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封装：SOIC-8

超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低，在整个温度范围内，每通道IDD2电流最大为1.3mA。LED正向电流低至1.6mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在-40℃至+105℃的宽温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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￥7.3151
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型号：UCC5350SBQDRQ1 编号：C17560352

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC5350-Q1是一款单通道隔离式栅极驱动器，源极和漏极最小峰值电流均为5 A，旨在驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。UCC5350-Q1可选择米勒钳位或分离输出功能。CLAMP引脚用于将晶体管栅极连接到输出端之外的内部FET，以防止米勒电流导致的误开启。分离输出选项允许通过OUTH和OUTL引脚分别控制栅极电压的上升和下降时间。UCC5350-Q1采用4 mm SOIC-8 (D)或8.5 mm宽体SOIC-8 (DWV)封装，分别可支持高达3 kVRMS和5 kVRMS的隔离电压。输入侧与输出侧采用SiO₂电容隔离技术进行隔离，隔离屏障寿命超过40年。UCC5350-Q1非常适合在高压牵引逆变器和车载充电器等应用中驱动IGBT或MOSFET。与光耦合器相比，UCC5350-Q1器件的器件间偏斜更小、传播延迟更短、工作温度更高且共模瞬态抗扰度(CMTI)更高。

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￥9.810905 / 个

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型号：TPSI3052DWZR 编号：C20346001

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPSI3052是一款完全集成的隔离式开关驱动器，与外部功率开关结合使用时，可构成一个完整的隔离式固态继电器（SSR）。其标称栅极驱动电压为15 V，峰值源电流和灌电流为1.5/3.0 A，可选择多种外部功率开关以满足广泛的应用需求。TPSI3052从初级侧接收的功率中产生自身的次级偏置电源，因此无需隔离的次级电源偏置。此外，TPSI3052可根据各种应用需求，选择性地为外部支持电路供电。TPSI3052根据所需输入引脚数量支持两种工作模式。在两线模式下（通常用于驱动机械继电器），控制开关仅需两个引脚，且支持6.5 V至48 V的宽电压工作范围。在三线模式下，3 V至5.5 V的初级电源由外部提供，开关通过单独的使能信号进行控制。仅在三线模式下可用的TPSI3052S具有开关控制的单触发使能功能。此功能对于驱动通常只需一个电流脉冲即可触发的可控硅整流器（SCR）非常有用。次级侧提供一个稳定的15 V浮动电源轨，用于驱动各种功率开关，无需次级偏置电源。该应用可驱动用于直流应用的单个功率开关，或用于交流应用的双背对背功率开关，以及各种类型的SCR。与传统机械继电器和光耦合器相比，TPSI3052集成的隔离保护极为可靠，具有更高的可靠性、更低的功耗和更宽的温度范围。通过使用一个从PXFR引脚连接到VSSP的外部电阻选择七种功率电平设置之一，可以调节TPSI3052的功率传输。根据应用需求，这样可以在功耗和次级提供的功率之间进行权衡。

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￥34.29
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型号：KMOC3063 编号：C136467

封装：DIP-5

品牌：Cosmo(冠西)

由与单片硅探测器光耦合的砷化镓红外发射二极管组成，可实现零电压交叉双向可控硅驱动器的功能。设计用于与可控硅配合使用，应用于由115/240 VAC线路供电的设备的逻辑系统接口，如固态继电器、工业控制、电机、螺线管和家用电器等。

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型号：IS314W 编号：C393534

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：ISOCOM(英国安数光)

适用于驱动电机控制和电源系统逆变器中使用的功率IGBT和MOSFET。它包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该器件采用拉伸SO6封装。

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型号：MOC3063SR2VM 编号：C258261

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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单价：
￥2.40096 / 个

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型号：NSI6801TB-DDBR 编号：C5439826

封装：DUB-8

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

是单通道隔离栅极驱动器，与流行的光耦合栅极驱动器引脚兼容，可提供和吸收 5A 峰值电流。系统鲁棒性由 150kV/μs 的最小共模瞬态抗扰度 (CMTI) 支持。驱动器的最大电源电压为 32V。输入电路模仿 LED 的特性，与标准光隔离栅极驱动器相比具有性能优势，包括更好的可靠性和老化性能、更高的工作温度、更短的传播延迟和更小的脉冲宽度失真。适合在高可靠性、功率密度和效率的开关电源系统中替代光隔离驱动器。

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型号：SI8271GB-ISR 编号：C17274665

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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￥31.69
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型号：MOC3083SVM 编号：C899868

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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￥2.24412 / 个

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型号：HT-3061 编号：C34376264

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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￥0.4821
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型号：HT-3082-S1TA1 编号：C34376236

封装：SMD-6P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

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型号：4N28SM 编号：C898949

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.254 / 个

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型号：FOD8001 编号：C463968

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8001 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。此高速逻辑门极光耦合器封装在 8 引脚小型封装中，包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。

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￥6.27612 / 个

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型号：ACPL-4800-300E 编号：C6492506

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

快速速度光耦合器包含一个GaAsP LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。

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￥33.47
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型号：4N28M 编号：C4067

