驱动光耦_厂家_价格_品牌_库存

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

5+
￥1.0919
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￥0.831
150+
￥0.7366
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￥0.6188
2500+
￥0.5664
5000+
￥0.5349

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型号：MPC3023(SL)(T1)-GV 编号：C34373707

封装：SOP-6

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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￥1.1493
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￥0.9175
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1000+
￥0.6514
2000+
￥0.5962
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￥0.5631

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型号：MPC3053(SL)(T1)-GV 编号：C34373709

封装：SOP-6

光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：M3062(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPCM303X,MPCM303X等,。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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￥1.1619
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￥0.684
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型号：MPC3083-GV 编号：C47361117

封装：DIP-6

可控硅光耦：控制可控硅触发，低触发电流：≤5mA，正向电压：1.2V，正向电流：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V，静态dv/dt：1000V/us，可直接替代：3081(触发电流≤15mA)，3082(触发电流≤10mA)，其它规格详见规格书MPC30XX(ZC)。该器件由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管与过零控制电路组成，采用6 引脚封装，引线间距2.54mm。可有效的隔离强电与弱电，通过其它功率元器件可控制AC120V、240V运行的阻性和感性负载，如固态继电器，电机，电磁阀等。

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￥1.3034
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￥0.9164
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￥0.7715
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￥0.707
4160+
￥0.6683

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型号：ISOM8111DFHR 编号：C43317178

封装：SOIC-4

ISOM811x 器件是具有 LED 仿真器输入和晶体管输出的单通道光耦仿真器，也是许多传统光耦合器的封装兼容、引脚对引脚升级版器件，无需重新设计 PCB 即可增强现有系统。与光耦合器相比，ISOM811x 光耦仿真器具有显著的可靠性和性能优势，包括高带宽、低关断延迟、低功耗、更宽的温度范围、平坦的 CTR 和严格的过程控制，从而实现较小的器件间偏移。由于没有要补偿的老化效应或温度变化，因此仿真 LED 输入级的功耗比光耦合器低。 ISOM811x 器件采用引脚间距为 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封装，支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔离额定值以及直流 (ISOM811[0-3]) 和双向直流 (ISOM811[5-8]) 输入选项。ISOM811x 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于电源反馈设计、电机驱动、工业控制器中的 I/O 模块、工厂自动化应用等。

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单价：
￥0.737554 / 个

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型号：MP4810-G(B) 编号：C47361131

封装：DIP-8

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

1+
￥2.86
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￥2.26
45+
￥2.01
90+
￥1.69
495+
￥1.55
990+
￥1.47

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型号：MP4810(SL)(T1)-G(B) 编号：C47361238

封装：SMD-8P

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4810 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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￥2.86
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￥2.01
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￥1.69
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￥1.55
1000+
￥1.47

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型号：MP4800-G(B) 编号：C47361130

封装：DIP-8

IPM光耦：输入类型：DC 共模瞬变抗扰度CMTI：10kV/us 低触发电流：≤5mA 传播延迟tpLH/tpHL：200ns；200ns 电源电压：3.0V~30V 高抗扰度 . MP4800 是一款IPM门极驱动光耦合器, 它适用于IPM接口隔离, 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动, 交流和无刷直流电机驱动, 工业逆变器, 开关电源, 通用数字隔离

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￥2.86
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￥2.26
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型号：AL17150-10BS7-13 编号：C1852099

封装：SOIC-7-150mil

品牌：DIODES(美台)

是通用高压输入降压调节器产品系列，无需光耦合器即可提供精确的恒压 (CV) 和出色的动态性能，适用于离线低功耗应用，包括用于微控制器的连接式 LED 照明电源和其他物联网应用。集成了 500V/1A MOSFET，可减少外部组件数量，降低物料清单 (BOM) 成本。可提供高达 300mA 的输出电流，待机功耗低于 50mW，非常适合物联网连接照明设备。实现了出色的调节和高功率效率，最大峰值电流和驱动频率随负载变化而变化，可在轻载时获得出色的效率性能，提高整体平均效率

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4000+
￥1.147125
8000+
￥1.1172

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型号：ACPL-M72T-000E 编号：C6795942

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED，使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns（IF = 10mA），低功耗型典型传播延迟为60 ns（LED驱动电流为4 mA）。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。

1+
￥35.84
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￥31.09
30+
￥28.19
100+
￥25.76

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型号：HT-3082-S1TA1 编号：C34376236

封装：SMD-6P

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

5+
￥0.5356
50+
￥0.5229
150+
￥0.5145
500+
￥0.506

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型号：HT-3052 编号：C34376218

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

5+
￥0.8821
50+
￥0.6973
150+
￥0.6049
500+
￥0.5356
2500+
￥0.4801
5000+
￥0.4524

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型号：H11A1TVM 编号：C899425

封装：DIP-6

该通用型光耦合器包含一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管，采用 6 引脚双列直插封装。

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单价：
￥1.28436 / 个

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型号：UCC23511BDWYR 编号：C5216341

封装：SOIC-6-300mil

UCC23511是一款适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有1.5A峰值拉电流和2A峰值灌电流以及5.7kVRMS增强型隔离额定值。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。UCC23511可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度(CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件间偏移。输入级是仿真二极管，这意味着与传统的LED相比，具有长期可靠性和出色的老化特性。它采用扩展型SO6封装，爬电距离和间隙 >8.5mm，来自材料组I的模压化合物的相对漏电起痕指数 (CTI) > 600V。UCC23511具有高性能和高可靠性，非常适合所有类型的电机驱动器、光伏逆变器、工业电源和电器。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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单价：
￥3.058544 / 个

