装：DIP-6

品牌：VISHAY(威世)

由一个光控三端双向可控硅和一个砷化镓红外发射二极管光耦合组成，采用6引脚塑料双列直插式封装。非过零功能可实现全波控制。具有电流隔离和电气噪声隔离功能，输出能够直接切换交流负载或驱动中高功率三端双向可控硅。

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型号：ACPL-M62L-500E 编号：C6733637

封装：SOIC-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是一种光耦合器，结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器，满足低功耗需求。该光耦合器在整个温度范围内最大Ipo功耗为1.5mA，正向电流低至2mA，因此允许大多数微处理器进行直流驱动。支持3.3V和5V电源电压，在-40°C至+105°C范围内保证交流和直流工作参数。探测器IC的输出为开漏类型，内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现最大交流和直流电路隔离的同时，实现了TTL/CMOS兼容性。这些光耦合器适用于高速逻辑接口，同时功耗极低。

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型号：TLP292-4(LA-TR,E 编号：C5370556

封装：SOIC-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

由与两个反向并联的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成，可由交流输入电流直接驱动。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125℃和较高的隔离电压(3750Vrms)，适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。

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型号：ASSR-1218-003E 编号：C1525239

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

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型号：ACPL-M483-000E 编号：C19673760

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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型号：ACPL-P484-560E 编号：C7209880

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

快速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化，通过减少开关死区时间提高逆变器效率。

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型号：ACPL-W454-500E 编号：C6795908

封装：SSO-6

品牌：Broadcom(博通)

与其他高速晶体管输出光耦合器类似，但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比 (CTR)，还保证了传播延迟差 (tPLH-tPHL)。这些特性使其成为IPM逆变器死区时间和其他开关问题的理想解决方案。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM（智能功率模块）负载和驱动条件进行了规定。提供了TTL和IPM条件下的规格和典型性能图，便于应用。这种二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。

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型号：SI8261ABC-C-IP 编号：C17303168

封装：DIP-8

品牌：SKYWORKS

是流行的光耦合栅极驱动器的引脚兼容、直接替换升级产品，适用于驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。采用专有硅隔离技术，支持高达5.0 kVᵣₘₛ的耐受电压和10 kV浪涌保护。与光耦合栅极驱动器相比，具有更高性能、随温度和时间变化更小、器件间匹配更紧密以及出色的共模抑制能力。输入电路模拟LED特性，但所需驱动电流更小，效率更高。传播延迟时间与输入驱动电流无关，传播时间始终较短，器件间变化更小，输入电路设计更灵活。与光耦合栅极驱动器相比，使用寿命更长，可靠性显著提高。部分产品提供汽车级版本，在制造过程的所有步骤中采用汽车专用流程，以确保汽车应用所需的耐用性和低缺陷率。

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型号：HCPL-061N-000E 编号：C6795922

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合门提供了行业标准6N'37系列的所有优点，并具有与HCMOS兼容的输入电流的额外优势。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少退化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ACPL-K64L-000E 编号：C22379965

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管（LED）和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规范。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：ACPL-M72T-500E 编号：C6795955

封装：SO-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED，使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns（IF = 10mA），低功耗型典型传播延迟为60 ns（LED驱动电流为4 mA）。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。

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￥33.92

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型号：HCPL-073A-000E 编号：C6795985

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些是非常低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。单通道8引脚DIP配置与行业标准6N139引脚兼容，双通道8引脚DIP配置与流行标准HCPL-2731引脚兼容。SO-8封装的单通道和双通道产品与之等效。每个通道可以用低至40μA的输入电流驱动，典型电流传输比为3500%

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￥66.02
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型号：ACNW3190-300E 编号：C19673745

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个 AlGaAs LED，该 LED 通过光耦合器连接到带有功率输出级的集成电路。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供门控器件所需的驱动电压。

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型号：ASSR-1611-001E 编号：C1525255

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由一个AlGaAs红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。

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型号：ISOM8110DFGR 编号：C22431318

封装：SOIC-4

品牌：TI(德州仪器)

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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￥1.3387
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型号：KMOC3083 编号：C136429

封装：DIP-6

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的GaAs红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。它们设计用于与可控硅配合使用，应用于由240V交流线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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￥1.2642
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型号：MOC3083M-V 编号：C5124525

封装：DIP-6

品牌：LITEON(光宝)

特性：输入输出之间的隔离电压 Viso：5000Vrms。 6 引脚 DIP 过零光耦可控硅驱动器输出。高重复峰值断态电压 VDRM：最小值 800V。高断态电压临界上升率（dv/dt：最小值 800V/μs）。多种封装形式：双列直插式封装、宽引脚间距封装、表面贴装封装、卷带封装。安全认证：UL/CSA/FIMKO/VDE 认证。应用：AC 电机驱动器。 AC 电机启动器

数据手册

5+
￥1.8409
50+
￥1.4373
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￥1.2563
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￥1.0404
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型号：TLP5701(D4-TP,E 编号：C2892104

封装：SO-6L-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器，由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下提供有保证的性能和规格。相比8引脚DIP封装的产品，它在物理尺寸上更小/更薄，并且符合加强绝缘的国际安全标准，因此为需要安全标准认证的应用提供了更小占位面积的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。

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1500+
￥1.8315
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￥1.815
4500+
￥1.782

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型号：S2S3LA0F 编号：C5885235

封装：SMD-4P

品牌：SHARP(夏普)

包含一个与输出光电双向可控硅光耦合的红外发光二极管 (IRED)。这些器件具有全波控制功能，是中高电流双向可控硅的理想隔离驱动器。SOP 封装可提供 3.75kV 的输入到输出隔离，并具有出色的换向抗噪性。

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