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.254 / 个

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型号：4N27M 编号：C136568

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.2396 / 个

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型号：4N35VM 编号：C898968

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥1.30896 / 个

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型号：TPS92315DBVR 编号：C2678698

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

初级侧调节（PSR）消除了对光耦合器的需求，提供±5%的LED电流调节。最大开关频率为130 kHz，可实现高功率密度SSL驱动器。准谐振谷底切换操作确保了最高的整体效率。一种正在申请专利的频率抖动方案简化了EMI合规性。宽VCC范围（35V）允许使用小偏置电容。该设备包括MOSFET驱动输出和过压、低压线及过流保护功能。TPS92315采用SOT23-6封装。

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型号：TLP3905(V4-TPL,E 编号：C23067473

封装：SO-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由红外LED与光电二极管阵列光耦合组成。光电二极管串联，适用于MOS栅极驱动应用。

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￥10.39
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型号：LOC110S 编号：C2760150

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse(美国力特)

单线性光耦合器具有一个红外LED，与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈（输入）光电二极管用于生成控制信号，为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。

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￥14.47
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￥13.68

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型号：LOC110STR 编号：C2760151

封装：SMD-8P

品牌：Littelfuse/IXYS

单线性光耦合器具有一个红外LED，与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈（输入）光电二极管用于生成控制信号，为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。

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￥15.85
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型号：FOD3182V 编号：C899269

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.31276 / 个

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型号：AQV215AZ 编号：C5948031

封装：SMD-6P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：控制低电平模拟信号，光电MOS具有极低的闭路失调电压，可无失真地控制低电平模拟信号。控制各种类型的负载，如继电器、电机、灯和螺线管。光耦合实现极高的隔离，与机械继电器不同，光电MOS结合了LED和光电器件，使用光传输信号以实现极高的隔离。无需在输入侧驱动电路中使用反电动势保护二极管。稳定的导通电阻。低电平关态泄漏电流最大为1μA。应用：高速检测机。电话设备

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￥24.19
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￥16.82
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型号：HCPL-2300-000E 编号：C6795995

封装：PDIP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合器将820 nm AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由安华高设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。新型低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定的数据速率下，HCPL-2300/HCPL-0300将在更长的线路长度上工作。

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￥64.663631 / 个

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型号：NCL30486B2DR2G 编号：C5208476

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCL30486B 是一种功率因数校正的反激式控制器，适用于隔离恒流LED驱动器。该控制器以准谐振模式运行，以提供高效率。由于采用了一种新颖的控制方法，该器件能够从初级侧紧密调节恒定的LED电流。这消除了对次级侧反馈电路、其偏置以及光耦合器的需求。该器件高度集成，所需外部元件数量最少。内置了全面的安全保护功能，简化了设计。该器件特别适用于非常紧凑的空间高效设计，并支持模拟和数字调光，具有两个专用调光输入控制，非常适合智能LED照明应用。

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￥4.31472 / 个

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型号：FOD3182SDV 编号：C899265

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.59632 / 个

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型号：FOD3182 编号：C899263

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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￥5.25972 / 个

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型号：QC962-8A 编号：C7329297

封装：SIP-12

品牌：MORNSUN(金升阳)

QC962 8A是一款集成式混合IGBT驱动器。其主要功能是接收来自控制器的方波信号，并将其转换为隔离、放大的栅极信号，以控制IGBT的导通和关断周期。该方波信号通过光耦提供可靠的电气隔离，因此控制系统不会受到IGBT产生的共模干扰影响

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￥24.35
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￥23.77
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￥23.39
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￥23

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型号：SI8261BBC-C-IS 编号：C430253

封装：SOIC-8

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

是流行的光耦合栅极驱动器的引脚兼容、直接替换升级产品，适用于驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。采用专有硅隔离技术，支持高达5.0 kVRMS的耐受电压和10 kV浪涌保护。与光耦合栅极驱动器相比，具有更高性能、随温度和时间变化更小、器件间匹配更紧密以及出色的共模抑制能力。输入电路模拟LED特性，但所需驱动电流更小，效率更高。传播延迟时间与输入驱动电流无关，传播时间始终较短，器件间变化更小，输入电路设计更灵活。与光耦合栅极驱动器相比，使用寿命更长，可靠性显著提高。部分产品提供汽车级版本，在制造过程的所有步骤中采用汽车专用流程，以确保汽车应用所需的耐用性和低缺陷率。

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￥31.81
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￥27.25
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￥24.54
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￥21.81
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￥20.54
960+
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型号：SI8275GBD-IS1 编号：C17560298

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS

适合用于驱动各种电源、逆变器和电机控制应用中使用的功率开关。采用专有硅隔离技术，支持高达2.5 kVRMS的耐受电压（符合UL1577和VDE0884标准），具备行业领先的共模瞬态抗扰度（CMTI）、严格的时序规格、随温度和时间变化的低变化率、更好的器件间匹配性以及极高的可靠性。还提供诸如独立上拉/下拉输出、欠压锁定（UVLO）故障时驱动器关断以及精确的死区时间可编程性等独特功能。与光耦合栅极驱动器相比，具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

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