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型号：TLP3905(TPR,E 编号：C5798529

封装：SOIC-4-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用SO6封装的光耦合器，由一个红外LED和一个光电二极管阵列光耦合而成。光电二极管串联连接，适用于MOS栅极驱动应用。

1+
￥14.54
10+
￥12.25
30+
￥10.81
100+
￥9.34
500+
￥8.67
1000+
￥8.39

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型号：LOC110 编号：C5440420

封装：DIP-8

品牌：Littelfuse(美国力特)

单线性光耦合器具有一个红外LED，与两个光电二极管进行光耦合。一个反馈（输入）光电二极管用于生成控制信号，为LED驱动电流提供伺服机制，从而补偿LED的非线性时间和温度特性。另一个（输出）光电二极管提供与伺服LED电流呈线性关系的输出信号。该产品具有宽带宽、高输入输出隔离和出色的伺服线性度。

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1+
￥21.79
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￥18.97
50+
￥17.29
100+
￥15.6
500+
￥14.81
1000+
￥14.46

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型号：HT-3061 编号：C34376264

封装：DIP-6

品牌：Hengtuo(恒拓电子)

可控硅光耦，用于电子控制和功率triac之间的接口以控制115至240VAC操作的电阻和电感负载，可满足各式各样的工业控制板需求，包括电源相关、电表、通讯设备、UPS、太阳能、电磁阀控制灯光控制、静态电源开关、交流电机驱动器、电磁接触器等应用

5+
￥0.4821
50+
￥0.4707
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￥0.4631
500+
￥0.4554

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型号：4N28M 编号：C4067

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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单价：
￥1.254 / 个

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型号：4N27M 编号：C136568

封装：DIP-6

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

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100+
￥1.2204
500+
￥1.13904
2000+
￥1.1187

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型号：4N25SR2VM 编号：C898941

封装：SMD-6P

该通用型光耦合器在标准的塑料六引脚双列直插封装内包括了一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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单价：
￥1.38996 / 个

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型号：TPS92315DBVR 编号：C2678698

封装：SOT-23-6

初级侧调节（PSR）消除了对光耦合器的需求，提供±5%的LED电流调节。最大开关频率为130 kHz，可实现高功率密度SSL驱动器。准谐振谷底切换操作确保了最高的整体效率。一种正在申请专利的频率抖动方案简化了EMI合规性。宽VCC范围（35V）允许使用小偏置电容。该设备包括MOSFET驱动输出和过压、低压线及过流保护功能。TPS92315采用SOT23-6封装。

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单价：
￥3.3026 / 个

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型号：FOD8001 编号：C463968

封装：SOIC-8

FOD8001 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门极光耦合器，支持隔离式通信，使得数字信号能够在系统之间进行通信，而无需导通接地回路或危险电压。它利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现高抗扰度，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。此高速逻辑门极光耦合器封装在 8 引脚小型封装中，包含一个高速 AlGaAs LED，由与 CMOS 检测集成电路耦合的 CMOS 缓冲集成电路驱动。该检测集成电路包含一个集成光电二极管、一个高速互阻抗放大器和一个带有输出驱动器的电压比较器。该 CMOS 技术与高能效 LED 进行耦合，实现了低能耗以及极高速（40ns 传播延迟、6ns 脉冲宽度失真）。

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单价：
￥6.27612 / 个

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型号：UCC23313BQDWYRQ1 编号：C2862911

封装：SOIC-6-4.7mm

UCC23313-Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiCMOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器，具有4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 3.75kVRMS 基础型隔离额定值。由于具有 33V 的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23313-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode)，这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比，可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装，爬电距离和间隙大于 8.5mm，塑封材料（材料组 I）的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23313-Q1 具有高性能和高可靠性，因此非常适合用于汽车电机驱动器，例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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单价：
￥6.629472 / 个

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型号：AQV215AZ 编号：C5948031

封装：SMD-6P

品牌：PANASONIC(松下)

特性：控制低电平模拟信号，光电MOS具有极低的闭路失调电压，可无失真地控制低电平模拟信号。控制各种类型的负载，如继电器、电机、灯和螺线管。光耦合实现极高的隔离，与机械继电器不同，光电MOS结合了LED和光电器件，使用光传输信号以实现极高的隔离。无需在输入侧驱动电路中使用反电动势保护二极管。稳定的导通电阻。低电平关态泄漏电流最大为1μA。应用：高速检测机。电话设备

1+
￥24.19
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￥20.83
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￥18.83
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￥16.82
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￥15.89
1000+
￥15.47

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型号：FOD3180 编号：C899257

封装：DIP-8

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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单价：
￥5.03916 / 个

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型号：HCPL-2430-300E 编号：C2686012

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 2400和HCPL - 2430高速光耦合器将820 nm的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管与高速光电探测器相结合。这种组合实现了极高的数据传输速率和低输入电流。图腾柱输出（HCPL - 2430）或三态输出（HCPL - 2400）无需上拉电阻，可直接驱动数据总线

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1+
￥36.01
10+
￥35.17
50+
￥34.6
100+
￥34.04

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型号：FOD8012A 编号：C891163

封装：SOIC-8